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MOS管基础及选型指南

  • MOS管,即金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件。和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。▉ 场效应管分类场效应管分为结型(JFET)和金属-氧化物-半导体型(MOSFET)两种类型。JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor,也
  • 关键字: MOS管  无源器件  模拟电路  

MOS管的三个极怎么判定?

  • 相信很多工程师在使用电子测量仪器的时候大家都了解MOS管,下面一起看看MOS管究竟是什么。1. MOS的三个极怎么判定?MOS管符号上的三个脚,辨认要抓住关键地方 :G极,不用说比较好认。S极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是。D极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边。2. 是N沟道还是P沟道?三个脚的极性判断完后,接下就该判断是P沟道还是N沟道了:当然也可以先判断沟道类型,再判断三个脚极性。判断沟道之后,再判断三个脚极性。3. 寄生二极管的方向如何判定?接下来,是寄生二极管的方向判断:它的
  • 关键字: MOS管  电路设计  模拟电路  

MOS驱动好不好,波形一看就知道

  • 如何从MOS管的驱动波形来判断驱动好不好,到底是哪里出了问题?本文分享几种常见的MOS管驱动波形。基础知识一般认为三极管是电流驱动型,所以驱动三极管,要在基极提供一定的电流。一般认为MOS管是电压驱动型,所以驱动MOS管,只需要提供一定的电压,不需要提供电流。实际是这样吗?由于MOS管的制作工艺,决定了本身GS之间有结电容以及GD之间有弥勒电容,DS也有寄生电容,这使得MOS管的驱动变得不那么简单。备注:如下图为软件绘制,示意图仅供参考,便于理解。1、MOS正常驱动波形描述:MOS一般是慢开快关,上升沿相
  • 关键字: MOS管  电路设计  

MOS(场效应管)最常用的方法

  • MOS管使用方法1、NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);2、PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高)。1、使用NMOS当下管,S极直接接地(为固定值),只需将G极电压固定值6V即可导通;2、若使用NMOS当上管,D极接正电源,而S极的电压不固定,无法确定控制NMOS导通的G极电压,因为S极对地的电压有两种状态,MOS管截止时为低电平,导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是
  • 关键字: MOS管  电路设计  

为什么MOS管需要提升关断速度?如何解决这个问题?

  • 今天咱们来聊聊为啥mos管开关得快点儿,还有怎么才能快点开关。mos管驱动有几种方法,我们知道,其中有一种是用专门的驱动芯片驱动,我们就以这个驱动设计为主。说起mos管关断,通常电压会比开通时高,所以关断的损失也会比开通时大,所以我们自然希望电路关断的速度能更快些。那么,咱咋能让mos管快些开关呢?咱们看看这张图在mos管开通时,电阻R1和R4限制了电流,这样就能给mos管电容充电;要注意的这儿,R1和R4的电阻值并非固定,而且,R1通常小于R4。当mos管关断时,R4电阻上的电压被限制在0.7V,一旦超
  • 关键字: MOS管  电路设计  

MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算

  • **1. 关于MOS管的极限参数说明:**在以上图中,我们需要持续关注的参数主要有:a. **ID(持续漏极电流)**:该参数含义是mos可以持续承受的电流值,在设计中,产品的实际通过电流值应远小于该值,至少应小于1/3以下,例:该mos管的使用持续电流应小于50A。b. **PD(mos管的最大耗散功率)**:该参数是指设计中,实际通过mos管的电流与漏源两端的电压差值乘积,不应大于该值。 所以该值的很大程度取决于mos管中实际流过的电流值。c. **Vgs(栅源电压范围)**:该值表示在mos管的实际
  • 关键字: MOS管  电路设计  

碳化硅MOS管在三相逆变器上的应用

  • 三相逆变器的定义是将直流电能转换为交流电能的转换器,其基本原理就是SPWM,硬件架构为四个功率模块组成单相、三相桥式电路,桥式输出至负载间串接低通滤波元件,控制回路具有两个信号产生源,一个是固定幅值的三角波(调制波)发生器,一个为正弦波发生器,利用三角波对正弦波进行调制,就会得到占空比按照正弦规律变化的方波脉冲列,调制比不同,一个正弦周期脉冲列数等于调制波频率除以基博频率)。再用方波脉冲列去控制上述桥式电路,在输出上就得到了符合要求的正弦电压电流了。一、前言 三相逆变是指转换出的交流电压为三相,
  • 关键字: RS瑞森半导体  碳化硅  MOS管  

