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使嵌入式 STT MRAM 磁隧道结阵列的加工成为可能

  •   半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元,几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器 (MRAM) 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景,重点说明初始阶段面临的一些挑战,并探讨实现 STT MRAM 商业可行性的进展。  应用材料公司为实现 STT MRAM 的制造提供了多项重要创新,包括基于Endura® 平台上的PVD创新以及特别的蚀刻技术。利用这些新技术并借助梅丹技术中心的设施来加工并测试器件阵列,我们验证了 STT MRAM 的性能和可扩展性。  如今,除了逻
  • 关键字: STT  MRAM  

MRAM的黄金时代即将来临?

  •   MRAM市场可能会在明年开始变得越来越“拥挤”──开发OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技术的美国业者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研发晶圆厂制作出仅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction,pMTJ),其目标是在明年第一季开始提供其MRAM样品,并在2018年让产品正式上市。   STT执行长Barry Hobe
  • 关键字: STT  MRAM  

SK海力士与东芝诉讼和解 提升未来技术发展力

  •   东芝(Toshiba)与SK海力士(SK Hynix)宣布将共同开发下一代半导体制程技术,同时东芝也撤销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业决定集中火力争取半导体产业未来主导权,取代相互耗损的专利诉讼。   据ET News报导,东芝与SK海力士曾维持很长时间的合作关系。2007年缔结专利授权合约,并自2011年开始共同开发下一代记忆体STT-MRAM。2014年3月因记忆体半导体技术外流,东芝向SK海力士提出告诉,要求1.1兆韩元规模的民事赔偿,双方关系因此破裂。
  • 关键字: 东芝  SK海力士  STT-MRAM  

Hynix东芝宣布将联合开发STT-MRAM技术

  •   韩国Hynix与日本东芝公司近日宣布两家公司将共同开发STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋转移矩磁阻RAM)技术,两家公司均认为这项技术是非常重要的下一代非易失性存储技术之一。一旦有关的技术研发完成之后,两家公司计划成立一 家专门生产STT-MRAM的芯片制造公司。另外,作为这次合作战略的其它部分,两家公司还将扩大专利交叉授权的范围。
  • 关键字: Hynix  STT-MRAM  
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