2月28日，存储大厂美光科技宣布已开始提供升级版UFS4.0样品，采用232层3D NAND技术，可提供256GB、512GB和1TB三种容量。自去年6月推出11mm x 13mm封装规格的UFS4.0解决方案后，美光进一步缩小UFS4.0的外形规格以实现更紧凑的9mm x 13mm托管型NAND封装。性能上，美光UFS4.0的顺序读取速度和顺序写入速度分别高达4300MBps和4000MBps，较前代产品相比性能提升一倍，据悉，生成式AI应用中的大语言模型加载速度可提高40%。此次增强版UFS4.0基于
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美光 UFS 存储
2024 年 3 月 1 日，中国上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 内存和 UFS 4.0 移动闪存助力荣耀最新款旗舰智能手机荣耀 Magic6 Pro 提供端侧人工智能体验。该手机支持 70 亿参数的大语言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），开创了端侧生成式人工智能新时代。荣耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大语言模型为核心，在美光内存和存储的加持下，实现了升级版预测性和
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美光 内存 存储 荣耀 Magic6 Pro 智能手机 LPDDR5X UFS 4.0
2024 年 2 月28日，中国上海 – Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布开始送样增强版通用闪存（UFS）4.0 移动解决方案，该方案具有突破性专有固件功能并采用业界领先的紧凑型UFS 封装（9 x 13mm）。基于先进的232层3D NAND技术，美光UFS 4.0解决方案可实现高达 1 TB容量，其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。 美光UFS 4.0的顺序读取速度和顺序写入速
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美光 紧凑封装型 UFS 智能手机设计 大容量电池
存储器解决方案的全球领导者铠侠株式会社近日宣布，该公司已开始提供业界首款(2)面向车载应用的通用闪存(3)(UFS)4.0版嵌入式闪存设备的样品(1)。新产品性能高，采用小型封装，提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于多种新一代车载应用，诸如车载远程信息处理系统、信息娱乐系统以及ADAS系统(4)。铠侠车载UFS产品的性能显著提升(5)，顺序读取速度提升约100%，顺序写入速度也提升约40%。通过性能提升，相关应用能够更好地利用5G连接的优势，带来更快的系统启动速度和更优质的用户体验。作为首家推出UFS技术
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铠侠 UFS 4.0 嵌入式闪存
配备 Snapdragon 8 Gen 3 和 Dimensity 9300 芯片组的智能手机现在可以运行设备上的 LLM（大型语言模型），使其具有与更大的机器相同的功能。 不幸的是，在手机上运行人工智能相关程序是一项资源密集型任务，不仅需要计算能力，还需要充足的内存和存储空间，早些时候的一份报告指出，未来智能手机上的 20GB RAM 可能会成为支持此功能的标准 功能。 至于存储，三星有一个解决方案，据传是针对 AI 优化的新版本 UFS 4.0 标准。高级研究员还表示，运行 AI 操作将需要智能手机大
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UFS 三星 端口
为了继续推动通用闪存(1)（UFS）技术的发展，全球存储器解决方案的领导者铠侠株式会社近日宣布，具有更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式闪存设备已开始送样(2)。以小封装尺寸提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于各种下一代移动应用。铠侠 UFS 产品性能的改进使这些应用程序能够利用 5G 的连接优势，从而加快下载速度、减少延迟时间并改善用户体验。铠侠UFS 4.0产品将BiCS FLASH™ 3D 闪存和控制器集成在 JEDEC 标准封装中，并结合了 MIPI M-PHY 5.0 和&n
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铠侠 UFS 4.0 嵌入式闪存
2022年12月8日，中国上海 — 全球存储器解决方案领导者KIOXIA铠侠中国近日宣布，今年其最新发布的业界首款*1支持MIPI M-PHY*2 v5.0的通用闪存*3Universal Flash Storage (以下简称：UFS) 嵌入式闪存器件，目前已率先批量交货，助力本土手机产商实现存储速度飞跃。新一代UFS凭借高速读写性能，将应用于智能手机等其他消费类电子产品中，显著提升产品的功能性和用户的使用体验。 &nb
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KIOXIA 铠侠 UFS 嵌入式闪存器件
全球汽车内存领先供应商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布其车规级高性能LPDDR5 DRAM内存和基于3D TLC NAND技术的UFS 3.1产品已被应用于理想汽车最新推出的全尺寸智能旗舰SUV车型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解决方案可助力理想L9的高级驾驶辅助系统（ADAS）实现最高L4级自动驾驶。得益于美光完整的产品组合，理想L9智能座舱系统还集成了美光车规级LPDDR4和UFS 2.1技术，为用户提供出色的娱乐和用
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美光 智能座舱 DRAM UFS ADAS 域控制器 车载信息娱乐系统
西部数据近日新推出了一款嵌入式通用闪存存储（UFS, Universal Flash Storage）设备——西部数据 iNAND MC EU521，借此可以大大提升5G智能手机的用户体验。作为最早支持实现UFS3.1 规范中Write Booster特性的供应商，西部数据在业界第一批提供了针对5G应用优化的UFS3.1闪存方案。 <西部数据 iNAND MC EU521嵌入式闪存设备>西部数据 iNAND MC EU521嵌入式闪存设备帮助移动开发人员充分利用UFS 3.
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UFS 解决方案
9月10日消息，据WinFuture报道，三星UFS存储卡现身IFA2019展会，它被装在了海信T91手机上。
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三星 存储卡 UFS
Mar. 20, 2019 ----
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季各类NAND
Flash产品合约价综合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。 展望第二季，DRAMeXchange分析师叶茂盛表示，历经第一季的需求低谷之后，智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。另一方面，NAND
Flash供应商
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NAND UFS SSD
在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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NAND eMMC UFS
在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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NAND UFS
在高速数字接口中，并行总线越来越少。原因很简单，随着系统频率的提升，并行总线在板级建置时已经遭遇到实体瓶颈，抖动、串扰、信号偏移、传输路径不
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UFS emmc 数字接口
相较于处理器芯片，存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。 具体来说，LPDDR5的速度将达到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC厂商Synopsys透露的，LPDDR5将引入WCK差分时钟，类似于GDDR5，从而在不增加引脚的情况下提升频率。 此外，LPDDR5还将引入
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LPDDR5 UFS 3.0
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