2024 年 2 月 1日，英国滨海克拉克顿：50 多年来一直引领小型化和高性能的舌簧继电器公司 Pickering Electronics 在其单进104 系列干簧继电器系列。以前，要实现 5kV 隔离额定值，需要更大的非 SIP（单列直插式封装）继电器。即使相邻部件之间有足够的间隙空间，四个新的 104 5D 器件所占用的PCB 面积也仅相当于一个较大的同类产品。 Pickering Electronics 的技术专家 Kevin Mallett 评论道：“这是首款微型 SIP
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Pickering 隔离能力 SIP 舌簧继电器
致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）STELLAR-E1系列SR5E1 MCU的汽车OBC和DC/DC评估板方案。图示1-大联大友尚基于ST产品的汽车OBC和DC/DC评估板方案的展示板图当前随着“双碳”目标的不断推进，新能源汽车的市场规模持续提升。在这种背景下，人们对汽车电力系统提出了更高的性能需求和更严格的能效标准。其中，OBC和DC/DC作为关键组件，其功能与质量对于整车的性能和安全性至关重要。对此，大联大友尚基于ST STEL
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大联大友尚 OBC DC/DC评估板
随着新能源汽车(xEV)在乘用车渗透率的逐步提升，车载充电机(OBC)作为电网与车载电池之间的单向充电或双向补能的车载电源设备，也得到了非常广泛的应用。相比车载主驱电控逆变器， 电源类OBC产品复杂度高，如何实现其高功率密度、高可靠性、高效率、高性价比等核心指标的优化与平衡，一直是OBC不断技术迭代与产品革新的方向。在上述OBC与可靠性的背景下，针对车规功率器件在PFC电路中的结温(Tvj)波动与功率循环(PC)寿命的热点应用话题，我们将以系列微信文章的形式，结合英飞凌最新的技术与产品，与大家一起分享。功
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英飞凌 OBC PFC
低功耗无线连接技术专家Nordic拓展无线产品组合，推出用于蜂窝物联网和DECT NR+设施的全新SiP产品。结合全面的开发工具、nRF Cloud服务和世界级技术支持，Nordic致力于为物联网企业提供完备的设计和部署解决方案 挪威奥斯陆 – 2023年6月26日 – Nordic Semiconductor发布支持DECT NR+（"NR+"）的全面端至端蜂窝物联网解决方案，其中包含的新产品是基于屡次获奖的nRF91®系列系统级封装(SiP)所开发的。 Nordic设计、
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Nordic Semiconductor 蜂窝物联网 SiP
在5G、消费电子、车载电子和创新智能应用的带动下，以SiP为代表的新型封装技术逐渐兴起，高可靠性元器件和半导体市场迎来高密度、小型化产品需求的爆发性增长。为满足这些先进制程、先进材料及先进封装的应用和发展，环旭电子发展先进电子元器件失效分析技术，应对SiP微小化产品日益复杂和多样化的需求。失效分析的一般程序分为3个关键步骤：失效模式确认、分析失效机理、验证失效机理和原因，再进一步就是要提出改进措施。失效分析在集成电路产业链中发挥的重要性越来越大。为提高失效分析的成功率，必须借助更加先进和精确的设备与技术，
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环旭电子 失效分析 SiP
2023年4月20日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚集团推出与意法半导体（ST）共同开发的基于STELLAR-E1系列SR5E1芯片的22KW OBC结合3KW DC/DC直流输出汽车充电器方案。 图示1-大联大友尚基于ST产品的22KW OBC结合3KW DC/DC汽车充电器方案的展示板图随着节能环保意识的逐渐提高以及碳中和目标的不断推进，全球汽车产业正加速迈入电气化时代。然而近几年虽然电动汽车的出货量逐年提高，但其续航能力和充电成本始终饱受争议。为
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大联大友尚 OBC DC/DC 汽车充电器
随着新能源汽车产业的迅猛发展，充电安全及技术越发重要，车载充电机（OBC）作为交流充电的关键组成部分，其市场规模随着新能源汽车市场的快速增长而扩大。据中汽协数据，2022年中国新能源汽车销量为688.7万辆，新能源汽车OBC市场规模约为179亿元，到2025年全球OBC市场将达到660亿元，潜力巨大。车载OBC电动车按充电方式可分为：混合动力电动车（HEV），插电式混合动力汽车（PHEV），增程式混合动力汽车（EREV），电池驱动的纯电动汽车（BEV），氢燃料电池的纯电动汽车（FCEV）。其中PHEV、E
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矽力杰 OBC
EV 车载充电器和表贴器件中的半导体电源开关在使用 SiC FET 时，可实现高达数万瓦特的功率。我们将了解一些性能指标。引言在功率水平为 22kW 及以上的所有级别电动汽车 (EV) 车载充电器半导体开关领域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占据明显的优势。UnitedSiC（如今为 Qorvo）SiC FET 具有独特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 级联结构，其效率高于 IGBT，且比超结 MOSFET 更具吸引力。不过，这不仅关乎转换系统的整体损耗。对于 EV 车主来说，成本、尺寸和
