- NandFLASH和NorFLASH接口设计和驱动开发,0 引 言
随着嵌入式系统的迅速发展，其应用环境的广泛性，复杂性对构建于系统上的Nor和Nand闪存设备提出更高要求，需要闪存设备传输速度更快，体积更小，容量更大，稳定性更好。该文在基于Samsung公司的S3C2410
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NandFLASH NorFLASH 接口设计 驱动开发
- 2017年台系半导体封测产业呈现营运逐季升温趋势，封测业者表示，在最大宗的移动通讯应用领域，由于iPhone新品姗姗来迟，加上台系IC设计大厂联发科等调整战略，以及整合面板触控IC(TDDIIC)等新品第4季量能才大增，能够守稳功率元件如MOSFET、PMIC、车用MCU、NORFlash、DRAM、MEMS传感器、CMOS传感器的二线封测厂如欣铨、捷敏、华东、矽格、逸昌、菱生等，营运表现相对于一线业者更为突出，而台积电旗下精材、鸿海旗下讯芯，则是市场看好未来营运具有转机的潜力业者。
半导体业者
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封测 NORFlash
- VDRF256M16是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的NOR FLASH，可利用其对大容量数据进行高速缓存。文中介绍了该芯片的结构和原理，并同时给出了一个系统中大容量、高速数据传输要求的设计方案。
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大容量 存储 NORFlash
- 引 言Flash存储器又称闪速存储器，是20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发存储器。它兼有RAM和ROM的特点，既可以在线擦除、改写，又能够在掉电后保持数据不丢失。NOR Flash是Flash存储器中最早出现的一
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设计 接口 单片机 NORFlash 大容量
- NandFLASH和NorFLASH接口设计和驱动开发,0 引 言
随着嵌入式系统的迅速发展，其应用环境的广泛性，复杂性对构建于系统上的Nor和Nand闪存设备提出更高要求，需要闪存设备传输速度更快，体积更小，容量更大，稳定性更好。该文在基于Samsung公司的S3C2410
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驱动 开发 设计 接口 NorFLASH NandFLASH
norflash介绍
NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同主要表现在：
1) 闪存芯片读写的基本单位不同
应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对N AN D芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页 [
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