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mos—fet 文章 进入mos—fet技术社区

EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET

  • 全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET,与EPC的上一代产品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐热QFN封装,顶部裸露,封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。凭借超低导通电阻
  • 关键字: EPC  1mΩ  导通电阻  GaN FET  

适用于自主驾驶车辆LiDAR的GaN FET快速指南

  • 激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中,大多都有人类参与其中,因此人们担心 LiDAR 激光可能会对眼睛造成伤害。为防止此类伤害,汽车 LiDAR 系统必须符合 IEC 60825-1 1 类安全要求,同时发射功率不超过 200 W。通用解决方案一般采用 1 至 2 ns 脉冲,重复频率为 1 至 2 MHz。这很有挑战性,因为需要使用微控制器或其他大型数字集成电路 (IC) 来控制激光二极管,但又不能直接驱动它,这样就必须增加一个栅极
  • 关键字: 自主驾驶  LiDAR  GaN  FET  

Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET,提升 750V 电动汽车设计性能

  • 中国 北京,2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布一款符合车规标准的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品;在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品,导通电阻值最高可达 60mΩ,非常适合车载充电器、DC/DC 
  • 关键字: Qorvo  SiC FET  电动汽车  

彻底弄清MOS管 (NMOS为例

  • 来自专栏芯片基础课说来惭愧,大二学了一遍模电数电,考研专业课又学了一遍模电数电,但拿到如下这张mos管结构图,让我立马说出:【这是什么型mos管,标准符号衬底的箭头指向哪里,简化符号栅极有没有小圆圈,衬底该接高接低,栅极高电平导通还是低电平导通,导通电流方向是什么】的答案,时不时还真有点卡壳。这真的不能怪我们,是真的太绕了,比如PMOS管栅极居然是低电平有效,简化图上输入带圈,这真的太反人性了。今天就用一篇文章把这些关系彻底理顺,开始吧!首先,你应该已经懂得:硅中参杂电子多的话,会在那里写个N,参杂空穴多
  • 关键字: 模拟电路  MOS  

EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管,实现75~231A脉冲电流

  • 宜普电源转换公司(EPC)推出三款激光驱动器电路板,这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板,分别是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化镓器件的体积小30%和更具成本效益。这些电路板专为长距离和
  • 关键字: EPC GaN FET  激光二极管  

MOS 管的死区损耗计算

  • MOS 管在逆变电路,开光电源电路中经常是成对出现,习惯上称之为上管和下管,如图Figure 1中的同步Buck 变换器,High-side MOSFET 为上管, Low-side MOSFET为下管.如果上管和下管同时导通,就会导致电源短路,MOS 管会损坏,甚至时电源损坏,这种损坏是灾难行动,必须避免.由于MOS 的开通和关断都是有时沿的,为了避免上管和下管同时导通,造成短路现象,从而引入了死区的概念,也就是上下管同时关断的区间,如图Figure2 中的E 和 F.死区E---tDf: 上
  • 关键字: MOS 管  逆变电路  

超高压MOS在变频器上的应用

  • 一、变频器的定义及应用领域 变频器的定义变频器是应用变频技术与微电子技术,通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流(交流变直流)、滤波、逆变(直流变交流)、制动单元、驱动单元、检测单元、微处理单元等组成。变频器的应用领域钢铁、轧钢制线、电力、石油、造纸业等。变频器的作用1、调整电机的功率,实现电机的变速运行,达到省电的目的。2、降低电力线路中电压的波动,避免一旦电压发生异常而导致设备的跳闸或者出现异常运行的现象。3、减少对电网的冲击,从而有效地减少无功损耗,增
  • 关键字: RS瑞森半导体  MOS  变频器  

Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件,该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装,为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型值)的氮化镓场效应管,采用CCP
  • 关键字: Nexperia  SMD  CCPAK  GaN  FET  