MOS管G极与S极之间的电阻作用

  • MOS管具有三个内在的寄生电容:Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现(规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替)。MOS管之所以存在米勒效应,以及GS之间要并电阻,其源头都在于这三个寄生电容。MOS管内部寄生电容示意IRF3205寄生电容参数1.MOS管的米勒效应MOS管驱动之理想与现实理想的MOS管驱动波形应是方波,当Cgs达到门槛电压之后, MOS管就会进入饱和导通状态。而实际上在MOS管的栅极驱动过程中,会存在一个米勒平台。米勒平台实际上就是MOS管处于“放大区”的
  • 关键字: MOS管  

MOS管驱动电路设计

  • MOS管因为其导通内阻低,开关速度快,因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管,其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。电源IC直接驱动电源IC直接驱动是最简单的驱动方式,应该注意几个参数以及这些参数的影响。· 查看电源IC手册的最大驱动峰值电流,因为不同芯片,驱动能力很多时候是不一样的。· 了解MOS管的寄生电容,如图C1、C2的值,这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大,MOS管导通的需要的能量就比较大,如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流,那么管子导通的速度就比较慢,就达
  • 关键字: MOS管  驱动  电路  设计  

MOS管系列在服务器电源上的应用

  • 服务器电源是指使用在服务器上的电源(POWER),它和PC电源一样,都是一种开关电源,指能够将交流电转换为服务器所需直流电的电源。一、前言 服务器电源是指使用在服务器上的电源(POWER),它和PC电源一样,都是一种开关电源,指能够将交流电转换为服务器所需直流电的电源。服务器电源按照标准可以分为ATX电源和SSI电源等。ATX标准使用较为普遍,主要用于台式机、工作站和低端服务器;而SSI标准是随着服务器技术的发展而产生的,适用于各种档次的机架式服务器。 二、产品应用及工作原理 
  • 关键字: 瑞森半导体  MOS管  

MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行

  • MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了?MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种类型:电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。MOS管被击穿的原因及解决方案?· MOS管本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应
  • 关键字: MOS管  电阻  静电  

MOS管驱动电路设计,如何让MOS管快速开启和关闭?

  • 关于MOS管驱动电路设计,本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET(MOS管)是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS管的G极和S极之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结电容,电感为电路走线的寄生电感:如果不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话,MOS管开关速度越快越好。因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分,因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。怎么做到MOS管的快速开启和关闭呢?对于一个
  • 关键字: MOS管  驱动电路  设计  

【干货】抛开教材,从实用的角度聊聊MOS管

  • 我们把单片机的一个IO口接到这个MOS管的gate端口,就可以控制这个灯泡的亮灭了。当然别忘了供电。当这个单片机的IO口输出为高的时候,NMOS就等效为这个被闭合的开关,指示灯光就会被打开;那输出为低的时候呢,这个NMOS就等效为这个开关被松开了,那此时这个灯光就被关闭,是不很简单。当说到MOS管的时候呢,你的脑子里可能是一团糨糊的。DIAN CHAO在大部分的教材里都会告诉你长长的一段话:MOS管全称金属氧化半导体场效应晶体管,英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Eff
  • 关键字: MOS管  

晶体管、MOS管、IGBT辨别与区分

  •   晶体管、MOS管、IGBT管是常见的电力电子控制器件。电流触发晶体管只能控制开启,不能控制关闭属于半可控件;电压触发MOS管、IGBT管既可以控制开启,也可以控制关断属于全可控件。搞懂控件的特点对电力电子器件维修尤为重要,小编根据所学及理解做如下总结,希望能给大家一些帮助。一、晶闸管  1、别名:可控硅是一种大功率半导体器件,常用做交流开关,触发电流>50毫安  2、特点:体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大、耐高压、耐大电流、大功率  3、主要应用领域:整流、逆变、变频、斩波(直流-
  • 关键字: IGBT  晶体管  MOS管  

PFC电路MOS管应用电路振荡问题分析

  • 本文介绍了传统PFC电路MOS管在应用过程中产生振荡的机理,通过具体的案例详细分析了因MOS振荡引起损坏的原因,并结合实际应用给出具体的解决措施和方案,通过实验及大批量的生产验证表明,措施有效,稳定且可靠,对PFC电路MOS管应用电路及参数匹配具有重要的借鉴和参考意义。
  • 关键字: 202008  PFC电路  MOS管  振荡  MOSFET  202008  
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mos管介绍

  mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。   双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transc [ 查看详细 ]

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