SiC半导体1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。 SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。 用于功率器件制作，4H-SiC最为合适。2. 功率器件的特征SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，因此与Si器件相比，能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600V～数千V的高耐压
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SiC功率器件
据芯动半导体官微消息，12月1日，芯动半导体与博世汽车电子在上海签署长期订单合作协议。近年汽车市场电动化高速增长，SiC功率器件可大幅提高汽车性能并优化整车架构。本次芯动半导体与博世汽车电子在SiC业务的战略合作，将助力芯动半导体SiC业务稳步发展。同时，也将促进芯动半导体形成更加集聚的发展格局，进一步推动产业链融合。
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芯动半导体 SiC功率器件 博世汽车电子
作为一家成立于2018年的企业，爱仕特科技成长迅速，成立的这几年中，多次与国内外汽车企业合作，作为SiC功率器件及应用方案的引领者，推出了多款被市场承认的产品，在本次的慕尼黑华南电子展之上，爱仕特科技展出了多款SiC的新产品，全新的SiC功率模块，其使用了行业先进的封装技术，并且提供全桥、半桥和H桥三种常见的电路拓扑选型。其SiC功率模块的产品特性优秀，最高结温达到了175摄氏度，集成了负温度系数传感器，拥有2.5kv的绝缘电压；而本次爱仕特所带来的SiC MOSFET产品也同样令人瞩目，可以提供插入式和
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爱仕特科技 SiC功率器件
过去数十年，各种能源法规都强调了制造节能型产品的重要性。这大大促进了节能降耗[1]。此外，这些法规和标准为利用诸如SiC MOSFET等新技术优异的特性，设计出更富创新性的家用电器铺平了道路[2]。采用这些技术有助于制造商获得最高能效等级认证。引言不久前，英飞凌推出了一款新开发的高级集成功率器件（IPD）IM105-M6Q1B。IM105-M6Q1B采用7 mm x 7 mm四边无引线扁平封装（QFN），将英飞凌CoolSiCTM技术的诸多优点和堪称行业标杆的高可靠的高压驱动集成电路（IC）集于一体。使用
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家电电机驱动 SiC功率器件
作者 李健 今年CEATEC展会ROHM的展台聚焦汽车电子和工业两大主题，以SiC功率器件和模拟技术为重点，以轻量化飞行器为亮点，吸引了众多观众的驻足观赏。 汽车电子是罗姆近年来重点开拓的市场领域，罗姆以虚拟车身框架的形式展示其全面遍及车身每个环节的产品和技术，特别是在电动化方面罗姆的产品广泛应用于智能驾驶舱、SiC
MOSFET，功率动力单元、车灯及转向灯控制，ADB以及高精度LCD驱动等方面，其中智能驾驶舱控制系统可以通过手机蓝牙或指纹识别进行进入控制，智能车灯根据对面来车的灯光强度可以自行调
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CEATEC展会 ROHM展台 SiC功率器件 201812
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