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Soitec绝缘硅晶圆成为瑞萨新型SOTBTM能量收集芯片组中核心成员

  •   作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业,法国Soitec半导体公司今日宣布瑞萨电子公司采用Soitec全耗尽绝缘硅(FD-SOI)晶圆产品线专用版,用于其65nm超低功耗SOTBTM工艺生产。至此,瑞萨新型基于SOTBTM技术的芯片克服了物联网设备的能源限制,并将功耗降低到目前市场现有产品的十分之一,更加适用于超低功率和能量采集应用。  瑞萨利用其独特的SOTB工艺技术开发出能量收集芯片,该芯片可收集20μA/ MHz的低有效电流和150 nA的深度待机电流。 该产品超低功率性能使其可以在端点帮
  • 关键字: SOTBTM  晶圆  
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