美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存，支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel® 凌动™ 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的 理想存储解决方案。
美光的2Gb DDR2产品过渡到更先进的 50 纳米制程节点， 反映出美光对市场所需的技术的承诺和持续投资。从1Gb升级到2Gb 的元件除了容量提
关键字：
美光 50纳米 DDR2
镁光刚刚宣布基于50纳米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板电脑市场。
该芯片采用低电压DDR2标准制造，可与英特尔开发代号Oak Trail的Atom系统协同工作，容量方面，该芯片从512Mb到2Gb不等，可构成从1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS内存条，实现8亿MT/s传输能力。
得益于较小的制程，这款芯片可以工作在1.55V的低压下，以降低系统的电源需求。
镁光预计这种DD2存储芯片将在2010年9月开始出样，年末之前量产出货。
关键字：
镁光 50纳米 DDR2
据inSpectrum市调机构的报告显示，由于本周内存/闪存芯片的现货市场需求量有所下滑，因此各大存储芯片厂商均对这些产品的现货价格进行了调整。 其中1Gb密度DDR2内存芯片产品的现货价格下调了5-6%，均价于4月30日下午达到2.62美元价位;而1Gb DDR3内存芯片的价格则下跌了3%，均价2.85美元。
近期内存芯片的市场需求表现较为弱势，加上又没有其它可以驱动芯片价格上涨的因素存在，而早先人们预计五一节假日期间大陆市场可能会发生的内存/闪存芯片价格回弹现象也由于实际的购买量并没有实
关键字：
存储芯片 闪存芯片 DDR2
据台湾媒体报道，威刚科技董事长陈立白(Simon Chen)今日表示，从第二季度开始，动态随机存储器(DRAM)市场可能会面临供应短缺问题，到今年下半年，供需缺口可能会达到10%。
据报道，很多DRAM生产商已将部分DDR-2芯片产能转为生产DDR-3，这推动DDR-2芯片价格在传统淡季第一季度出现上涨。
报道称，自春节假期结束以来，DDR2现货价格已上涨6.8%。
威刚科技主要生产USB闪盘驱动器。
关键字：
威刚 DRAM DDR2
据台湾经济日报报道，内存(DRAM)补货潮号角响起，DDR2现货价打破传统淡季束缚率先表态，农历年后上涨近7%，创近一个多月新高。相关大厂如力晶、茂德、威刚等可望受惠，但科技大厂可能得要担心，资讯产品供应链下半年会出现缺货潮。
威刚董事长陈立白指出，电子大厂都在谈缺工，其实缺工问题不大，缺货才是下半年大难题。主要是笔记型与桌上型电脑等产品会面临这个问题。
根据集邦科技(DRAMeXchange)26日的报价，1Gb DDR2有效测试颗粒(eTT)上涨逾2%，均价2.35美元，创近一个多月新
关键字：
茂德 DDR2 DRAM
报道，威刚主席Simon Chen今天表示，随着DRAM制造商把重点放在DDR3芯片生产上，DDR2芯片的出货量将开始减少，其价格有望在今年下半年超过DDR3。
Simon Chen认为，DDR2在低端PC市场还是比较受欢迎。如果1Gb DDR2的价格低于2美元，那么它需求将会出现大幅度增长。
Simon Chen还表示，上游芯片供应商纷纷通过工艺升级的方式来加大DDR3芯片的产量，不过这种升级或许会因为其它设备的供应短缺而延缓。
根据DRAMeXchange的监测，1Gb DDR2
关键字：
DRAM DDR3 DDR2
在DRAM市场的历史上，2009年初可能是最黑暗的时期之一，当时厂商能活下来就不错了。
但是，继春季温和复苏之后，DRAM供应商的黑暗日子结束，夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨，营业收入也水涨船高。三星走在前列，营业利润率为19%，营业收入达22亿美元，市场份额扩大到35.5%的最高水平。
DDR3来临
第三季度，下一代DRAM技术——DDR3看到希望，而且显然这种技术代表未来的一股潮流。iSuppli公司预测，DDR3出货量将在2010年第一季度超
关键字：
DRAM DDR3 DDR2
2010年PC主流内存标准从DDR2向DDR3的转换正在逐步成为现实。据台湾媒体报道，由于下游厂商的DDR2订单量近期出现急剧下滑，多家台系DRAM芯片制造商都在加快产能从DDR2向DDR3转换的步伐。根据稍早前的报道，台湾力晶(PSC)半导体以及他们和日本尔必达合资的瑞晶电子(Rexchip)预计，今年第一季度DDR3晶圆在其总产能中所占比例 将超过70%。而去年第三季度，DDR3颗粒占其产量的比例还不足5%。从去年第四季度开始，力晶和瑞晶已经明显加快了增产DDR3的步伐。
另一家DRAM大厂
关键字：
