- TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFET III相比，TrenchFET IV的导通电阻(RDS(ON)和栅极电荷(QG，QGD)数值都有所减小，降低了同步DC/DC转换器中的损耗。过去，降低RDS(ON)通常会以更高的栅极电荷做为折衷。但TrenchFET IV采用一种新的高密度设计，同时实现了优化的栅极电荷水平和更低的RDS(ON)。
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TrenchFET MOSFET DC/DC
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在这种电压等级和3.3mmx3.3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。
新款Si7625DN可用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关。适配器开关(在适配器、墙上电源和电池电源之间切换)通常是开启并且吸收电流。Si7625DN更低的
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Vishay MOSFET PowerPAK TrenchFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。
新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节距工艺，将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半：在4.5V、2
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Vishay MOSFET TrenchFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P沟道技术的最新产品，使用了自对准工艺技术，在每平方英寸的硅片上装入了10亿个晶体管单元。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺，将业内
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Vishay MOSFET TrenchFET
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