- 2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率，同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC
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贸泽 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
- 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。在 650/750V 状态下，第四
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UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
- Qorvo®今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封装选项，Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ的业界更低 RDS(on)，其额定值分别为 9、11、18、23、33、
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UnitedSiC Qorvo 电源 SiC FET
- 使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是，碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本白皮书追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。白皮书当然，接近完美的电子开关已经存在很长一段时间了，但是我们这里要谈的不是机械开关。现代功率转换依赖的是半导体开关，它们最好在打开时没有电阻，在关闭时电阻和耐受电压无限大，并能在简单驱动下以任意快的速度在开关状态间切换且没有瞬时功率损耗。在这个重视能源与成本
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UnitedSiC SiC
- 介绍针对电动汽车充电器的最佳SiC功率拓扑和调制决策的设计技巧，利用指导拓扑和调制决策，有助于消除不可行选项，转而关注那些可能表现良好的选项。▎引言 ▎电动汽车的蓄电池充电器需要在电网连接和蓄电池之间进行电流隔离。因此，电动汽车充电器几乎总是有两个级：一个高电能质量整流器，将AC转换为DC；然后是DC-DC转换器，利用高频变压器进行电流隔离。SiC FET和二极管的高开关频率可以满足使用“旧的”和简单的电路拓扑的充电器要求，而这种拓扑在硅基开关器件中是不切实际的。例如，用于单相整流的图腾柱功率
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UnitedSiC
- UnitedSiC（现名Qorvo）扩充了其1200V产品系列，将其突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧，现以TO247-4L（采用开尔文连接）封装提供，而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。这些新发布的SiC FET具有不凡的性能，是不断成长的电动车市场向着800V母线车载充电器（OBC）和直流转换器迈进过程中的理想选择。与前几代一样，新FET也非常适合工业电池充电器、工业电源、光伏转换
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UnitedSiC
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