这几年国产芯片替代概念推动了国内半导体公司的加速发展。除了处理器芯片外，存储器的发展也得包括政府、市场资本、行业巨头厂商的高度关注。不过，受制于技术等原因，全球90%的DRAM市场份被三星、海力士和美光三家厂商占据。 现有DRAM的最关键技术是电容存储单元，它不仅带来了特有的制造挑战，还被大量专利所保护。
国内厂商想要有所突破，除了加大投入和研发外，一定程度也需要外力支持。近日，半导体嵌入式非易失性存储器(eNVM)知识产权(IP)产品领先提供商Kilopass 首席执行官Charlie Che
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Kilopass VLT
半导体嵌入式非易失性存储器(eNVM)知识产权(IP)产品领先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技术，进而颠覆全球DRAM市场。VLT存储单元在2015年已通过验证，目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。Kilopass一直致力于推广这项技术，并正与DRAM制造商进行许可协商。
“Kilopass以一次性可编程(OTP)存储器技术的领导者而闻名，我
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Kilopass DRAM
半导体嵌入式非易失性存储器(eNVM)知识产权(IP)产品提供商Kilopass Technology, Inc.近日推出垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技术。该技术显著降低了存储芯片的成本且与DDR SDRAM完全兼容，使用标准CMOS工艺制造且无需昂贵的电容结构。
由于当前基于1个晶体管+1个电容器(1T1C)存储单元结构的DRAM解决方案不够合理，电容器无法进一步缩小，尺寸太大，在20nm工艺上，电容量太低，DRAM技术自2010年以来已放缓
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Kilopass VLT
联华电子与半导体逻辑非挥发性内存(NVM)硅智财领导厂商Kilopass日前共同宣布，双方已签署技术开发协议，Kilopass非挥发性内存硅智财将于联华电子两个28奈米先进制程平台上使用，分别为：适用于生产可携式装置产品系统单芯片的高介电质金属闸(High-k/Metal Gate) 28HPM;以及受消费性电子产品系统单芯片设计公司青睐的多晶硅(Poly /SiON) 28HLP制程。
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联华 Kilopass 28奈米 硅智财
业界领先的半导体逻辑非易失性内存(NVM)知识产权模块(IP)的供应商，Kilopass 科技公司，今天发布了业界第一也是迄今唯一一个4兆比特的非易失性内存半导体IP--Gusto。Gusto是唯一足以储存传统上被存储在外部串行闪存和EEPROM芯片上的固件及启动代码的NVM IP。对于一些对成本、功耗和面积因素比较敏感的应用，包括移动应用处理器和多媒体处理器，以及高安全性应用如移动银行和有条件接收，它都是理想的选择。Kilopass已经在三个顶级代工厂——IBM，TSMC和U
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KILOPASS NVM IP
根据Semico调查研究，对于可编程逻辑芯片（PLD而言，便携式应用是一个快速增长的市场，预估可编程逻辑芯片在这些应用领域的市场值将在2010年前超过6亿5000万美元。但是PLD在便携应用中也是优缺点都非常明显的解决方案。PLD提供了相比ASIC和ASSP更加灵活的设计路径，通过提供不同的功能设置，从而设计出差异化的产品。同时，便携电子电池供电的局限性，以及在有限空间内集成更多功能而又不影响功耗的考虑，都为FPGA带来了不小的障碍。
当前，PLD市场不乏一些针对便携应用专门优化过的方案，例如Xil
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NVCM FPGA SiliconBlue Kilopass
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