这几年国产芯片替代概念推动了国内半导体公司的加速发展。除了处理器芯片外，存储器的发展也得包括政府、市场资本、行业巨头厂商的高度关注。不过，受制于技术等原因，全球90%的DRAM市场份被三星、海力士和美光三家厂商占据。 现有DRAM的最关键技术是电容存储单元，它不仅带来了特有的制造挑战，还被大量专利所保护。
国内厂商想要有所突破，除了加大投入和研发外，一定程度也需要外力支持。近日，半导体嵌入式非易失性存储器(eNVM)知识产权(IP)产品领先提供商Kilopass 首席执行官Charlie Che
关键字：
Kilopass VLT
10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor)技术，简称VLT技术。据Kilopass首席执行官Charlie Cheng称，该技术集低成本、低功耗、高效率、易制造等诸多优点于一身，有可能颠覆目前的DRAM产业格局。
最适用于云计算/服务器市场的DRAM技术
Charlie Cheng指出，DRAM整体市场较为稳定，未来随着PC、手机等方面的市场需求萎缩，新的增长点将出现在云计算/服务器等市场领域。然而当前
关键字：
VLT DRAM
半导体嵌入式非易失性存储器(eNVM)知识产权(IP)产品提供商Kilopass Technology, Inc.近日推出垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技术。该技术显著降低了存储芯片的成本且与DDR SDRAM完全兼容，使用标准CMOS工艺制造且无需昂贵的电容结构。
由于当前基于1个晶体管+1个电容器(1T1C)存储单元结构的DRAM解决方案不够合理，电容器无法进一步缩小，尺寸太大，在20nm工艺上，电容量太低，DRAM技术自2010年以来已放缓
关键字：
Kilopass VLT
vlt介绍
您好，目前还没有人创建词条vlt!
欢迎您创建该词条，阐述对vlt的理解，并与今后在此搜索vlt的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473