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GaN FET让您实现高性能D类音频放大器

  • D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效，从而可实现全定制、高性能的电路设计。宜普电源转换公司(EPC)宣布近日推出EPC9192参考设计，可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器，于接地参考、分离式双电源单端 (SE)设计中发挥200 V eGaN FET器件(EPC2307)的优势，在4Ω负载时，每声道输出功率达700 W。EPC9192是可扩展的模块化设计，其主板配有两个PWM调制器和两个半桥功率级子板，实现具备辅助管理电源和保护功能的双通道放大器。这种设计的灵活性高，使
  • 关键字： GaN FET  D类音频放大器  

测试共源共栅氮化镓 FET

  • Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战　　Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易，因为它很容易发生振荡，并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度，这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cas
  • 关键字： 氮化镓  FET  

贸泽与Vox Power签订全球代理协议为客户提供创新电源解决方案

  • 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子(Mouser Electronics)近日宣布与AC/DC电源和DC/DC转换器知名制造商Vox Power签订全球代理协议。签订协议后，贸泽电子将供应Vox Power的无风扇传导冷却电源。这些可配置、坚固耐用的产品专为医疗、工业和技术市场而设计，可提供适合紧凑空间的高密度解决方案，适用于传统产品无法满足的高要求应用。贸泽供应的NEVO+600模块化可配置电源是一款超小型创新产品，非常适合对尺寸、功率密度和重量提出非常高要求的应用。它的尺
  • 关键字： 贸泽  Vox Power  电源  

IBM + X-POWER + 源卓微纳：以AI会友，共创制造业智能化故事2.0

  • "极致数字化"的时代已然拉开帷幕，全新水平的复杂数据和生成式 AI 的"化学效应"，正在加速提升自动化工作流的智能水平，帮助企业拥有更广泛且有竞争力的业务影响，同时通过实时洞察和决策来加速和扩展企业内部数字化转型的议程。据IBM 商业价值研究院近期针对全球范围内2,000 多名首席级高管开展的一项AI和自动化调研的洞察报告显示，在生成式 AI 采用和数据主导式创新领域处于前沿的企业已经收获了巨大的回报，其年净利润要比其他组织高出 72%，年收入增长率要高出
  • 关键字： IBM  X-POWER  源卓微纳  AI  制造业智能化  

e络盟开售Traco Power 5-50瓦紧凑型封装TMPW系列产品

  • 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟现货发售Traco Power的TMPW 系列超紧凑型直流、交流电源。5-50瓦封装电源采用PCB和机箱安装封装的塑料外壳。机箱安装型号适用于螺丝端子或可选的JST连接器。它们扩展的输入范围 90-305 VAC使其成为众多工业和家庭/建筑应用的理想选择。TMPW系列的其他功能还包括 4000 VAC的I/O隔离电压、-40°C至+70°C的工作温度范围和II级安全认证。此外，内置的EN 55032 B级滤波器可为通常必备的外
  • 关键字： e络盟  Traco Power  电源  

EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET

  • 全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐热QFN封装，顶部裸露，封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。凭借超低导通电阻
  • 关键字： EPC  1mΩ  导通电阻  GaN FET  

适用于自主驾驶车辆LiDAR的GaN FET快速指南

  • 激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中，大多都有人类参与其中，因此人们担心 LiDAR 激光可能会对眼睛造成伤害。为防止此类伤害，汽车 LiDAR 系统必须符合 IEC 60825-1 1 类安全要求，同时发射功率不超过 200 W。通用解决方案一般采用 1 至 2 ns 脉冲，重复频率为 1 至 2 MHz。这很有挑战性，因为需要使用微控制器或其他大型数字集成电路 (IC) 来控制激光二极管，但又不能直接驱动它，这样就必须增加一个栅极
  • 关键字： 自主驾驶  LiDAR  GaN  FET  

Power Integrations推出具有多路独立稳压输出的全新开关IC产品系列——InnoMux-2

  • 美国加利福尼亚州长滩，APEC 2024，2024年2月26日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日今天宣布推出InnoMux-2™系列单级独立稳压的多路输出离线式电源IC。InnoMux-2 IC将AC-DC和后级DC-DC变换级整合到单个芯片中，提供多达三个独立稳压输出，适合于白色家电、工业系统、显示器以及其他需要多组供电电压的应用场景。相较于传统的两级架构，无需使用单独的DC-DC变换级，可减少元件数目，减小PCB
  • 关键字： Power Integrations  开关IC  InnoMux-2  

Power Integrations推出InnoSwitch5离线反激式开关IC

  • 美国加利福尼亚州圣何塞，2024年1月30日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出InnoSwitch™5-Pro系列高效率、可数字控制的反激式开关IC。这款单芯片开关IC采用创新的次级侧控制方式，无需额外使用高成本的专用高压开关即可实现零电压开关(ZVS)，效率超过95%。这款新IC内部集成750V或900V PowiGaN™初级开关、初级侧控制器、FluxLink™隔离反馈功能和具有I2C接口的次级控制器，可
  • 关键字： Power Integrations  InnoSwitch5  离线反激式开关IC  

Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能

  • 中国 北京，2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品，导通电阻值最高可达 60mΩ，非常适合车载充电器、DC/DC 
  • 关键字： Qorvo  SiC FET  电动汽车  

EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管，实现75~231A脉冲电流

  • 宜普电源转换公司（EPC）推出三款激光驱动器电路板，这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板，分别是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化镓器件的体积小30%和更具成本效益。这些电路板专为长距离和
  • 关键字： EPC GaN FET  激光二极管  

Allegro MicroSystems推出双极输出Power-Thru IC,扩展隔离栅极驱动器产品组合

  • 美国新罕布什尔州曼彻斯特 -  运动控制和节能系统传感技术和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems（纳斯达克股票代码：ALGM）（以下简称Allegro）宣布推出高压电源产品组合中的第二款产品。Allegro 的 AHV85111 隔离栅极驱动器 IC 增加了重要的安全功能，同时简化了电动汽车和清洁能源应用（包括 OBC/DC-DC、太阳能逆变器和数据中心电源）中大功率能源转换系统的设计。Allegro 副总裁兼
  • 关键字： Allegro  Power-Thru IC  隔离栅极驱动器  

Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器

  • 美国加利福尼亚州圣何塞，2023年12月12日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可靠的工作。SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能，保护紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏。新驱动器还具有高
  • 关键字： Power Integrations  短路保护  SiC  IGBT模块  门极驱动器  

Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用CCP
  • 关键字： Nexperia  SMD  CCPAK  GaN  FET  

150W DC-DC转换器具有10:1输入范围和延长的掉电保持功能

  • Flex Power Modules推出其PKM7200W系列DC-DC转换器，它们具有16-160 V（185 V/1秒）超宽输入范围，适用于全球的铁路相关应用。在仅为62 x 40 x 13 mm（2.44 x 1.57 x 0.51英寸）的小巧尺寸下可提供150 W的连续输出功率，输出电压有12 V、24 V或54 VDC全稳压单输出可选。该器件的效率高达89%，并具有4 kVDC隔离功能，同时满足EN 50155标准对于铁路应用的要求，以及IEC/EN/UL 62368-1标准对于IT和音/视频应
  • 关键字： DC-DC转换器  掉电保持  Flex Power Modules  
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