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格罗方德推出性能增强型130nm 硅锗射频技术,以促进下一代无线网络通信发展

  •   格罗方德半导体(GlobalFoundries)于今日宣布针对硅锗(SiGe)高性能技术组合,推出新一代射频芯片解决方案。该项技术专为需要更优性能解决方案的客户而打造,适用于汽车雷达、卫星通信、5G毫米波基站等其他无线或有线通信网络的应用。   格罗方德半导体的硅锗 8XP技术是该公司130nm高性能硅锗系列产品的最新成员,它可协助客户制定射频解决方案,以在更远距离实现更快的数据吞吐量,同时耗能更少。这项先进技术大幅提升了异质结双极晶体管(HBT)的性能、降低噪声指数、改善信号完整性并将硅锗 8XP
  • 关键字: 格罗方德  SiGe  

IBM针对RF芯片代工升级制程技术

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: IBM  RF芯片  代工升级  制程技术  SiGe  SOI  

飞思卡尔新产品引领高性能射频技术发展

  •   无线技术的便利性已经得到所有人的认可,无线技术的优势也通过技术的不断演进变得越来越明显,从而带动整个无线市场的快速普及。射频不是一个简单的元器件,而是一个涉及多个半导体器件的解决方案。   作为这个市场的领导者之一,飞思卡尔半导体提供广泛的射频低功率产品组合,满足目前复杂且具有挑战性的应用及市场需求。从通用放大器、增益模块、信号控制产品到功能丰富的低噪声放大器和高性能RFIC,飞思卡尔利用各种基于III-V的技术和先进的SiGe芯片工艺为客户提供解决方案,满足无线基础设施、无线通信、蜂窝通信、工业、
  • 关键字: 飞思卡尔  SiGe  MMZ25333B  

泰克下一代70GHz示波器将采用IBM的9HP硅锗芯片制造技术

  • 泰克公司日前宣布,其下一代高性能实时示波器将采用IBM的最新9HP硅锗 (SiGe) 芯片制造工艺。IBM的第五代半导体技术与早前宣布的正在申请专利的异步时间插值 (Asynchronous Time Interleaving) 技术将使新示波器带宽达到70 GHz并实现信号保真度改善。
  • 关键字: 泰克  示波器  SiGe  

高线性度SiGe下变频混频器

  • 2.3GHz至4GHz、SiGe下变频混频器具有业内最佳的性能Maxim在2010年IIC上海站重点向观众展示了以下应用...
  • 关键字: 高线性度  SiGe  变频混频器  

华虹NEC 0.13 / 0.18微米SiGe工艺技术成功进入量产

  • 世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)宣布其最新研发成功、处于业界领先地位的0.13/0.18微米SiGe工艺技术进入量产。由此成为国内首家、全球少数几家可以提供0.13/0.18微米SiGe量产工艺的代工厂之一。
  • 关键字: 华虹NEC  工艺  SiGe  

SiGe MEMS技术

  • MEMS技术自20世纪70年代末80年代初掀起第一轮商业化浪潮,其后经历了四次较大的变革。如今,除传统的应用外,推动第四轮商业化的其它应用包括一些面向射频无源元件、在硅片上制作的音频、生物和神经元探针,以及生化
  • 关键字: 技术  MEMS  SiGe  

锗化硅(SiGe)技术在测试技术中的应用

  • 锗化硅技术(Silicon germanium)从20世纪80年代问世以来,是一种高于普通硅器件的高频半导体材料,应用领域非常广泛,尤其在新一代移动设备中,是良好的高功率放大器,例如:下变频器、低噪声放大器(LNA)、前置放大
  • 关键字: SiGe  锗化硅  测试技术  中的应用    

瑞萨电子推出新型SiGe:C异质接面晶体管

  • 2011年9月13日 日本东京讯—高级半导体厂商瑞萨电子株式会社(TSE:6723,以下简称“瑞萨电子”)宣布推出新款SiGe:C异质接面晶体管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04,可作为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采用全新开发的硅锗:碳(SiGe:C)材料 (注2) 并达到领先业界的低噪声效能。
  • 关键字: 瑞萨  晶体管  SiGe:C HBT  

基于SiGe HBT的射频有源电感设计

  • 电感在射频单片集成电路中具有重要作用,主要具备阻抗转换、谐振、反馈、滤波等功能。随着无线通信技术的迅速...
  • 关键字: SiGe  HBT  射频有源电感  晶体  反馈  

基于SiGe HBT的射频有源电感的设计

  • 本文设计了四种结构的射频有源电感, 其中包括两种正电感和两种负电感。研究结果表明由晶体管构成的有源电感的性能受晶体管的组态及偏置影响较大。四种电路结构中,由共射放大器与共集放大器级联反馈构成的有源电感性能较好。采用回转器原理实现的有源电感,电感值不随面积减小而减小。改变晶体管的偏置电压,有源电感具有可调谐性。
  • 关键字: 电感  设计  有源  射频  SiGe  HBT  基于  

探讨固定及移动WiMAX系统对无线射频子系统的设计要求

Maxim推出GPS/GNSS低噪声放大器

  •   Maxim推出GPS/GNSS低噪声放大器(LNA)产品线的最新成员MAX2667/MAX2669。这两款完全集成的LNA采用Maxim先进的SiGe工艺设计,具有0.65dB的超低噪声系数,与分立方案或高集成度CMOS方案相比可有效提高接收机的灵敏度和读取范围。MAX2667/MAX2669具有业内最佳的性能、最小的尺寸和最低的电流损耗,是智能手机、个人导航设备(PND)及其它电池供电手持设备的理想选择。   MAX2667/MAX2669提供不同的线性指标选项,以满足不同的系统要求。对于要求在存
  • 关键字: Maxim  LNA  SiGe  MAX2667  MAX2669   

SiGe半导体获“最受尊敬的私营半导体企业奖”提名

  •   全球领先的硅基射频 (RF) 前端模块 (FEM) 和功率放大器 (PA) 供应商SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 已获全球半导体联盟 (Global Semiconductor Alliance, GSA) 提名为2010年度“最受尊敬的私营半导体企业奖”之候选者,优胜者将于12月9日在硅谷圣克拉拉会议中心举办的颁奖晚宴上宣布。   
  • 关键字: SiGe  半导体  
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sige介绍

百科名片 1、英语单词:sign。n.标记, 符号, 记号, 征兆, 迹象, 征候。v.签名(于), 署名(于)~, 签署。2、数学函数之一。3、日本动画片《火影忍者之疾风传》主题曲,brown eyed girls 的一首歌曲也叫这个名字。4、同名韩剧 编辑本段英文单词 名词sign:   1. a perceptible indication of something not im [ 查看详细 ]

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