多年来，各大厂商多年来孜孜不倦地追求闪存更高层数和内存更先进制程。现代社会已经进入大数据、物联网时代——一方面，数据呈爆炸式增长，芯片就必须需要具备巨大的计算能力 ；另一方面，依据传统摩尔定律微缩的半导体技术所面临的挑战越来越大、需要的成本越来越高、实现的性能提高也趋于放缓。应用材料公司金属沉积产品事业部全球产品经理周春明博士说：「DRAM、SRAM、NAND 这些传统的存储器，已经有几十年历史了，它们还在一直在向前发展，不断更新换代，尺寸越来越小，成本越来越低，性能越来越强。」但是已经开始出现无法超越的
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MRAM ReRAM PCRAM
在如此庞大的资料储存、传输需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷，且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下，驱使半导体产业转向发展更高储存效能、更低成本同时又可以朝制程微缩迈进的新兴记忆体。
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存储技术 MRAM RRAM PCRAM
“非易失性存储器”作为新一代国际公认存储技术，越来越受到世界各国高度重视。从7日在沪召开的第十一届非易失性存储器国际研讨会上获悉，上海在这一领域的研究已跻身国际先进水平。
与易失性存储器相比，非易失性存储器具有高速、高密度、可微缩、低功耗、抗辐射、断电后仍然能够保持数据等诸多优点。随着技术发展，非易失性存储器分为相变存储器、磁性存储器、电阻式存储器、铁电存储器等诸多类型。
中国科学院上海微系统所、中芯国际、micro-chip是产学研结合的团队，一直致力于研究我国自
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中芯国际 PCRAM
固态硬盘产业虽然风生水起，但受限于各种因素，短期内还无法取代机械硬盘，而最新研究给出的结论是固态硬盘将永无出头之日。《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术，看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘，结果选出了两个最有希望的候选 者：相变随机存取存储(PCRAM)、自旋极化随机存取存储(STTRAM)。
PCRAM我们偶尔
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Intel 存储芯片 PCRAM
pcram介绍
称为相变存储器：
相变存储器利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。
初次听到"相变"这个词,很多读者朋友会感到比较陌生.其实,相(phase)是物理化学上的一个概念,它指的是物体的化学性质完全相同,但是物理性质发生变化的不同状态.例如水有三种不同的状态,水蒸气(汽相)，液态水（液相）以及固态水（固相）。物质从一种相变成另外一种相的过程叫做‘相变’例如水从液态转 [
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