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现代半导体获Ovonyx授权 加入PRAM研发阵营

  • PRAM内存的处理速度远远快于闪存,理论上其写入数据速度是普通闪存芯片的30倍,保守也可达到10倍以上,而且尺寸也比闪存小很多,从而使未来高密度非易失性存储器以及功能更强大的电子设备的出现成为可能。 三星电子、IBM、奇梦达、意法半导体以及英特尔公司,都在积极进行PRAM存储产品的研发。 全球最大的存储芯片制造商三星公司称,PRAM产品的生产流程也比NOR flash产品简单许多,三星公司于去年开发出了512MB的PRAM产品,预计最早可在2008年实现量产。 此外,IBM与多家内存厂商合作,共同开发出一
  • 关键字: 模拟技术  电源技术  现代  Ovonyx  PRAM  MCU和嵌入式微处理器  

Ovonyx与奇梦达签订相变内存技术许可协议

  • Ovonyx公司与奇梦达股份公司(NYSE:QI)宣布,双方就采用Ovonyx和奇梦达的相变随机存取存储器(PCRAM)相关技术专利及知识产权的内存产品,签订长期交叉许可协议。根据该协议规定,Ovonyx公司将大力支持奇梦达相变内存产品开发项目。 Ovonyx与其最大的股东Energy Conversion Devices发明并率先开发了PCRAM技术,对PCRAM的情况非常了解,包括相变内存设备、材料、加工、设计、模型制造和性能优化。Ovonyx PCRAM技术采用可逆相变
  • 关键字: Ovonyx  单片机  奇梦达  嵌入式系统  相变内存技术  许可协议  存储器  
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