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三星1000层NAND目标,靠它实现

  • 三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期,V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出,三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)实现目标,且可能是关键。目前,三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器,而据业内消息,三星计划于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆叠技术,堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑,为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是,KAIST的研究
  • 关键字: 三星  NAND  Flash  

三星1000层NAND目标,靠它实现?

  • 三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期,V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出,三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)实现目标,且可能是关键。目前,三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器,而据业内消息,三星计划于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆叠技术,堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑,为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是,KAIST的
  • 关键字: 三星  1000层  NAND  

SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 4.0”

  • · 作为业界最高性能产品,将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机· 与前一代产品相比,长期使用所导致的性能下降方面实现大幅改善,其使用寿命也提升40%· “继HBM后,也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场”2024年5月9日,SK海力士宣布,公司开发出用于端侧(On-Device)AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**(Zoned UFS)4.0”。SK海力士表示:“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品,其产品实现业界最高
  • 关键字: SK海力士  AI  存储  NAND  

SK海力士试图用低温蚀刻技术生产400多层的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蚀刻工具有独特的性能。
  • 关键字: SK海力士  3D NAND  

第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%;NAND Flash约15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%,全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小,约10%。403地震发生前,TrendForce集邦咨询原先预估,第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%;NAND Flash为13~18%,相较第一季涨幅明显收敛,当时从合约价先行指标的现货价格就可看出,现货价已出现连续走弱,上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因,主要是除了AI以外的终端需求不振,尤其笔电、智能手机
  • 关键字: DRAM  NAND Flash  TrendForce  

累计上涨100%还不停!消息称SK海力士将对内存等涨价 至少上调20%

  • 5月6日消息,供应链爆料称,SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价,涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法,海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调,目前已累计上涨约60%-100%不等,下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价,三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示,三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元,环比增长11%,同比暴涨96%,在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示,一季度存储市场总体需求强劲,特别是生
  • 关键字: SK海力士  三星  DDR5  NAND Flash  上涨  

美光率先量产面向客户端和数据中心的200+层QLC NAND产品

  • Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,美光232层QLC NAND现已量产,并在部分 Crucial 英睿达固态硬盘(SSD)中出货。与此同时,美光 2500 NVMeTM SSD 也已面向企业级存储客户量产,并向 PC OEM 厂商出样。这些进展彰显了美光在 NAND 技术领域的长期领导地位。美光 232 层 QLC NAND 可为移动
  • 关键字: 美光  QLC NAND  

群联3月营收年增73%,创历史单月新高纪录

  • 近日,存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果,合并营收为新台币67.75亿元,年成长达73%,刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元,年成长达64%,为历史同期次高。群联表示,2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%,其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%,刷新历史单月新高。此外,全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率(Bit Growth Rate)也达80%,刷新历史同期新高,显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
  • 关键字: 群联  SSD固态硬盘  NAND Flash  

3D NAND,1000层竞争加速

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字: NAND Flash  存储芯片  铠侠  

3D NAND,1000层竞争加速!

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字: 3D NAND  集邦咨询  

第二季NAND Flash合约价季涨13~18%,Enterprise SSD涨幅最高

  • TrendForce集邦咨询表示,除了铠侠(Kioxia)和西部数据(WDC)自今年第一季起提升产能利用率外,其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑,但整体市场氛围持续受供应商库存降低,以及减产效应影响,预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。eMMC方面,中国智能手机品牌为此波eMMC最大需求来源,由于部分供应商已降低供应此类别产品,中国模组厂出货大幅提升。买方为了满足生产需求开始扩大采用模组厂方案,助益中国模组厂技术进一步升级及
  • 关键字: TrendForce  NAND Flash  Enterprise SSD  

西部数据NAND Flash业务拆分最新进展,新任CEO揭晓

  • 月5日,西部数据宣布,在NAND Flash业务拆分后,将保留原名,专注经营核心HDD业务,并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。与此同时,将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命CEO。西部数据称,现任西部数据全球运营执行副总裁 Irving Tan 将出任剩下的独立 HDD公司的CEO,继续以西部数据的身份运营。现任CEO David Goeckeler则受命转往NAND Flash部门成立的新公司,出任新公司执行长。图片来源:西部数据西部数据与铠侠合并进展如何?据悉,自2021年以来,西部数据及
  • 关键字: 闪存芯片  NAND Flash  西部数据  

2023Q4 NAND 闪存行业产值环比增长 24.5%:三星增长 44.8% 居首位

  • IT之家 3 月 6 日消息,集邦咨询近日发布市场研究报告,表示 2023 年第 4 季度 NAND 闪存产值 114.9 亿美元,环比增长 24.5%,2024 年第 1 季度 NAND 产值将继续保持上涨,预估环比会继续增长两成。三星第四季营收以三星(Samsung)增长幅度最高,主要是服务器、笔记本电脑与智能手机需求均大幅增长。三星该季度出货量环比增加 35%,平均销售价格环比增加 12%,带动营收上升至 42 亿美元,环比增加 44.8%。SK 集团SK 集团(SK Group)受惠于价
  • 关键字: NAND 闪存  存储  市场分析  

1年利润暴跌84.9%!三星乐观 今年业绩回暖:存储涨价是开始

  • 2月1日消息,存储一哥三星2023年的日子不太好过,全年利润暴跌84.9%,确实没办法,不过他们保持乐观态度。2023年IT市场整体低迷,尤其是存储芯片价格暴跌的背景下,三星全年营收为258.94万亿韩元,同比减少14.3%;营业利润为6.57万亿韩元,同比下滑84.9%。按照三星的说法,2024年上半年业绩会回暖,其中以存储产品价格回暖最为明显,相关SSD等产品涨价不会停止,只会更猛烈。NAND芯片价格止跌回升后,目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到损益两平点有一段差距。国内重量级NAN
  • 关键字: 存储  三星  镁光  海力士  NAND  

一季度 NAND Flash合约价预计上涨15%-20%

  • 供应商为了尽量减少损失,正在推高 NAND Flash 价格。
  • 关键字: NAND Flash  
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nand介绍

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]

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