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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术

  • 3 月 27 日消息,据荷兰媒体 Bits&Chips 报道,ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术,运行效率得以提升。根据IT之家之前报道,NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装,可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量,相较以往机型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技术 High-NA(高数值孔径) EUV 采用了更宽的光锥,这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽,会导致影响晶圆吞吐量的光损失。
  • 关键字: ASM  NXE:3800E EUV  光刻机  High-NA  

英特尔拿下首套High-NA EUV,台积电如何应对?

  • 英特尔(intel)近日宣布,已经接收市场首套具有0.55数值孔径(High-NA)的ASML极紫外(EUV)光刻机,预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。 相较之下,台积电则采取更加谨慎的策略,业界预计台积电可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。业界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,这也是台积电暂时观望的原因,台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术,以确保产品竞争力。Hig
  • 关键字: 英特尔  High-NA EUV  台积电  

ASML:数值孔径0.75超高NA EUV光刻设备2030年登场

  • 据日本媒体报导,光刻机设备龙头阿斯麦(ASML)执行副总裁Christophe Fouquet近日在比利时imec年度盛会ITF World 2023表示,半导体产业需要2030年开发数值孔径0.75的超高NA EUV光刻技术,满足半导体发展。Christophe Fouquet表示,自2010年以来EUV技术越来越成熟,半导体制程微缩至2020年前后三年,以超过50%幅度前进,不过速度可能会在2030年放缓。故ASML计划年底前发表首台商用High-NA(NA=0.55)EUV微影曝光设备(原型制作),
  • 关键字: ASML  NA  EUV  光刻设备  

可穿戴与IoT用DC/DC:如何实现纳安级消耗电流?  

  • 可穿戴等市场发展快。DC/DC转换器成为影响这些产品电池寿命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超轻载消耗电流只有180 nA,通过电路、布局和工艺实现。
  • 关键字: 可穿戴  DC/DC  降压型  轻载  nA  201804  

Nokia 诺基亚 Lumia 710 智能手机拆解

  • Lumia710是诺基亚第一批WP7手机中的一款,相对Lumia800,主要配置相近,但价格便宜一些。其基于Windows Phone 7.5操作系统,诺基亚方面也提供了一些非常实用的应用程序。Lumia710采用高通MSM8255处理器[主频官方标称1.4GHz],搭配512MB内存,机身内置存储器大小为8G,ClearBlack TFT 多点触摸屏分辨率为480*800,电池可拆卸,后摄像头为500万像素,……按照惯例,我们对其进行可逆拆解,但其内部的屏蔽罩均焊死,无法看到芯片,颇为遗憾。Soomal
  • 关键字: Nokia  诺基亚  Lumia  710  智能手机  

电流-频率转换电路--1NA~100UA转0.1HZ~10KHZ

  • IIN/C1(V/S),1UA电流为10的负6次方/800*10的负12次方=1.25*10的6次方V/S,穿越-5.6~+5.6V的时间林约是9MS,频率为111HZ。实际上必须加上上升时间,所以振荡频率大约为100HZ。 因为C1的微调很困难,所以允许A2的正
  • 关键字: 100  0.1  KHZ  NA    

尼康NA超过1的液浸设备半导体商正式采用

  •  尼康日前正式宣布,2006年1月已向大型半导体厂商供应用于55nm工艺(hp55)芯片制造、开口数(NA)为1.07的液浸ArF曝光设备“NSR-S609B”。这是全球首次供应NA超过1的液浸ArF曝光设备。    这家大型半导体厂商的名字,尼康没有公布,估计是过去在技术方面与之开展合作的东芝。    作为全折射型液浸曝光设备,NSR-S609B具有全球最大的NA,配合偏光照明技术,能够实现很高的分辨率。对于液浸产生的缺陷和重合不稳定性的问题,据称利用名为“Local-fill(局部
  • 关键字: NA  尼康  嵌入式系统  
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