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igbt,mosfet 文章

高功率单片式 Silent Switcher 2 稳压器 满足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并适合狭小的安放空间

  •   随着汽车中电子系统数量的成倍增加,车内产生电磁干扰的风险也大幅升高了。因此,新式车辆中的电子产品常常必须符合 CISPR 25 Class 5 EMI 测试标准,该标准对传导型和辐射型 EMI 发射做了严格的限制。由于其本身的性质,开关电源充斥着 EMI,并在整个汽车中“弥漫扩散”。如今,低 EMI 与小的解决方案尺寸、高效率、散热能力、坚固性和易用性一起,成为了对汽车电源的一项关键要求。Silent Switcher 2 稳压器系列可满足汽车制造商严格的 EMI 要求,同时拥有紧凑的尺寸以及集成化
  • 关键字: MOSFET,LT8650S   

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

  •   深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大,适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用,适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。  900V版LinkSwitch-XT2 IC产品系列可提供高效率,使电源设计轻松满足能源相关产品(ErP
  • 关键字: Power Integrations  MOSFET  

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

  •   深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大,适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用,适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。  900V版LinkSwitch-XT2 IC产品系列可提供高效率,使电源设计轻松满足能源相关产品(ErP
  • 关键字: Power Integrations  MOSFET  

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

  •   Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。  碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000  碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多
  • 关键字: Littelfuse  MOSFET  

宜特FSM化学镀服务本月上线,无缝接轨BGBM晶圆减薄工艺

  •   随电源管理零组件MOSFET在汽车智能化崛起后供不应求,为填补供应链中此一环节的不足,在半导体验证分析领域深耕多年的宜特科技,近期正式跨攻「MOSFET晶圆后端工艺整合服务」,其中晶圆减薄-背面研磨/背面金属化(简称BGBM,Backside Grinding/ Backside Metallization)工艺,在本月已有数家客户稳定投片进行量产,在线生产良率连续两月高于99.5%。  同时为了协助客户一站式接轨BGBM工艺,在前端的正面金属化工艺(简称FSM)上,除了提供溅射沉积(Sputteri
  • 关键字: 宜特  MOSFET  

MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究

  • 1 引言
    MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性,可自动调节电流,因而易于并联应用。但由于器件自身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因,并联应用功率MOSFET管会产生电流分配不均的问题,关于此问题,
  • 关键字: MOSFET  并联  电流  分配  

新型IGBT软开关在应用中的损耗

  • 本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT,并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面:
  • 关键字: IGBT  软开关  损耗  

安森美半导体推动电动汽车充电桩市场创新发展

  •   电动汽车(也叫新能源汽车)是指以车载电源为动力,用电机驱动车轮行驶,符合道路交通、安全法规各项要求的车辆由于对环境影响相对传统汽车较小,它的前景被广泛看好近年来在国家环保政策的激励下,在大家对绿色低碳健康生活的憧憬下,电动汽车正日益普及。中国是世界最大的汽车市场,中国新能源汽车业近年来快速发展令世界瞩目。据Goldman Sachs报道,2016年中国电动汽车占全世界电动汽车的45%, 这一百分比到2030年可能升至60%。根据中国的“一车一桩”计划,电动汽车充电桩总数在2020年将达480万个,与现
  • 关键字: 安森美  IGBT  SiC  

基于EXB841的IGBT 驱动电路优化设计

  • 设计高性能的驱动与保护电路是安全使用IGBT的关键技术.日本FUJI公司的EXB841芯片是一种典型的适用于300A以下IGBT的专用驱动电路,具有单电源、正负偏压
  • 关键字: EXB841  IGBT  驱动电路  优化设计  

应用角:汽车 - 电动汽车电池断开系统

  •   在电动和混合动力汽车中,需要一种方法将高压电池与车辆的其他部分断开连接。专门设计的大电流继电器(接触器)历来一直是执行此功能的首选方案。此继电器的设计必须支持在负载下断开连接,而不受损坏。这是通过使用带有真空封装触点的继电器来实现的。这些接触器通常充满惰性气体,包围触点以消除空气。通常,在高压电池系统中,需要三个接触器:一个用于两个主要电池导体,另一个更小的版本用于预充电功能。传统的电池断开电路图如图1所示。  电动汽车制造商长期以来一直希望有一种更小、更轻、更便宜的方案,以解决电池断开问题。功率半导
  • 关键字: MOSFET,混合动力  

开关电源设计:何时使用BJT而非MOSFET?

  • MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中,与MOSFET相比,双极性结式晶体管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
  • 关键字: 开关电源  BJT  MOSFET  

关于PWM“死区”时间知识解析

  • pwm是脉宽调制,在电力电子中,最常用的就是整流和逆变。这就需要用到整流桥和逆变桥。对三相电来说,就需要三个桥臂。以两电平为例,每个桥臂上有两个
  • 关键字: PWM  DSP  IGBT  

IGBT保护电路设计中的必知问题

  • 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率
  • 关键字: IGBT  过流保护  过压保护  过热保护  

汽车电子化带来的电源、电池、充电系统的挑战

  •   车用电气/电源/电子系统的发展动向  自上世纪70年代以来,为应对石油禁运,减少对石油的依赖性,节能减排就成为汽车业重点关注的。汽车中电子成分不断增加。环境及能源法规促进电动汽车/混合动力汽车蓬勃发展。  以内燃机作为唯一动力来源的传统汽车,正在实现汽车功能电子化的好处,以提高整体汽车燃油效率。轻度混合动力和微混合动力汽车越来越流行,尤其是内置 48V 动力配件的汽车。除了支持 12V 系统无法支持的高功率负载(>10kW)外,添加 48V系统的另一个好处是,由于使用较小的仪表接线,车辆配电系统
  • 关键字: 安森美,IGBT  

详解三种IGBT驱动电路和保护方法

  • 本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大,以驱动IGBT,保证IGBT的可靠工作,驱动电路起着至关重要的作用
  • 关键字: IGBT  驱动电路  单片机  
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igbt,mosfet介绍

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