开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
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3D NAND
IT之家 11 月 24 日消息，由于厂商减产的效果逐渐显现，以及特定应用市场的持续强劲需求，DRAM 和 NAND 闪存价格在 2023 年第 4 季度呈现全面上涨，并有望持续到明年第 1 季度。集邦咨询分析预估，2023 年第 4 季度移动 DRAM 合约价格预计上涨 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合约预计上涨约 10-15%，上涨趋势会持续到 2024 年第 1 季度。移动 DRAM：根据国外科技媒体 WccFtech 报道，2024 年手机的一个明显变化是
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闪存 DRAM NAND
11月22日消息，据TrendForce最新报告，2022年全球SSD出货量为1.14亿块，同比下降10.7%。报告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影响，SSD出货量不高；但在2022年下半年供应情况已经极大缓解，渠道SSD市场恢复正常供需状态。随着个人电脑和计算机硬件市场的萎缩，固态硬盘的需求依然疲软，而更多的用户也是买涨不买跌（便宜了还能更便宜，便宜反而买单的人锐减）。TrendForce称，由于NAND闪存供应商积极减产，导致整个行业价格上涨，市场情绪在2022年第三季度末"迅速
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SSD 固态硬盘 闪存 NAND
前言从HBM存储器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市场上有许多芯片是用英文称为TSV构建的，TSV是首字母缩写，TSV（Through Silicon Via）中文为硅通孔技术。它是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联，这项技术是目前唯一的垂直电互联技术，是实现3D先进封装的关键技术之一。在本文中，我们将告诉您它们是什么，它们如何工作以及它们的用途。在2000年的第一个月，Santa Clara Universi
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芯片 TSV HBM NAND 先进封装
NAND Flash现货价于8月中旬反弹，DRAM价格也在9月开始回升，内存市况确立好转，带动内存族群获利能力普遍呈现攀升。观察第三季内存族群财报，内存制造大厂包括南亚科、旺宏及华邦电仍呈小幅亏损；内存模块厂创见、威刚、广颖、品安、宇瞻单季每股税后纯益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群联单季EPS更分别有3、4元以上亮眼成绩。另从毛利率、营利率及税后纯益率三大财务指标来看，第三季财报数字呈现「三率三升」的内存厂商，则有创见、威刚、十铨、广颖、宜鼎、品安，财务成绩表现亮眼。此外，威刚14日公告10月自结财务数
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内存 NAND Flash DRAM
在本次展会上，东芯半导体也来到了EEPW的直播间。东芯半导体股份有限公司成立于2014年，作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。2022年EEPW曾有幸采访过东芯半导体副总经理陈总，这次在2023年慕尼黑华南电子展上，陈总向我们介绍了东芯半导体这次在展会上带来了全线的产品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前东芯在NAND
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东芯半导体 NAND NOR DRAM 存储
韩国芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在经历了又一个利润率和收入下降的季度后，表现得很勇敢，强调了需求的逐步恢复，以及在今年早些时候削减资本支出后，计划在 2024 年增加资本支出。在第三季度财报电话会议上，首席财务官 Kim Woohyun 指出，对高性能存储芯片的需求不断增长，降低了销售额的下降率。然而旗舰智能手机的发布和人工智能服务器部署的激增推动了芯片需求。"我们相信，内存行业终于度过了严重的低迷期，正在进入全面复苏阶段"。Kim指出，该公司的目标是通过考虑投资效率和
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SK海力士 韩国 NAND
据TrendForce集邦咨询最新研究显示，第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND
Flash方面，eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%；由于Mobile
DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低，因此成为本次的领涨项目。季涨幅扩大包括几个原因，供应方面：三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等，持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面：2023下半年Mobile
DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受传统旺季带动，华为Mate
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Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
最近，铠侠和西部数据的合并已经传来消息，或将于本月达成合并协议。当初，业内听到这两大存储企业的合并是非常惊讶的，毕竟铠侠在 NAND 领域世界排名第二、西部数据排在第四，这两大巨头的合并可以震动存储市场。具体来看一下，目前两家企业的合并方式。西部数据这边将拆分 NAND Flash 闪存部门，与铠侠合并。在合并后成立新的控股公司，在交换新公司所需数量的股份后，西部数据将保留 50.1% 的资产，其余 49.9% 将归铠侠所有。新的公司在美国注册，但总部设置在日本，并且股票将在美国和东京证劵交易所上市，采用
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NAND
近日，据媒体报道，三星电子存储业务主管李政培称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。目前，存储产业处于缓速复苏阶段，大厂们正在追求存储先进技术的研发。从当前进度来看，NAND Flash的堆叠竞赛已经突破200层大关：SK海力士已至321层，美光232层，三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层）。据悉，三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层）
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三星 第九代 V-NAND 闪存
三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并开始大规模扩张。据外媒，三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并开始大规模扩张。报道中称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付，并于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层NAND的设备。此前消息称，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其他许可。据了解，目前三星西安工厂已成为世界上最大的NAND制造基地，约占了三星NAND总产量的40%。
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三星 NAND 西安
据悉，三星电子经营高层日前做出决定，将升级位于中国西安的 NAND 闪存工厂，为完成工厂制程升级已下单采购最新半导体设备，或将于今年年底开始引进新设备。西安工厂是目前三星电子位于海外的唯一内存芯片生产基地，2014 年开始投产，经 2020 年扩建二期项目后，目前每月生产 20 万张 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 闪存生产基地，占三星电子 NAND 芯片总产量的 40% 以上。三星电子计划明年在西安工厂内部署生产 236 层（第 8 代）NAND 芯片的设备，并依次完成工艺转换。2022 年 1
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三星电子 NAND
据TrendForce集邦咨询集邦咨询研究显示，由于供应商严格控制产出，NAND
Flash第四季合约价全面起涨，涨幅约8~13%。展望2024年，除非原厂仍能维持减产策略，且服务器领域对Enterprise
SSD需求回温，否则在缺乏需求作为支撑的前提下，NAND Flash要延续涨势将有难度。Client SSD方面，由于原厂及模组厂均积极涨价，促使PC
OEM欲在价格相对低点预备库存，采购量会较实际需求量高。而供应商为扩大位元出货量，已在第三季推出促销，故Client
SSD价格没有
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NAND Flash TrendForce
10月9日，韩国总统办公室通报，美国目前已做出决定 —— 在无需单独批准的情况下，三星和SK海力士可以向中国工厂提供半导体设备，该决定一经通报即生效。据悉，无限期豁免将通过更新Validated End-User（VEU）清单来取得。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，代表美国出口管制的适用性实际上是被无限期暂停。三星在一份声明中表示，“通过与相关政府的密切协调，与我们在中国的半导体生产线运营有关的不确定性已大大消除。”SK海力士则表示，“我们欢迎美国政府决定延长对出口管制规定的豁免。我们相信，这一决定将
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三星 SK海力士 NAND DRAM 半导体设备
受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响，存储芯片的价格在 2022 年最后两个季度均出现暴跌。根据 TrendForce 的最新数据显示，DRAM 的平均价格继 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅扩大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均价跌幅收敛至 13%～18%，Q2 DRAM 价格跌幅收窄至 10% 到 15%。与 DRAM 市况相似，NAND 闪存的市场需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 价格跌幅均超过 20%，今年 Q1 NAN
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