- 【2023 年 7 月 3 日，德国慕尼黑讯】英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。 相比第一代产品，1200 V CoolSiC系列的开关损耗降低了25%，具有同类最佳的开关性能。这种开关性能上的改进实现了高频运行，缩小了系统尺寸并提高了功率密度。由于栅极-源极阈值电压（VGS(th)
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TO263-7 1200V 沟槽式MOSFET 电动出行
- 伍尔特电子推出的 MagI³C VDRM 是 MagI³C 电源模块产品系列中的一款全新直流/直流电压转换器，采用 TO263-7EP 封装。转换器的输入电压范围为 6 至 42 V，可从 9 V、12 V 或 24 V 工业总线进行转换。 该产品系列为 1 A 和 3 A 电流扩展了两个全新模块，且输出电压可调，范围在 0.8 至 6 V 之间。这些模块坚固耐用，可在最高 105°C 的环境温度下运行。其最高可达 97% 的高效率。TO263-7EP 封装易于焊接，尺寸为 10.16 × 13.7
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伍尔特 TO263-7EP
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