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Zeno开发特殊SRAM 可提升MOS结构效能

  •   Zeno Semiconductor日前开发出将最小静态随机存取存储器(SRAM)纳入单一MOS电晶体技术,不仅其采用记忆单元(bit-cell)数量变多,存取时间也可大幅缩短4成。  据EE Times网站报导,Zeno在国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting)上展示这项新技术。Zeno执行董事长Zvi Or-Bach表示,该技术之所以让N型MOS电晶体做为稳定SRAM,主要是透过采
  • 关键字: Zeno  SRAM   
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zeno介绍

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