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igbt,mosfet 文章

Vishay业界领先车规产品将在2019 Automotive World日本展上悉数亮相

  •   2019年1月11日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将在1月16日-18日于东京有明国际展览中心举行的2019 Automotive World日本国际汽车展上,展示其全面丰富的车规产品。Vishay展位设在东5号馆E47-40,以“Think Automotive, Think Vishay”为主题展示各种车规产品,包括符合并优于AECQ认证标准的电容器、电阻器、电感器、二极管、MOSFET和光电产品。  Vishay亚
  • 关键字: Vishay  转换器  MOSFET  

本土厂商同欧日三分天下,中国IGBT不再“一芯难求”

  • 国内汽车界中,“一芯难求”的现状被打破了。
  • 关键字: IGBT  

意法半导体高效超结MOSFET瞄准节能型功率转换拓扑

  •   意法半导体推出MDmesh™系列600V超结晶体管,该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。  针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。电容电压曲线有助于提高轻载能效,最低16 nC的栅极电荷量(Qg)可实现高开关频率,这两个优点让MDmesh M6器件在硬开关拓扑结构中也有良好的能效表现。  此外,意法半导体最先进的M6超结技术将RDS(ON)电阻降至0.036Ω,有助于电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱
  • 关键字: 意法半导体  MOSFET  

关于工业电机驱动的IGBT,你想知道的都在这里

  •   摘要 :工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是:更高的短路电流电平、更小的芯片尺寸,以及更低的热容量和短路耐受时间。这凸显了栅极驱动器电路以及过流检测和保护功能的重要性。本文讨论现代工业电机驱动中成功可靠地实现短路保护的问题。    工业环境中的短路:工业电机驱动器的工作环境相对恶劣,可能出现高温、交流线路瞬变、机械过载、接线错误以及其它突发情况
  • 关键字: 工业电机  IGBT  

富士电机电子元件事业本部CTO藤平龙彦博士一行莅临青铜剑科技考察交流

  •   11月7日,富士电机株式会社电子元件事业本部CTO藤平龙彦博士一行到访青铜剑科技。这是继今年5月应用技术部部长五十岚征辉博士来访之后,富士电机高层再次莅临青铜剑科技商谈合作事宜,标志着双方合作进入新阶段。 青铜剑科技总工程师高跃博士和市场总监蔡雄飞对藤平龙彦博士一行的来访表示热烈欢迎,详细介绍了公司的核心产品以及与富士电机的合作进展。藤平龙彦博士对青铜剑科技最新的IGBT驱动产品非常关注,仔细询问了产品的性能优势和应用领域,对青铜剑科技的研发实力表示充分肯定。会谈期间,双方对下一步的合作重点和计划
  • 关键字: 青铜剑  IGBT  

推进航天领域合作 l 航天科工微电院董事长武春风一行到访青铜剑科技

  •   11月8日,成都航天科工微电子系统研究院有限公司董事长武春风一行到访青铜剑科技,董事长汪之涵博士、总工程师高跃博士和副总裁傅俊寅陪同接待,双方就合作事宜进行了深入交流。  汪之涵博士陪同武春风一行参观了公司展厅和研发实验室,详细介绍了青铜剑科技的核心产品、领先技术、应用领域及公司发展规划等情况。武春风对青铜剑科技的科技创新成果表示积极肯定。座谈中,双方就航天领域的前沿技术和热点话题进行了深入探讨和讨论,进一步商谈了合作细节,一致表示未来将扩展多渠道的合作。  航天科工微电子系统研究院秉持“信息互通、资
  • 关键字: 青铜剑  IGBT  

IXYS IGBT驱动模块可帮助高功率系统设计,缩短设计时间,降低设计成本

  •   IXYS公司新推出的IXIDM1403驱动模块旨在为市场提供IGBT驱动器件,使设计周期缩短,设计成本做到尽可能最低,并具有极高的紧凑性和最高的性能和可靠性。IXIDM1403支持双通道大功率IGBT模块,隔离电压高达4000 V,开关速度高达50 kHz,具有短路保护和电源电压监控功能。  IXIDM1403是基于IX6610 / IX6611 / IXDN630芯片组的高压隔离栅极驱动模块,它允许创建隔离的IGBT驱动器,在初级侧和次级侧之间以及次级侧驱动器之间设置高压隔离栅。它创建了一个非常灵活
  • 关键字: IXYS  IGBT  

