- 作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司今日宣布瑞萨电子公司采用Soitec全耗尽绝缘硅(FD-SOI)晶圆产品线专用版，用于其65nm超低功耗SOTBTM工艺生产。至此，瑞萨新型基于SOTBTM技术的芯片克服了物联网设备的能源限制，并将功耗降低到目前市场现有产品的十分之一，更加适用于超低功率和能量采集应用。 瑞萨利用其独特的SOTB工艺技术开发出能量收集芯片，该芯片可收集20μA/ MHz的低有效电流和150 nA的深度待机电流。 该产品超低功率性能使其可以在端点帮
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SOTBTM 晶圆
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