DRAM DDR2 DDR3
DDR2和DDR3 1月上旬合约价走势迥异，DDR2合约价大跌，DDR3却大涨，凸显世代交替已提前来临，将加速DDR2需求急速降温，快速转移到DDR3身上，近期台系 DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3，尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶和瑞晶，预计第1季底DDR3比重将达70%，速度超乎预期。不过，亦有业者认为，若大家都抢著把DDR2产能转走，说不定会意外让DDR2跌势止稳，反而有利于DDR2价格走势。
台 DRAM厂表示，原本业者认为在农历春节前DDR2买气还有最后一搏机会，因为DDR2若
关键字：
DRAM DDR2 DDR3 存储器
韩国内存厂商Hynix日前宣布他们已经完成了2Gb密度低功耗DDR2内存芯片产品的开发，这款产品将主要面向移动设备，可在智能手机，平板电脑等移动设备上使用，Hynix并称这种芯片将于今年上半年开始投入量产。
这款内存芯片产品的数据传输率可达1066Mbps，并将以小型封装(如MCP/POP封装形式)的形式进行供货。
Hynix宣称这款芯片产品采用了44nm制程技术制作，工作电压仅1.2V，位宽为32位的配置条件下，使用这种芯片的内存系统带宽可达4.26GB/s。另外，这
关键字：
Hynix 44nm DDR2 内存芯片
2009 年即将结束，DDR2 作为DRAM 市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3 几年前就已经问世，iSuppli 公司认为，它即将成为世界上最流行的内存技术。
DDR2 还不算过时，而且未来一段时间之内也不会过时，它的价格在过去数月大幅上涨。然而，DDR3 将是2010 年的摇钱大树。
主要有两个原因在推动产业向DDR3 过渡：英特尔新款处理器和制造工艺的成熟。
新款英特尔处理器
促进产业向DDR3 过渡的一个事实是，新款英特尔微处理器将需要DDR3 内
关键字：
DRAM DDR2 DDR3
2009 年即将结束，DDR2 作为DRAM 市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3 几年前就已经问世，iSuppli 公司认为，它即将成为世界上最流行的内存技术。
DDR2 还不算过时，而且未来一段时间之内也不会过时，它的价格在过去数月大幅上涨。然而，DDR3 将是2010 年的摇钱大树。
主要有两个原因在推动产业向DDR3 过渡：英特尔新款处理器和制造工艺的成熟。
新款英特尔处理器
促进产业向DDR3 过渡的一个事实是，新款英特尔微处理器将需要DDR3 内
关键字：
DRAM 存储 DDR3 DDR2
据台湾媒体报道，11月上旬动态随机存取内存(DRAM)合约价出炉，DDR2 1Gb与DDR3 1Gb颗粒合约均价皆大涨超过15%，DDR2 2Gb合约均价涨幅也达13.9%，预估11月下旬DDR2合约价可望持续攀高，以合约市场为主的南科、华亚科预估受惠较大。
集邦科技昨最新报价，11月上旬DDR2 1Gb颗粒合约均价达2.38美元，比10月下旬大涨15.53%;DDR3 1Gb颗粒合约均价达2.25美元，大涨15.98%。
另DDR2 2Gb合约均价从36美元上涨到41美元，涨幅达13.9
关键字：
南科 DRAM DDR2 DDR3
2009年DRAM产业没有淡季，11月上旬DDR2和DDR3合约价持续大涨近20%，2GB DDR2模块甚至一度飙到50美元天价，足见PC OEM厂拉货力道没有休息迹象，DRAM厂为确保DDR2和DDR3买气同步增温，趁机向下游厂祭出搭售方式。DRAM厂认为，随着PC OEM厂第4季大量转进DDR3平台，未来DDR3现货及合约价将同步凌驾DDR2，而现货市场DDR3报价亦展开攻势，一举站上3美元大关。
DRAM价格11月上旬涨幅超乎预期，2GB DDR2模块涨势尤其猛烈，大涨19~21%，平均价
关键字：
DRAM DDR2 DDR3
根据调查，今年第三季，DDR3在计算机系统厂商积极拉抬PC搭载DDR3比例下，需求量激增，DDR3合约价在第三季大涨36%，现货价也在合约价的带动下上涨24%。DDR2方面，由于DDR3合约价格大涨，亦带动DDR2合约价格的涨势，且在第三季国际DRAM大厂转进DDR3相当积极，导致DDR2出货量减少效应持续发酵，部份PC OEM厂商亦已逆向操作增加DDR2的库存水位，使得本季DDR2合约价涨幅高达31%、现货价格涨幅亦高达30%，涨幅与DDR3不惶多让。
第三季各DRAM厂商营收在DDR3合约价
关键字：
三星 DRAM DDR3 DDR2
ddr2-800介绍
您好，目前还没有人创建词条ddr2-800!
欢迎您创建该词条，阐述对ddr2-800的理解，并与今后在此搜索ddr2-800的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473