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瑞萨电子扩展射频产品组合,覆盖宏基站完整信号链

  • 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团近日宣布,推出四款全新高可靠性、高性能产品,以加强其传统宏基站(BTS)射频产品组合,为客户带来完整射频信号链解决方案。此次扩展包括业界首款四通道F4482/1 TX可变增益放大器(VGA)和F011x系列双通道一级低噪声放大器(LNA)。新系列产品还包括F1471 RF驱动放大器——首款P1dB超过1/2W的大功率前置驱动器,以及采用更小的封装、具有更高隔离度、适用于DPD反馈路径的F2934 RF开关。扩展后的产品组合可提供5G宏基站系统所需的高性能、高可靠性、灵活
  • 关键字: LNA  BTS  VGA  

Teledyne e2v的四通道ADC为5G NR ATE和现场测试系统的自动校准测试测量带来重大变革

  • 无线技术在过去的20年里快速从3G发展到4G,现在已到了5G的时代。有一个技术问题一直贯穿这一发展的过程,即高频器件的自动校准测试。 RF ATE和现场测试系统面临的最困难的挑战是校准、可重复性和测试结果的关联度。未来的无线技术的发展需要5G NR器件。Teledyne e2v的四通道多输入端口ADC利用非并行片上高频交叉点开关输入电路技术,使用户可在RF ATE和/或现场测试环境中使用自动校准和测量技术。
  • 关键字: RF  5G  LNA  CPS  ADC  CPS  

无线设计中LNA和PA的基本原理

  • 对性能、小型化和更高频率的需求,正挑战无线系统中两个关键天线连接元器件的限制:功率放大器(PA) 和低噪声放大器(LNA)。5G的发展以及PA 和LNA 在微波无线电链路、VSAT(卫星通信系统)和相控阵雷达系统中的使用正促成这种转变。这些应用的要求包括较低噪声(对于LNA)和较高能效(对于PA)以及在高达或高于10 GHz 的较高频率下的运行。为了满足这些日益增长的需求,LNA 和PA 制造商正在从传统的全硅工艺转向用于LNA 的砷化镓(GaAs) 和用于PA 的氮化镓(GaN)。本文将介绍LNA 和P
  • 关键字: LNA  PA  

加速LTE-A/5G设计 射频LNA/PA需求爆发

  • 射频(RF)元件需求急速增长。先进长程演进计划(LTE-Advanced, LTE-A)商转启动,下一代5G标准亦蓄势待发,驱动行动装置射频系统规格升级。系统厂为支援100MHz超大频宽、四十个以上频段并降低杂讯干扰,除计划增加低杂讯放大器(LNA)和功率放大器(PA)等射频元件用量外,亦将要求射频前端模组(FAM)提高功能整合度,吸引晶片商加紧展开卡位。 英飞凌(Infineon)电源管理及多元电子事业处射频暨保护元件协理麦正奇表示,随着多频多模LTE及LTE-A设计加温,手机厂对FAM各类元
  • 关键字: LNA/PA  

全新去噪声技术助力提高导航语音识别

  • 日前,日本电气股份有限公司(以下简称NEC)开发出了一新的噪声去除技术,该技术能够大幅提高导航仪语音的操作精度。安装了该项技术的汽车,当开启空调或
  • 关键字: 导航语音  去噪声  LNA  NEC  

高集成度低噪声放大器用于基站

  • 目前,一个基站的站点通常需要安放多个无线发射器。共享站点的方式,一来可以降低同一区域的基站站点数量,二来可以降低各种服务成本。为满足这两个要求,基站的接收链路需具有如下两个特点:高接收灵敏度和高带内/带外杂散的抑制能力。
  • 关键字: 高集成度  基站  低噪声放大器  无线发射器  LNA  

建立FETching分立式放大器的一些提示

  • 简介用于光电二极管、压电以及其他仪器仪表应用的低噪声放大器所要求的电路参数一般是:极高的输入阻抗、低1/f噪声或亚皮安偏置电流等,而提供的集成产品无法满足这些要求。本文讨论使用分立元器件设计低噪声放大器
  • 关键字: FETching    放大器    低噪声放大器    LNA  