FET 生物传感器的直流I-V 特性研究

  • 由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点,对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管,它们被广泛用于各种应用:如生物研究,即时诊断,环境应用,以及食品安全。生物场效应管将生物响应转换为分析物,并将其转换为可以使用直流I-V技术轻松测量的电信号。输出特性 (Id-Vd)、传输特性 (Id-Vg) 和电流测量值相对于时间 (I-t) 可以与分析物的检测和幅度相关。根据设备上的终端数量,可以使用多个源测量单元(SMU) 轻松完成这些直流
  • 关键字: 泰克科技  FET  生物传感器  

高压MOS/低压MOS在单相离线式不间断电源上的应用

  • 单相离线式不间断电源只是备援性质的UPS,市电直接供电给用电设备再为电池充电,一旦市电供电品质不稳或停电时,市电的回路会自动切断,电池的直流电会被转换成交流电接手供电的任务,直到市电恢复正常。UPS只有在市电停电了才会介入供电,不过从直流电转换的交流电是方波,只限于供电给电容型负载,如电脑和监视器等。一、前言 单相离线式不间断电源只是备援性质的UPS,市电直接供电给用电设备再为电池充电,一旦市电供电品质不稳或停电时,市电的回路会自动切断,电池的直流电会被转换成交流电接手供电的任务,直到市电恢复正
  • 关键字: MOS  

EPC新推100 V GaN FET助力实现更小的电机驱动器,用于电动自行车、机器人和无人机

  • 基于氮化镓器件的EPC9194逆变器参考设计显着提高了电机驱动系统的效率、扭矩而同时使得单位重量功率(比功率)增加了一倍以上。该逆变器非常微型,可集成到电机外壳中,从而实现最低的电磁干扰、最高的密度和最輕的重量。 宜普电源转换公司宣布推出三相BLDC电机驱动逆变器参考设计(EPC9194)。它的工作输入电源电压范围为 14V ~60V,可提供高达60 Apk(40 ARMS)的输出电流。此电压范围和功率使该解决方案非常适合用于各种三相BLDC电机驱动器,包括电动自行车、电动滑板车、无人
  • 关键字: EPC  GaN FET  电机驱动器  

更小、更快、更节能,半导体芯片迎大突破

  • 最先进的电子硬件在大数据革命面前都显得有些“捉襟见肘”,这迫使工程师重新思考微芯片的几乎每一个方面。随着数据集的存储、搜索和分析越来越复杂,这些设备就必须变得更小、更快、更节能,以跟上数据创新的步伐。铁电场效应晶体管(FE-FETs)是应对这一挑战的最有趣的答案之一。这是一种具有铁电性能的场效应晶体管。它利用铁电材料的非易失记忆性质,在其中植入场效应和电荷积累,实现了长期稳定的记忆效应。与传统存储器相比,它具有低功耗、高速度、高密度等优势。因此,一个成功的FE-FET设计可以大大降低传统器件的尺寸和能量使
  • 关键字: 半导体芯片  FE-FET  

耗尽型功率MOSFET:被忽略的MOS产品

  • 功率MOSFET最常用于开关型应用中,发挥着开关的作用。然而,在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中,当栅极到源极的电压VGS为零时,功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=0V时作为常 "开 "开关的功率MOSFET,称为耗尽型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于开关型应用中,发挥着开关的作用。然而,在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中,当栅极到源极的电压VGS为零
  • 关键字: MOSFET  MOS  

如何在电源上选择MOS管

  • 在开关电源应用MOS管的时候,在很多电源设计人员的都将采用一套公式,质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。在开关电源应用MOS管的时候,在很多电源设计人员的都将采用一套公式,质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。那么栅极电荷和导通阻抗很重要,这都是对电源的效率有直接的影响,主要是传导损耗和开关损耗。还有在电源中第二重要的是MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOS管在ORing F
  • 关键字: MOS  

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驱动器方案

  • 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓(GaN)功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用,适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑,加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。 不同于同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路,Transphorm 的 SuperG
  • 关键字: Transphorm  SuperGaN FET  驱动器  
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