- 光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。从早期的深紫外光刻机(DUV)起步,其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础;再到后来的极紫外光刻机(EUV)以其独特的极紫外光源和更短的波长,成功将光刻精度推向了新的高度;再到如今的高数值孔径光刻机(High-NA)正式登上历史舞台,进一步提升了光刻的精度和效率,为制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官网显示,其组装了两个 TWINSCAN EXE:5000 高数值孔径光刻系统。其中一个由 ASM 与 imec 合作开发,将于 2024 年安装在 A
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High-NA EUV
- 3 月 27 日消息,据荷兰媒体 Bits&Chips 报道,ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术,运行效率得以提升。根据IT之家之前报道,NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装,可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量,相较以往机型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技术 High-NA(高数值孔径) EUV 采用了更宽的光锥,这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽,会导致影响晶圆吞吐量的光损失。
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ASM NXE:3800E EUV 光刻机 High-NA
- 英特尔(intel)近日宣布,已经接收市场首套具有0.55数值孔径(High-NA)的ASML极紫外(EUV)光刻机,预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。 相较之下,台积电则采取更加谨慎的策略,业界预计台积电可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。业界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA
EUV,这也是台积电暂时观望的原因,台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术,以确保产品竞争力。Hig
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英特尔 High-NA EUV 台积电
- 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal
Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,
即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据的单元晶体管(Cell
Transistor)、恢复数据的核心晶体管(Core
Tr
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SK海力士 High-k Metal Gate
- 随着通信技术的不断成熟以及用户对通信质量的要求越来越高,现有的GSM网络将不可避免地向W-CDMA(宽带码分多址)演变,这种演进的过程据估计大约需要2-3年,主要的无线网络设备供应商最早也要到 2002年之后才能提供可供商用的W-CDMA系统。但这并不意味着移动运营商们只能等待,通过采用GPRS(通用分组无线业务)技术,可使现有GSM网络轻易地实现与高速数据分组的简便接入,从而使运营商能够对移动市场需求作出快速反应并获得竞争优势。为了能进一步提升GPRS移动网所能提供的数据业务能力,通信营运商又开始把眼光
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UMTS GSM W-CDMA
- 在满足宏蜂窝基站性能要求的前提之下,集成度究竟能够达到多高? 工艺技术仍然限定某些重要的功能部件必须采用特殊工艺来制造:在射频 (RF) 领域采用GaAs 和 SiGe 工艺,高速 ADC 采用细线 CMOS 工艺,而高品质因数 (High-Q) 滤波器则无法采用半导体材料很好地实现。此外,市场对于提高集成度的需求并没有停止。
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凌力尔特 RF UMTS LTM9004
- 一、设计及制作由于普通家庭室.内空间不够宽敞,要求音箱做得尽可能小巧一些,摆放在室内不致引人注意。然而,音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系:no=knmiddot;f33middot;VB上式中,kn是箱体系
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制作 音箱 监听 A4 High-end
- 一、设计及制作由于普通家庭室.内空间不够宽敞,要求音箱做得尽可能小巧一些,摆放在室内不致引人注意。然而,音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系:no=knmiddot;f33middot;VB上式中,kn是箱体系
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制作方法 音箱 监听 A4 High-end
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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GSM UMTS 手机 最终测试
- 市场上出现了十多种双模GSM/UMTS手机,同时许多中心都有了UMTS覆盖,但是维修中心却经常遇到很多问题,该问题就是在报告手机出现故障时,在维修后手机在送还给顾客之前,这些手机都要进行哪些测试。一篇由Willtek Co
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UMTS GSM 手机 测试方法
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安森美 ADS High-QIPD 高电阻率 硅铜
- 一、UMTS定义 UM TS作为一个完整的3G移动通信技术标准,UMTS并不仅限于定义空中接口。除WCDMA作为首选空中接口技术获得不断完善外,UMTS还相继引入了TD-SCDMA和HSDPA技术。 一种第三代(3G)移动电话技术[1]。它
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分析 及其 特性 通信技术 UMTS
- 在满足宏蜂窝基站性能要求的前提下,能达到多高的集成度? 工艺技术仍然限定某些重要的功能部件必需运用特殊的 ...
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UMTS 基站 接收器
- 许多中心都有了UMTS覆盖,并且市场上出现了十多种双模GSM/UMTS手机,维修中心遇到了如下问题,就是报告有手机...
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GSM UMTS 手机 手机故障
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