RF放大器输出限制介绍

  •   对于任何应用中的放大器,输出电压的摆动范围以及可供给负载的电流量都有一个限制。这些限制基本上由装置电源电压、输出级架构和工艺技术限制设置。大多数线性放大器包括一个阐述支持的最大和最小输出电压和最大电流的规范。   对于诸如低噪声放大器(LNA)、射频功率放大器(PA)和射频增益模块等射频导向型放大器而言,输出摆幅限制通常以1dB增益压缩点表示。随着线性和射频放大器的速度在诸如LMH6401增益放大器的现代高速放大器中彼此接近,了解这两种规范之间的关联,以及他们反映装置性能的方式很重要。   我们首
  • 关键字: RF放大器  LNA  

WLAN中的LNA选择和设计,您做到“专业”了吗?

  •   WLAN是无线局域网的简称,英文全文为 Wireless Local Area Networks。作为传统有线网络的一种替代方案或延伸,WLAN通过利用无线技术在空中传输数据、话音和视频信号,将个人从办公桌边解放了出来,使他 们可以随时随地获取信息。本文将以世强代理的Infineon多款高性价比的产品为例,介绍WLAN中LNA选择和设计。  一、选择合适器件  以某款双频段WLAN产品为例,其主要工作原理框图如下:     &nb
  • 关键字: WLAN  LNA  

三星Galaxy S7和Galaxy A智能手机选用英飞凌安全与射频元件

  •   智能手机制造商要使其产品在竞争激烈的市场上脱颖而出,就必须在安全性或性能上做足文章,而三星同时选择了二者。全球市场领袖三星利用来自英飞凌科技股份公司的安全与RF(射频)元件打造全新三星Galaxy S7和Galaxy A手机。  低噪放大器(LNA)、天线调谐器,以及可提高数据速率和降低功耗的射频开关,能为智能手机用户带来切实的利益。与此同时,嵌入式安全模块(eSE)可以保护移动设备中受到安全威胁的那些功能。它们支持安全地传输用于非接触支付的敏感付款凭证,实现方便的用户生物识别和移
  • 关键字: 英飞凌  LNA  

L波段200MHz带宽LNA设计

  •   引言   低噪声放大器(LNA)是雷达、通信、电子对抗、遥测遥控等电子系统中关键的微波部件,有广泛的应用价值。由于微波系统的噪声系数基本上取决于前级放大器的噪声系数,因此LNA噪声系数的优劣会直接影响整个系统性能的好坏。低噪声放大器的设计主要包括输入、输出匹配网络和直流偏置网络的设计以及改善晶体管稳定的措施。本文首先介绍放大器提高稳定性的源极串联负反馈原理,然后设计了一个L波段的低噪声放大器实例,并给出了放火器输入、输出回波损耗、增益、噪声系数等参数的仿真结果。   低噪声放大器的设计   本文
  • 关键字: L波段  LNA  

基于ATF54143的微波LNA设计与实现

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: ADS2011  ATF54143芯片  LNA  

基于ATF54143的微波LNA设计方案

  • 摘要:本论文采用ADS2011仿真软件,使用Avago公司的ATF54143晶体管作为主要器件,设计了频率范围为2.35~2.45GHz、中心频率为2.4GHz的LNA,其性能指标为:噪声系数<1dB,增益>13dB,输入输出驻波比<2,基本上达到了预期的效果。设计过程分为四步。第一步是在明确放大器的性能指标后选择晶体管,然后进行直流偏置电路的设计。第二步是放大器的稳定性分析与设计。第三步就是放大器电路的输入和输出匹配。输入匹配电路以最小噪声系数来匹配网络,输出匹配电路以最大增益来匹配网
  • 关键字: ATF54143  LNA  

射频电路原理及主要应用

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 射频电路  LNA  电磁波  趋肤效应  

采用PLL技术的接收机射频前端的设计

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  • 关键字: PLL  射频前端  接收机  LNA  锁相环  
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