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Qorvo OBC SiC
Transphorm将在APEC2023会议上展出该产品(展位#853)。加州戈利塔和台湾新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)与伟诠电子 (Weltrend Semiconductor Inc.，TWSE: 2436)今天宣布双方合作推出首款系统级封装(SiP)的氮化镓电源控制芯片。伟诠电子是用于适配器USB PD的控制器IC的全球领导者之一，新推出的WT7162R
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Transphorm 伟诠 集成式GaN SiP
随着全球对环保问题的重视，在汽车领域，新能源汽车肩负着构建良好生态环境的目的和使命走在了前沿，汽车产业从不同技术路线探索环保之道。电动汽车是新能源汽车的主要技术路线之一，其核心部件车载充电机（OBC）经过几年的发展技术日益成熟。但高效可靠，易于控制，高性价比一直是各家方案商以及零部件供应商持续追求的目标。本方案是品佳集团联合国内高校共同设计，基于Infineon AURIX系列MCU开发的一套OBC方案。首次采用单片MCU完成原本DSP+MCU的运算任务，功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
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Infineon TC233LP AIKW40N65DF5 OBC Aurix IGBT
新能源汽车动力域高压化、小型化、轻型化是大势所趋。更高的电池电压如800V系统要求功率器件具有更高的耐压小型化要求功率拓扑具有更高的开关频率。碳化硅（SiC）作为第三代半导体代表，具有高频率、高效率、小体积等优点，更适合车载充电机OBC、直流变换器 DC/DC、电机控制器等应用场景高频驱动和高压化的技术发展趋势。本文主要针对SiC MOSFET的应用特点，介绍了车载充电机OBC和直流变换器DC/DC应用中的SiC MOSFET的典型使用场景，并针对SiC MOSFET的特性推荐了驱动芯片方案。最后，本文根
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TI MOSFET OBC
汽车行业发展创新突飞猛进，车载充电器（OBC）与DCDC转换器（HV-LV DCDC）的应用因此也迅猛发展，同应对大多数工程挑战一样，设计人员把目光投向先进技术，以期利用现代超结硅（Super Junction Si）技术以及碳化硅（SiC）技术来提供解决方案。在追求性能的同时，对于车载产品来说，可靠性也是一个重要的话题。在车载OBC/DCDC应用中，高压功率半导体器件用的越来越多。对于汽车级高压半导体功率器件来说，门极氧化层的鲁棒性和宇宙辐射鲁棒性是可靠性非常重要的两点。宇宙辐射很少被提及，但事实是无论
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Infineon OBC SiC
半导体制造的工艺过程由晶圆制造（Wafer Fabr ication）、晶圆测试（wafer Probe/Sorting)、芯片封装（Assemble）、测试（Test）以及后期的成品（Finish Goods）入库所组成。半导体器件制作工艺分为前道和后道工序，晶圆制造和测试被称为前道（Front End）工序，而芯片的封装、测试及成品入库则被称为后道（Back End）工序，前道和后道一般在不同的工厂分开处理。前道工序是从整块硅圆片入手经多次重复的制膜、氧化、扩散，包括照相制版和光刻等工序，制成三极管、
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芯片封装 半导体封装 先进封装 BGA WLP SiP 技术解析
今年，环旭电子进入智能穿戴模组领域的第九年，并在先进封装技术的开发方面又登上新台阶。双面塑封和薄膜塑封是环旭电子最新开发的技术，双面塑封实现了模组的最优化设计。薄膜塑封技术的引入，实现了信号连接导出区域的最小化设计，同时可以和其他塑封区域同时在基板的同一侧实现同时作业。一直以来，手机是推动微小化技术的主要动力，如今微小化技术正在多项领域体现其优势，其中智能穿戴领域对微小化技术的需求越来越高。系统级封装技术是为智能手表、蓝牙耳机等新型智能穿戴电子产品提供高度集成化和微小化设计的关键技术。环旭电子不断加强研发
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环旭电子 SiP 可穿戴
英国Pickering Electronics 公司是小型化和高性能舌簧继电器方面的领导厂商，拥有超过50年经验。近日它宣布推出 100HV 系列耐高压单列直插 SIL/SIP 舌簧继电器，提供最高3kV的额定截止电压，且线圈电阻是之前产品的两倍以上。高系列继电器适合应用于变压器、电缆测试，或任何其他要求高电压但低线圈功耗的自动测试设备。 Pickering Electronics公司的技术专家 Kevin Mallett 对新产品作了说明：“100HV系列继电器非常适用于需要切换电源电压的应
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Pickering Electronic SIL/SIP 舌簧继电器
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