- 在之前一篇题为《功率电子器件从硅（Si）到碳化硅（SiC）的过渡》的博文中，我们探讨了碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。图1.硅与碳化硅的对比众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺，来开发基于双极结型晶体管（BJT）、结栅场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘
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Qorvo SiC MOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48 V电池开关以及电动
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英飞凌 MOSFET OptiMOS
- Littelfuse P沟道功率MOSFETs，虽不及广泛使用的N沟道MOSFETs出名，在传统的应用范围也较有限，然而，随着低压（LV）应用需求的增加，P沟道功率MOSFET的应用范围得到拓展。高端侧（HS）应用P沟道的简易性使其对低压变换器（<120 V）和非隔离的负载点更具吸引力。因为无需电荷泵或额外的电压源，高端侧（HS）P沟道MOSFET易于驱动，具有设计简单、节省空间，零件数量少等特点，提升了成本效率。本文通过对N 沟道和P沟道MOSFETs进行比较，介绍Littelfuse P沟道功率
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202404 P沟道功率MOSFET MOSFET
- 不断提升能效的需求影响着汽车和可再生能源等多个领域的电子应用设计。对于电动汽车 (EV) 而言，更高效率意味着更远的续航里程；而在可再生能源领域，发电效率更高代表着能够更充分地将太阳能或风能转换为电能。图1.在电动汽车和可再生能源领域，对更高效率的不懈追求正推动着设计向前发展这两大领域都广泛采用开关电子器件，因而又催生了更高电压器件的需求。电压和效率之间的关系遵循欧姆定律，也就是说电路中产生的功耗或损耗与电流的平方成正比。同理，当电压加倍时，电路中的电流会减半，因而损耗会降到四分之一。根据这个原理，为了减
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高电压 高电压 转换器 逆变器 MOSFET 电力电子 EliteSiC
- 热泵是一种经过验证的、提供安全且可持续供暖的技术，其满足低排放电力要求，是全球迈向安全、可持续供暖的核心技术。尽管逆循环热泵也可以同时满足供暖和制冷的要求，但热泵的主要目标是提供供暖。由于热泵能够回收废热并将其温度提高到更实用的水平，因此在节能方面具有巨大的潜力。系统目标热泵的原理与制冷类似，其大部分技术基于冰箱的设计。2021年，全球约有10%建筑的采暖由热泵来完成，且安装热泵的步伐仍在不断加快。鉴于政府对能源安全的关注以及应对气候变化的承诺，热泵将成为减少由建筑采暖以及热水所产生的碳排放的主要途径。此
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热泵 供暖 IPM MOSFET IGBT
- 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。选择正确的栅极驱动器对于实现最佳功率转换效率非常重要。随着SiC技术得到广泛采用，对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高，而ST的STGAP系列电气隔离栅极驱
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STGAP MOSFET IGBT 驱动器 电气隔离
- 晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。1 晶体管BJT的工作原理让我们从经典的NPN晶体
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晶体管 BJT MOSFET
- 安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。M3S 系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化，如太阳能逆变器、ESS、UPS 和电动汽车充电桩等。帮助开发者提高开关频率和系统效率。本应用笔记将描述M3S的一些关键特性，与第一代相比的显著性能提升，以及一些实用设计技巧。本文为第一部分，将重点介绍M3S的一些关键特性以及与
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碳化硅 SiC MOSFET
- 近日，包括Wolfspeed、韩国釜山政府、科友等在第三代半导体SiC/GaN上出现新进展。从国内外第三代化合物进展看，目前在碳化硅领域，国际方面8英寸SiC晶圆制造已迈向量产前夕，国产厂商方面则有更多厂家具备量产能力，产业链条进一步完善成熟，下文将进一步说明最新情况。SiC/GaN 3个项目最新动态公布Wolfspeed德国8英寸SiC工厂或将延迟至明年建设近日，据外媒消息，Wolfspeed与采埃孚联合投资建设的德国8英寸SiC晶圆厂建设计划或被推迟，最早将于2025年开始。据悉，该工厂由Wolfsp
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SiC 8英寸
- SiC 市场的快速扩张主要得益于电动汽车的需求，预计 2023 年市场将比上年增长 60%。
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GaN SiC
- 3月28日消息，当地时间3月26日，Wolfspeed宣布第三座工厂——8英寸SiC衬底产线一期工程举行了封顶仪式。据了解，该工厂位于贝卡莱纳州查塔姆县，总投资50亿美元（约合人民币356亿元），占地面积445英亩，主要生产8英寸SiC单晶衬底。目前，该工厂已有一些长晶炉设备进场，预计2024年底将完成一期工程建设，2025年上半年开始生产，预计竣工达产后Wolfspeed的SiC衬底产量将扩大10倍。近期，Wolfspeed与瑞萨电子、英飞凌等公司签署了客户协议，查塔姆工厂的投建将为这些协议提供支持，同
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碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞萨 英飞凌
- 随着近年来对碳化硅（SiC）衬底需求的持续激增，市场研究公司TrendForce表示，对于SiC的成本降低呼声越来越高，因为最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本占整个成本结构的比例最高，约占50%。因此，衬底部分的成本降低和利用率提高尤为关键。由于其成本优势，大尺寸衬底逐渐开始被采用，市场对其寄予了很高的期望。中国SiC衬底制造商天科蓝半导体计算，从4英寸升级到6英寸可以使单位成本降低50%，从6英寸升级到8英寸可以再次降低35%。与此同时，8英寸衬底可以生产更多的芯片，从而减少边缘浪
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SiC 碳化硅
- 电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作为硅MOSFET或IGBT开关的替代方案，改善BESS的性能。图1：BESS 实施概览BESS 的优势最常用的储能方法有四种，分别是电化学储能、化学储能、热储能和机械储能。锂离子电池是家喻户晓的电化学储能系统，具有高功率密度、高效率、外形紧凑、模块化等特点
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安森美 SiC 电池储能
- 进入 2024 年，10 多家车企纷纷宣布降价。车企给供应商的降价压力更大，普遍要求降价 20%，过去一般是每年降 3%-5%。有观点认为，车市降价是由于新技术带来的成本下降，但从大背景来看，2 月销量下滑，或是更多企业加入价格战的不得已选择。但从另一个角度来看，成本的下降确实会缓解降价的压力，SiC（碳化硅）会不会是出路呢？降价风波始末2 月 19 日，可以说是一切的开始。降价潮是由比亚迪掀起的，从 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春节假期结束后的 17 天里，比亚迪密集推出了 13 款主力车型的
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SiC
- 英飞凌科技股份公司近日推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和业界领先的RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200
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英飞凌 OptiMOS MOSFET
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