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igbt,mosfet 文章

意法半导体的先进IGBT专为软开关优化设计 可提高家电感应加热效率

  •   意法半导体的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER™IGBT两款产品能够在软开关电路中实现最佳的导通和开关性能,提高谐振转换器在16kHz-60kHz开关频率范围内的能效。  新IH系列器件属于意法半导体针对软开关应用专门优化的沟栅式场截止(TFS) IGBT产品家族,适用于电磁炉等家电以及软开关应用的半桥电路,现在产品设计人员可以选用这些IGBT,来达到更高的能效等级。除新的IH系列外,意法半导体的软开关用沟栅式场截止(TFS) IGBT系列产品
  • 关键字: 意法半导体  IGBT  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10个机型, 产品阵容丰富且支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101

  •   全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型,该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2),而且产品阵容丰富,拥有13个机型。  ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产,在SiC功率元器件领域,ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场,ROHM也及时确立车载品质,并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
  • 关键字: ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半导体推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET,补足成长的生态系统,并为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势

  •   2019年3月19日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。  这标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC 生态系统,包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件,以及
  • 关键字: 安森美  MOSFET  

600V 超级结MOSFET “PrestoMOS”系列产品助力变频空调节能

  •   全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时,提高设计灵活度,非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日,该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。  此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术,实现了极快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比,轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外,通过提高导通MOSFET所需要的电压水
  • 关键字: ROHM  MOSFET   

2019年中国功率半导体市场规模逾人民币2,900亿元

  • TrendForce在最新《中国半导体产业深度分析报告》指出,受益新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币,其中离散式元件市场规模为1,874亿元人民币,较2017年成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币,较2017年增长8%。
  • 关键字: 功率半导体  IGBT  

Diodes 公司的双极晶体管采用 3.3mm x 3.3mm 封装并提供更高的功率密度

  •   Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商,产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP 功率双极晶体管,采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm),可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP 晶体管的尺寸较小,可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路,提供更高的功率密度设计。 
  • 关键字: Diodes  MOSFET   

Vishay携最新MOSFET、IC、无源器件和二极管技术亮相APEC 2019

  •   2019年3月12日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆(Anaheim,California)举行的2019年国际应用电力电子展会(APEC)上展示其强大产品阵容。Vishay展位设在411展台,将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。  在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix电源IC包括SiC9xx microBR
  • 关键字: Vishay  MOSFET  

变频器中IGBT爆炸原因分析,深入透彻!

  •   IGBT是电力电子装置的CPU,在电力电子变流和控制中起着举足轻重的作用。变频器中,IGBT模块更为重要。但是,IGBT模块会经常出现爆炸的情况。下面,小编就结合案例具体分析一下。  定义  一、IGBT爆炸:因为某些原因,模块的损耗十分巨大,热量散不出去,导致内部温度极高,产生气体,冲破壳体,这就是所谓的IGBT爆炸。  二. IGBT爆炸原因分析  1.爆炸的本质是发热功率超过散热功率,内部原因应该就是过热。  2.人为因素 (1)进线接在出线的端子上(2)变频器接错电源(3)没按要求接负载3.常
  • 关键字: IGBT,变频器  

满足新能源汽车应用的SiC MOSFET系列产品

  •   世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链,包括:电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用,形成了较为完整的产业链体系,正在大力进行垂直整合,全面推进从产业源头到末端的全链贯通。  主要应用  w高效服务器电源 w新能源汽车 w充电桩充电模组  w光伏逆变器 w工业电机 w智能电网 w航空航天  SiC MOSFET系列  产品覆盖额定电压650-1200V,额定电流30-92A,可满足多
  • 关键字: 新能源汽车  MOSFET  

集邦咨询:需求持续扩张,2019年中国功率半导体市场规模逾2,900亿元

  •   Mar. 7, 2019 ---- 全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币,较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币,较2017年同比增长8%。  集邦咨询分析师谢瑞峰指出,功率半导体作为需求驱动型的产业,2019年
  • 关键字: IGBT  SiC   

除了代工小米9,造车的比亚迪还做了这些事!

  • 比亚迪不仅在汽车制造上实力深厚,在手机代工和其它业务方面,仍然保持走在行业前沿的水平。作为我国重要的制造企业代表,比亚迪在行业中具有模范作用,相信经过不断技术突破和进步,比亚迪将会为我国众多制造企业树立一个又一个全新的示范里程碑!
  • 关键字: 小米9  比亚迪  IGBT  

碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

  •   摘要:本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。  前言  就目前而言,碳化硅(SiC)材料具有极佳的的电学和热学性质,使得碳化硅功率器件在性能方面已经超越硅产品。在需要高开关频率和低电能损耗的应用中,碳化硅MOSFET正在取代标准硅器件。半导体技术要想发展必须解决可靠性问题,因为有些应用领域对可靠性要求十分严格,例如:汽车、飞机、制造业和再
  • 关键字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  热模型  失效分析  栅极氧化层可靠性  

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器,可最大程度提高效率及安全性

  •   深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器,可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压,来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。  SIC1182K可在125°C结温下提供8
  • 关键字: Power Integrations  SiC-MOSFET  

贸泽开售STMicroelectronics MDmesh M6高效超结MOSFET

  •   专注于引入新品的全球半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics (ST) 的MDmesh™ M6系列 超结晶体管。MDmesh M6系列MOSFET针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计,可提高电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱动器、电信和服务器电源以及太阳能 微型逆变器等设备的功率密度。  贸泽电子供应的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效,从而增加功率密度。该系列
  • 关键字: 贸泽  STMicroelectronics  MOSFET  

Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器,提高逆变器级工作效率

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A,扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装,低压降输出电流损耗仅为3.5 mA,可用于提高逆变器级工作效率。  日前发布的光耦采用CMOS技术,含有集成电路与轨到轨输出级光学耦合的AIGaAs LED,为门控设备提供所需驱动电压。VOD3120电压和电流使
  • 关键字: Vishay  MOSFET  
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igbt,mosfet介绍

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