- 对于国产软硬件,我们从未如此期盼,幸运的是各项突破也是接踵而至,现在我们终于有了自己的内存。长鑫存储官方网站上,已经公开列出了自家的DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片,都符合国际通行标准规范。据介绍,长鑫DDR4内存芯片可匹配主流市场需求,支持多领域应用、多产品组合,并有充分的可靠性保障,规格方面单颗容量8Gb(1GB),频率2666MHz,电压1.2V,工作温度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA两种封装样式。长鑫特别强调,这是第一颗国产的DDR4内存芯片。根据此前消
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内存 国产 DDR4 LPDDR4X 长鑫存储
- 新闻摘要：• 16Gb LPDDR4X改进了能耗、速度和业内最高容量的单片式裸晶，它的推出进一步巩固了美光在低功耗 DRAM 领域的领先地位。• 基于 UFS 的多芯片封装可在同等尺寸条件下降低功耗并增加容量，从而使手机设计更加轻巧美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）今天宣布推出业内容量最高的单片式 16Gb 低功耗双倍数据率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能够在单个智能手机中提供高达 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，显示了美光为当前和下一代
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LPDDR4X 批量生产进入1z 纳米 DRAM 工艺节点
- 根据外媒TechLookover的报道，三星第二代10nm级别工艺的LPDDR4X内存已经量产，相比第一代，虽然性能没有提升，但是功耗再降10%，可使手机平板等移动设备更省电。 据悉，三星电子今天宣布已开始批量生产业界首款第二代10纳米级(1y-nm)LPDDR4X DRAM，降低当今高端智能手机和其他移动应用的电池消耗。 与当前旗舰移动设备中最常用的移动DRAM内存芯片相比，第二代LPDDR4X DRAM的功耗降低了10%，同时保持了4266MHz的相同数据速率。 “10nm级移动DRAM的问
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三星 LPDDR4X
- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示，为优化智能手机的操作系统流畅度，厂商不断升级行动式内存版本。在三星、SK海力士及美光集团三大原厂的纳米制程转进及智能手机主流AP(应用处理器)的搭载需求下，LPDDR4X的产出比重持续增加，出货数量在第二季开始将超越LPDDR4，且由于LPDDR4及LPDDR4X已呈同价趋势，两者和LPDDR3的价差都小于5%，也加速LPDDR4系列(含LPDDR4X)的导入速度，预估全年度LPDDR4系列将达到5成以上的市占率，正式取代LPDDR3成为
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LPDDR4X LPDDR3
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