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mosfet-driver 文章

高可靠性、节省空间的降压/反激式开关IC适合400 VDC电动汽车应用

  • 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司 Power Integrations 近日发布已通过AEC-Q100认证的新款 LinkSwitch™-TN2 开关IC,新器件适合降压或非隔离反激式应用。新款汽车级LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET,可为连接到高压母线的电动汽车子系统提供简单可靠的电源,这些子系统包括HVAC、恒温控制、电池管理、电池加热器、DC-DC变换器和车载充电机系统。这种表面贴装器件不需要散热片,只需要很少的外围元件,而且占用的PC
  • 关键字: IC  MOSFET  

瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动器

  • 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团近日宣布推出两款全新100V半桥MOSFET驱动器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞萨电子备受欢迎的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产品;新款HIP2210提供三电平PWM输入,以简化电源和电机驱动器设计。HIP2211和HIP2210非常适用于48V通讯电源、D类音频放大器、太阳能逆变器和UPS逆变器。该产品坚固耐用,可为锂离子电池供电的家用和户外产品、水泵及冷却风扇中的48V电机驱动器供电。HIP221x驱动器专为严苛工作条件下的
  • 关键字: MOSFET  UPS  PWM  

自有技术加持,安世新一代GaN助力工业汽车应用

  • 宽禁带半导体特别是GaN和SiC这两年成为整个功率器件材料关注的焦点,由于GaN具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合于......
  • 关键字: 安世  GaN  MOSFET  

ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”,非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。对于功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短,两者之间存在着矛盾权衡关系,因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时,如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。此次开发的新产品,通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构※3,改善了二者之间的矛盾权衡关系,与以往产品相比,在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约4
  • 关键字: EV  OBC  MOSFET  

Diodes 公司的电源块 MOSFET 可提升功率转换器效率并节省 PCB 空间

  • Diodes 公司近日宣布推出新一代首款独立 MOSFET。 DMN3012LEG 采用轻巧封装,可提升效率,大幅节省各种电源转换与控制产品应用的成本、电力与空间。DMN3012LEG 在单一封装内整合双 MOSFET,尺寸仅 3.3mm x 3.3mm,相较于典型双芯片解决方案,电路板空间需求最多减少 50%。此节省空间的特点,有利于使用负载点 (PoL) 与电源管理模块的一系列产品应用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降压转换器与半桥电源拓扑,以缩小功率转换器解决方案的尺寸。P
  • 关键字: MOSFET  PoL  

东芝面向汽车ECU推出MOSFET栅极驱动器开关IPD

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出栅驱动器开关IPD[1]“TPD7107F”。该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元(ECU)的供电电流的通断,并计划于今日开始出货。TPD7107F采用东芝的汽车级低导通电阻N沟道MOSFET[2],适用于负载电流的高侧开关。作为一种电子开关,这种新型IPD能够避免机械继电器的触头磨损,有助于缩小车载ECU的尺寸并降低功耗,同时还提供免维护功能。通过提供增强功能(自我保护功能和输出到微控制器的各种内置诊断功能)以支持车载ECU所需的高可
  • 关键字: 栅极驱动器  MOSFET  IPD  ECU  

采用D²PAK 7pin+封装的StrongIRFET™ MOSFET瞄准电池供电应用

  • 英飞凌科技股份公司进一步壮大 StrongIRFET™ 40-60 V MOSFET产品阵容 ,近日推出三款采用D²PAK 7pin+封装的新器件。这些新器件具备极低的RDS(on)和高载流能力,可针对要求高效率的高功率密度应用提供增强的稳健性和可靠性。这三款全新MOSFET瞄准电池供电应用,包括电动工具、电池管理系统和低压驱动装置等。全新D²PAK 7pin+封装使得本已种类丰富的StrongIRFET™封装阵容更加壮大。这能带来更多选项,有助于选择应对设计挑战的理想功率器件。此外,
  • 关键字: 电池  MOSFET  

NexperiaP沟道MOSFET,采用省空间坚固LFPAK56封装

  • 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准,适合汽车应用,可作为DPAK MOSFET的理想替代产品,在保证性能的基础上,将封装占位面积减少了50%以上。  新系列产品在30 V至60 V工作电压范围内可供选择,导通电阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封装采用铜夹片结构,由Nexperia率先应用,已在汽车等要求
  • 关键字: Nexperia  P沟道  MOSFET  LFPAK56封装   

Nexperia推出超微型MOSFET具备低导通电阻RDS(on)

  • Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%,且具备低导通电阻RDS(on)半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia发布了一系列MOSFET产品,采用超小型DFN0606封装,适用于移动和便携式产品应用,包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻RDS(on),采用常用的0.35 mm间距,从而简化了PCB组装过程。 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装,占位面积仅为0.62 x 0.62 mm,与前一代DFN1006器件相比,节省了超过36%的空间。由于采
  • 关键字: ​Nexperia  MOSFET  

科锐推出新型650V MOSFET,提供业界领先效率,助力新一代电动汽车、数据中心、太阳能应用创新

  • 作为碳化硅技术全球领先企业的科锐公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合,适用于更广阔的工业应用,助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用,提供业界领先的功率效率。
  • 关键字: 科锐  650V MOSFET  电动汽车  

碳化硅发展势头旺,英飞凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

  • 王  莹  (《电子产品世界》编辑)近期,多家公司发布了碳化硅 (SiC)方面的新产品。作为新兴 的第三代半导体材料之一,碳化硅 具备哪些优势,现在的发展程度 如何?不久前,碳化硅的先驱英飞凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC™ MOSFET ,值此机会,电子产品世 界访问了英飞凌电源与传感系统事 业部大中华区开关电源应用高级市 场经理陈清源先生。 碳化硅与氮化镓、硅材料的关系 碳化硅MOSFET是一种新器 件,使一些以前硅材料很难被应用 的电源转换结构,例如电流连续模 式
  • 关键字: 202004  碳化硅  CoolSiC™ MOSFET  

ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,总部位于中国上海市,以下简称“UAES公司”)的电动汽车车载充电器(On Board Charger,以下简称“OBC”)。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。与IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一种能
  • 关键字: OBC  SiC MOSFET  

工业电机用功率半导体的动向

  • Steven Shackell  (安森美半导体 工业业务拓展经理)摘  要:电动工具用电机正从有刷直流(BDC)转向无刷直流(BLDC)电机;工业电机需要更高能效的电机,同时 需要强固和高质量。安森美以领先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列赋能和应对这些转变带来的商机。 关键词:电机;电动工具;MOSFET;工业;IGBT;IPM安森美半导体提供全面的电机产品系列,尤其是功 率半导体方面。安森美半导体因来自所有电机类型的 商机感到兴奋,并非常看好无刷直流电机(BLDC)应用 (例如电动工具),
  • 关键字: 202003  电机  电动工具  MOSFET  工业  IGBT  IPM  

英飞凌650V CoolSiC MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平

  • 近日,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“随着新产品的发布,英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合,”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监St
  • 关键字: SiC  MOSFET  

儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

  • 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装,可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。
  • 关键字: 儒卓力  威世N-Channel MOSFET  封装  
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