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存储大厂现场展示HBM3E产品

  • 近日,存储大厂美光科技在GTC 2024活动,展示一系列存储解决方案。该公司此前刚宣布8层堆叠HBM3E已量产,并预计2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出货。美光展示的解决方案,分别包括8层堆叠24GB HBM3E解决方案与后续12层36GB HBM3E解决方案;使用单片晶粒具低延迟与低功耗优势的DDR5 RDIMM;支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存储解决方案与LPCAMM2模组;可提供AI与存储器工作负载所需的容量、频宽、弹性的CXL存储器模组,并携手MemVerg
  • 关键字: DDR  美光科技  HBM  

集邦咨询:存储新技术DDR、HBM等大放异彩

  • 迈过2023年的经济逆风行业下行周期,2024年存储市场起势,存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求,存储新技术革新步伐加速,DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期;HBM加速迈进,HBM3/HBM3e持续突破,有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片,到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续,再到今年跃升主流的DDR5,和即将到来的DDR6、DDR7,DRAM技术还在持续突破。按照不
  • 关键字: 存储  DDR  HBM  

2024年,存储新技术DDR、HBM等大放异彩!

  • 迈过2023年的经济逆风行业下行周期,2024年存储市场起势,存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求,存储新技术革新步伐加速,DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期;HBM加速迈进,HBM3/HBM3e持续突破,有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片,到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续,再到今年跃升主流的DDR5,和即将到来的DDR6、DDR7,DRAM技术还在持续突破。按照不同的
  • 关键字: DDR  GDDR6  HBM  

DDR硬件设计要点

  • 1. 电源 DDR的电源可以分为三类:a主电源VDD和VDDQ,主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可。电源设计时,需要考虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间,单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片,及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大,所以PCB设计时,如果有一个完整的电源平
  • 关键字: DDR  内存  

你所需要知道的HBM技术

  • 在2024年即将到来之际,多家机构给出预测,认定生成式AI将成为2024年的增长重点之一。回顾2023年,年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI热潮,不仅仅是下游市场的AI应用,这股大火一直烧到了上游芯片领域,根据权威机构预测,2023年和2024年,AI服务器将有38%左右的增长空间。随着GPU等AI芯片走向高峰的同时,也极大带动了市场对新一代内存芯片HBM(高带宽内存)的需求。 HBM是何方神圣? 首先,我们先来了解一下什么是HBM。HBM全称为High Bandwich Me
  • 关键字: HBM  DDR  AI  GPU  美光  海力士  

ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么?一次性搞清楚!

  • 简单解释ROMROM:只读存储器,内容写入后就不能更改了,制造成本比较低,常用于电脑中的开机启动如启动光盘bios,在系统装好的电脑上时,计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存,然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。PROM:可编程程序只读存储器,但是只可以编写一次。EPROM:可抹除可编程只读存储器,可重复使用。EEPROM:电子式可抹除可编程只读存储器,类似于EPROM但是摸除的方式是使用高电场完成。RAMRAM:随机存取存储器,也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器
  • 关键字: ROM  RAM  FLASH  DDR  EMMC  

灿芯半导体推出两项创新技术用于DDR物理层

  • 一站式定制芯片及IP供应商——灿芯半导体日前宣布推出用于高速DDR物理层中的Zero-Latency (零延迟)和True-Adaptive(真自适应)两项技术。这两项技术已经开始在12/14 FinFET, 22/28nm的DDR4/LPDDR4,4x高性能物理层IP上进行部署,将为客户带来更高效、更稳定的全新体验。 Zero-Latency (零延迟) 技术在读数据通路上,采用了两种可选的、独特的采样方式进行数据转换,而不像其他DDR物理层供货商采用FIFO进行跨时钟域转换,此技术将延迟降低
  • 关键字: 灿芯  DDR  IP  

