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安森美半导体基于SiC的混合IGBT 和隔离型大电流IGBT门极驱动器将在欧洲PCIM 2019推出

  • 2019年4月30日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术,提供低导通损耗和开关损耗,用于多方面的电源应用,包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用,如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒
  • 关键字: 安森美半导体  IGBT  SiC肖特基二极管技术  
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sic肖特基二极管技术介绍

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