来自专栏芯片基础课说来惭愧,大二学了一遍模电数电,考研专业课又学了一遍模电数电,但拿到如下这张mos管结构图,让我立马说出:【这是什么型mos管,标准符号衬底的箭头指向哪里,简化符号栅极有没有小圆圈,衬底该接高接低,栅极高电平导通还是低电平导通,导通电流方向是什么】的答案,时不时还真有点卡壳。这真的不能怪我们,是真的太绕了,比如PMOS管栅极居然是低电平有效,简化图上输入带圈,这真的太反人性了。今天就用一篇文章把这些关系彻底理顺,开始吧!首先,你应该已经懂得:硅中参杂电子多的话,会在那里写个N,参杂空穴多
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模拟电路 MOS
MOS 管在逆变电路,开光电源电路中经常是成对出现,习惯上称之为上管和下管,如图Figure 1中的同步Buck 变换器,High-side MOSFET 为上管, Low-side MOSFET为下管.如果上管和下管同时导通,就会导致电源短路,MOS 管会损坏,甚至时电源损坏,这种损坏是灾难行动,必须避免.由于MOS 的开通和关断都是有时沿的,为了避免上管和下管同时导通,造成短路现象,从而引入了死区的概念,也就是上下管同时关断的区间,如图Figure2 中的E 和 F.死区E---tDf: 上
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MOS 管 逆变电路
一、变频器的定义及应用领域 变频器的定义变频器是应用变频技术与微电子技术,通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流(交流变直流)、滤波、逆变(直流变交流)、制动单元、驱动单元、检测单元、微处理单元等组成。变频器的应用领域钢铁、轧钢制线、电力、石油、造纸业等。变频器的作用1、调整电机的功率,实现电机的变速运行,达到省电的目的。2、降低电力线路中电压的波动,避免一旦电压发生异常而导致设备的跳闸或者出现异常运行的现象。3、减少对电网的冲击,从而有效地减少无功损耗,增
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RS瑞森半导体 MOS 变频器
单相离线式不间断电源只是备援性质的UPS,市电直接供电给用电设备再为电池充电,一旦市电供电品质不稳或停电时,市电的回路会自动切断,电池的直流电会被转换成交流电接手供电的任务,直到市电恢复正常。UPS只有在市电停电了才会介入供电,不过从直流电转换的交流电是方波,只限于供电给电容型负载,如电脑和监视器等。一、前言 单相离线式不间断电源只是备援性质的UPS,市电直接供电给用电设备再为电池充电,一旦市电供电品质不稳或停电时,市电的回路会自动切断,电池的直流电会被转换成交流电接手供电的任务,直到市电恢复正
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MOS
功率MOSFET最常用于开关型应用中,发挥着开关的作用。然而,在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中,当栅极到源极的电压VGS为零时,功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=0V时作为常 "开 "开关的功率MOSFET,称为耗尽型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于开关型应用中,发挥着开关的作用。然而,在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中,当栅极到源极的电压VGS为零
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MOSFET MOS
在开关电源应用MOS管的时候,在很多电源设计人员的都将采用一套公式,质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。在开关电源应用MOS管的时候,在很多电源设计人员的都将采用一套公式,质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。那么栅极电荷和导通阻抗很重要,这都是对电源的效率有直接的影响,主要是传导损耗和开关损耗。还有在电源中第二重要的是MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOS管在ORing F
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MOS
学习模拟电子技术基础,和电子技术相关领域的朋友,在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管(MOS管)了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢?在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢?学习模拟电子技术基础,和电子技术相关领域的朋友,在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管(MOS管)了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢?在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢?首先我们明确一下二者的概念三极管:全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控
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功率放大器 MOS
MOS 晶体管正在按比例缩小,以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少,进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下,漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。MOS 晶体管正在按比例缩小,以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少,进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下,漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。在我们尝试了解各种漏电流成
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MOS 晶体管
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。第一种:雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路:第二种:器件发热损坏由超出安全区域引
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MOS
用过MOS管的小伙伴都知道,其内部有一个寄生二极管,有的也叫做体二极管。PMOS管做开关用,S极作电源输入,D极作输出,当Vsg大于阈值电压,MOS管导通,一般MOS管的导通内阻都很小,毫欧级别,过几安培的电流,压降也才毫伏级别,此时体二极管是截至状态的。用过MOS管的小伙伴都知道,其内部有一个寄生二极管,有的也叫做体二极管。1、PMOS管做开关用,S极作电源输入,D极作输出,当Vsg大于阈值电压,MOS管导通,一般MOS管的导通内阻都很小,毫欧级别,过几安培的电流,压降也才毫伏级别,此时体二极管是截至状
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MOS 二极管
安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。 数十年来,硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓(GaAs)和砷化镓、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体,它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势。作为解决方案出现的两个化合物半导体器件是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率电晶体。这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器
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NCP51820 安森美 半导体 电源供应器 GaN MOS Driver
晶体管是一个简单的组件,可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中,将带你了解晶体管是如何工作的,以便你可以在后面的电路设计中使用它们。 一旦你了解了晶体管的基本知识,这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管:BJT和MOSFET。 晶体管的工作原理就像电子开关,它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关,晶体管类似于继电器,因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开,这对于放大器的设计很有用。晶体管是一个简单的组件,可以使用它来构建许多有
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放大器 晶体管 MOS BJT
开关电源(Switch Mode Power Supply,简称SMPS),又称交换式电源、开关变换器,是电源供应器的一种高频化电能转换装置,也是一种以半导体功率器件为开关管,控制其关断开启时间比率,来保证稳定输出直流电压的电源。开关电源(Switch Mode Power Supply,简称SMPS),又称交换式电源、开关变换器,是电源供应器的一种高频化电能转换装置,也是一种以半导体功率器件为开关管,控制其关断开启时间比率,来保证稳定输出直流电压的电源。在目前电子产品的飞速增长中,开关电源凭借其70%~
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瑞森半导体 MOS 开关电源
极限TP4057充电模块TP4057是一款单节锂电池专用的恒流/恒压线性充电IC,其内部带有电池反接保护及防倒充电路。该充电IC的工作电压范围为4~6V,静态工作电流仅有40μA模块尺寸8x10mm。集成锂电保护和指示灯。可作为SMT贴片模块使用贴装在其他主板上
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充电IC TP4054 TP4056 TP4057 电源管理IC MOS
随著USB PD产品的广泛应用与普及化,Infineon推出全新数位共振返驰式PWM电源控制芯片,此一架构除较现行客户常使用之ACF架构更具竞争力,在电路设计上相对容易,还可减少元件数量,且数位化的设计界面可满足不同输出瓦数的产品应用,提高在设计上的灵活度与可靠性。同时搭配Cypress PD控制芯片,借由数位控制与参数设定功能来改变输出电压,藉以符合各种不同产品的应用。同时Infineon共振返驰式电源芯片在与Cypress PD控制芯片,可大幅度提高效率与功率密度的表现,更可以减少客户的产品设计与开发
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Infineon Mos Charger AdapterXDPS2201 CYPD3174
mos介绍
MOS
金属氧化物半导体
MOS
metal-oxide semiconductor
以衬底材料氧化物为绝缘层的金属-绝缘层-半导体结构。对于硅衬底来说,绝缘层是二氧化硅(SiO2)。场效应晶体管、电容器、电阻器和其他半导体设备都是用这种结构制造。MOS工艺包括CMOS,DMDS,NMOS,PMOS。
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