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意法半导体发布新抗辐射加固器件，提高航天应用能效

为了进一步扩大航天级抗辐射加固功率器件的产品组合，意法半导体近日推出了新的已通过ESCC（欧洲航天元器件协调委员会）认证的200V和400V功率整流管，以及45V和150V抗SEB[1]效应的肖特基整流管。新推出的抗辐射加固肖特基二极管包括SEB耐量高达61MeV/cm2/mg LET (线性能量传递)的45V和150V产品，这两款产品是业界首款额定SEB的肖特基二极管产品，适用于多种转换器拓扑。150V和45V产品都可以直连100V和28V卫星电源总线。在40A/125°C时，1
关键字： SEB 半导体

功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟

摘要：在分析了单粒子烧毁(SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上，研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线，明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素。仿真研究了单缓冲层结构MOSFET，表明低掺杂缓冲层可提高器件负
关键字：二维数值模拟能力 SEB MOSFET 功率

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seb介绍

SEB是singl event burnout的缩写，中文译为单粒子烧毁 Single event burnout (SEB) is a condition that can cause devicedestruction due to a high current state in a power transistor. SEBcauses the device to fail perma [ 查看详细 ]

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