高功率单片式 Silent Switcher 2 稳压器 满足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并适合狭小的安放空间

  •   随着汽车中电子系统数量的成倍增加,车内产生电磁干扰的风险也大幅升高了。因此,新式车辆中的电子产品常常必须符合 CISPR 25 Class 5 EMI 测试标准,该标准对传导型和辐射型 EMI 发射做了严格的限制。由于其本身的性质,开关电源充斥着 EMI,并在整个汽车中“弥漫扩散”。如今,低 EMI 与小的解决方案尺寸、高效率、散热能力、坚固性和易用性一起,成为了对汽车电源的一项关键要求。Silent Switcher 2 稳压器系列可满足汽车制造商严格的 EMI 要求,同时拥有紧凑的尺寸以及集成化
  • 关键字: MOSFET,LT8650S   

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

  •   深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大,适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用,适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。  900V版LinkSwitch-XT2 IC产品系列可提供高效率,使电源设计轻松满足能源相关产品(ErP
  • 关键字: Power Integrations  MOSFET  

Power Integrations发布集成了900V MOSFET的高效率反激式开关电源IC

  •   深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司今日发集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch™-XT2系列离线式开关电源IC。新IC的功率更大,适合设计8W以内的高效率隔离及非隔离反激式电源应用,适用于高达480VAC输入三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高质量消费电子产品的电源设计。  900V版LinkSwitch-XT2 IC产品系列可提供高效率,使电源设计轻松满足能源相关产品(ErP
  • 关键字: Power Integrations  MOSFET  

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

  •   Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充,也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。  碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000  碳化硅MOSFET技术带来的高效性可为诸多要求严格的应用提供多
  • 关键字: Littelfuse  MOSFET  

宜特FSM化学镀服务本月上线,无缝接轨BGBM晶圆减薄工艺

  •   随电源管理零组件MOSFET在汽车智能化崛起后供不应求,为填补供应链中此一环节的不足,在半导体验证分析领域深耕多年的宜特科技,近期正式跨攻「MOSFET晶圆后端工艺整合服务」,其中晶圆减薄-背面研磨/背面金属化(简称BGBM,Backside Grinding/ Backside Metallization)工艺,在本月已有数家客户稳定投片进行量产,在线生产良率连续两月高于99.5%。  同时为了协助客户一站式接轨BGBM工艺,在前端的正面金属化工艺(简称FSM)上,除了提供溅射沉积(Sputteri
  • 关键字: 宜特  MOSFET  

MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究

  • 1 引言
    MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性,可自动调节电流,因而易于并联应用。但由于器件自身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因,并联应用功率MOSFET管会产生电流分配不均的问题,关于此问题,
  • 关键字: MOSFET  并联  电流  分配  

新型IGBT软开关在应用中的损耗

  • 本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT,并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面:
  • 关键字: IGBT  软开关  损耗  

安森美半导体推动电动汽车充电桩市场创新发展

  •   电动汽车(也叫新能源汽车)是指以车载电源为动力,用电机驱动车轮行驶,符合道路交通、安全法规各项要求的车辆由于对环境影响相对传统汽车较小,它的前景被广泛看好近年来在国家环保政策的激励下,在大家对绿色低碳健康生活的憧憬下,电动汽车正日益普及。中国是世界最大的汽车市场,中国新能源汽车业近年来快速发展令世界瞩目。据Goldman Sachs报道,2016年中国电动汽车占全世界电动汽车的45%, 这一百分比到2030年可能升至60%。根据中国的“一车一桩”计划,电动汽车充电桩总数在2020年将达480万个,与现
  • 关键字: 安森美  IGBT  SiC  
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