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隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件设计所需要的一些技巧
- 功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保护,以避免如欠压,缺失饱和,米勒效应,过载,短路等条件所造成的损害。
- 关键字: 隔离驱动IGBT PowerMOSFET ACPL-33xJ
隔离驱动IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧
- 功率器件,如IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等,都需要有充分的保护,以避免如欠压,缺失饱和,米勒效...
- 关键字: 隔离驱动 PowerMOSFET 功率器件
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