7200MHz! DDR4内存超频记录被刷新

  •   DDR4内存已经诞生了有10年之久,从一开始的2133MHz频率到后期逐渐站上2400MHz、2666MHz,一直到工艺与电路架构升级后,现在民用普遍的3200MHz和性能玩家追捧的4166MHz。可以说这十年以来,DDR4内存的频率也是有了快翻倍的提升。  而日前,有超频爱好者将DDR4内存的频率超频至7200MHz,打破了世界纪录。该记录由微星MEG Z590 Unify-X主板创造,超频内存上使用了两条士顿的HyperX Predator 8GB内存,组成16GB双通道。为了能让内存实现如此高频
  • 关键字: DDR    

NVIDIA选用新思科技经验证DesignWare DDR IP核

  • 重点:高质量DesignWare DDR PHY IP核为NVIDIA提供无与伦比的性能、延迟和电源效率DDR PHY支持DDR5/4的每个通道多个DIMM,满足NVIDIA的网络数据速率和内存容量要求基于固件的现场可升级训练可提高通道的稳定性和可靠性,并且有助于算法更新,从而降低采用新内存协议的风险新思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布,NVIDIA的网络业务部门Mellanox将采用经验证的DesignWare® DDR5/4 PHY IP核,以满足其针对高性能计算和人工智能应用的Infin
  • 关键字: 云计算  NVIDIA  新思科技  DesignWare DDR  IP核  

灿芯半导体为NVDIMM OEM提供完整解决方案

  • 国际领先的定制化芯片(ASIC)设计方案提供商及DDR控制器和物理层IP供应商——灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)近日对外宣布为一家著名的NVDIMM供应商提供完整的NVDIMM控制器芯片解决方案。非易失性双列直插式内存模块(NVDIMM)是计算机的一种随机存取存储器,即使在遇到供电不稳、系统崩溃或正常关机等断电情况时仍保留其内容。NVDIMM可快速恢复现场,提高应用程序性能,数据安全性和系统崩溃修复时间,加强了固态驱动器(SSD)的耐用性和可靠性。当前,大多数NVDIMM控制器采用F
  • 关键字: OEM  DDR  SSD  ASIC  

宏旺半导体ICMAX置办全自动化大型DDR测试机台 填补国内市场空白

  • 在国内疫情尚还未完全好转的情况下,全球疫情开始逐渐恶化。而日韩疫情的凶猛,更是给全球半导体领域投下了“重磅炸弹”。
  • 关键字: 宏旺半导体  DDR  ICMAX  

DDR硬件设计要点都在这里

  •   DDR硬件设计要点  1. 电源 DDR的电源可以分为三类:  a主电源VDD和VDDQ,主电源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是给IO buffer供电的电源,VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。  有的芯片还有VDDL,是给DLL供电的,也和VDD使用同一电源即可。电源设计时,需要考虑电压,电流是否满足要求,电源的上电顺序和电源的上电时间,单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片,及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大,所以P
  • 关键字: DDR,PCB  

DDR内存的发展简史:和三星有关

  •   DDR的种类:  1、DDR SDRAM:Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,双倍数据率同步动态随机存取存储器;  2、DDR2 SDRAM:Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory,第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器;  3、DDR3 SDRAM:Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Ra
  • 关键字: DDR  三星  

国产内存即将到来 可业内却判DDR死刑

  • 似乎中国已经要赶上国外主流水准,但是业内却传出DDR内存已经过时,新的内存即将取代,这无疑给国内的DDR内存制造厂商当头一棒。
  • 关键字: 内存  DDR  

控制DDR线长匹配来保证时序,在PCB设计时应该这么做!

  •   DDR布线在PCB设计中占有举足轻重的地位,设计成功的关键就是要保证系统有充足的时序裕量。要保证系统的时序,线长匹配又是一个重要的环节。我们来回顾一下,DDR布线,线长匹配的基本原则是:地址,控制/命令信号与时钟做等长。数据信号与DQS做等长。为啥要做等长?大家会说是要让同组信号同时到达接收端,好让接收芯片能够同时处理这些信号。那么,时钟信号和地址同时到达接收端,波形的对应关系是什么样的呢?我们通过仿真来看一下具体波形。  建立如下通道,分别模拟DDR3的地址信号与时钟信号。    
  • 关键字: PCB  DDR  
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ddr介绍

 DDR=Double Data Rate双倍速内存   严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR,部分初学者也常看到DDR SDRAM,就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SD [ 查看详细 ]

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