首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> igbt,mosfet

igbt,mosfet 文章

安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57mΩ产品

  • 奈梅亨,2020年2月19日:安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,今日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现,并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。 很多应用均需要超低RDS(on)器件,例如OR
  • 关键字: 安世半导体  MOSFET  RDS(on)  

Vishay推出高效80 V MOSFET,导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8单体封装的——SiR680ADP,它是80 V TrenchFET? 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率,从而节省能源,其导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)为129 mW*nC,达到同类产品最佳水平。
  • 关键字: SiR680ADP  MOSFET  Vishay  

全力以赴抗疫情 开足马力促生产——华虹二厂投入再创新高

  • 基于国内外大客户对高端功率半导体器件的旺盛需求,特别是超级结产品(SJ)和绝缘栅双极型器件(IGBT)的应用,华虹集团旗下华虹二厂在2020年1月的投入再创新高,光刻层数达到了48万!生产线在年度动力检修后已满负荷运行,在1月也取得了出货6.12万片晶圆的佳绩!
  • 关键字: 半导体  IGBT  SJ  华虹  

关于半桥电路中抗dv/dt噪声干扰的安全工作区分析及其解决方案

  •   王定良(电子科技大学 电子科学与工程学院,四川 成都 610054)  摘  要:作为电机驱动电路的智能功率模块(IPM)正变得越来越重要,但是越来越快的开关速度,可能会引起IPM模块中的IGBT的误触发。另外,过高的dV/dt也会在IGBT关断状态下产生雪崩击穿。本文结合半桥电路的寄生参数模型,完善传统公式的推导。基于对公式与IGBT擎住现象的分析,并结合IGBT的安全工作区提出了一种根据dv/dt的大小来动态扩展IGBT安全工作区的电路结构,改善了传统半桥电路工作时的可靠性。  关键词:IGBT;
  • 关键字: 202002  IGBT  误触发  dV/dt  可靠性  

东芝面向电压谐振电路推出新款分立IGBT,有助于降低功耗并简化设备设计

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出“GT20N135SRA”,这是一款用于桌面电磁炉、电饭煲、微波炉等家用电器电压谐振电路的1350V分立IGBT。该产品于今日起开始出货。 GT20N135SRA产品图GT20N135SRA的集电极-发射极的饱和电压[1]为1.75V,二极管正向电压[2]为1.8V,分别比东芝当前产品[3]低10%和21%。IGBT和二极管都针对高温(TC=100℃)条件下的导通损耗特性进行了改进,而且新款IGBT还有助于降低设备功耗。该产品的结壳热阻为0
  • 关键字: IGBT  分立  

Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET,提高功率密度和效率

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小型热增强型PowerPAK 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件,专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60
  • 关键字: MOSFET  N沟道  

Nexperia 推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)

  • 近日,分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V,工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on) 仅为 60 mΩ)以及快速的开关切换;效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场,包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
  • 关键字: Nexperia  GaN FET  氮化镓功率器件  MOSFET 器件  

CISSOID与国芯科技签署战略合作协议

  • 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布:在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上,公司与湖南国芯半导体科技有限公司(简称“国芯科技”)签署了战略合作协议,将携手开展宽禁带功率技术的研究开发,充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势,并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来,宽禁带半导体功率器件(如碳化硅SiC和氮化镓GaN等)凭借多方面的性能优势,在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而,在各类应用中
  • 关键字: IGBT  SiC  GaN  

功率MOSFET的参数那么多,实际应用中该怎么选?

  • 功率 MOSFET也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
  • 关键字: MOSFET  功率MOSFET  

SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著

  • 商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史,自问世以来,MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件,被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。不过,这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功反而受其害的含义。随着产品整体性能的改善,特别是导通电阻和开关损耗的大幅降低,这些半导体开关的应用范围越来越广。结果,市场对这些硅基MOSFET和IGBT的期望越来越高,对性能的要求越来越高。尽管主要的半导体研发机构和厂商下大力气满足市场要求,进一步改进MOSFET/ IGBT产品,但在某些时候,收益递减
  • 关键字: SiC MOSFET  意法半导体  

同类最佳的超级结MOSFET和 具成本优势的IGBT用于电动汽车充电桩

  • 插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统,可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能,开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有IGBT、超结MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半导体为电动汽车OBC和直流充电桩提供完整的系统方案,包括通过AEC车规认证的超级结MOSFET、IGBT、门极驱动器、碳化硅(SiC)器件、电压检测、控制产品乃至电源模块等,
  • 关键字: 超级结MOSFET  IGBT  充电桩  

减慢开关转换时要谨慎

  • 开关调节器中的快速开关瞬变是有利的,因为这显著降低了开关模式电源中的开关损耗。尤其是在高开关频率时,可以大幅提高开关调节器的效率。但是,快速开关转换也会带来一些负面影响。开关转换频率在20 MHz和200 MHz之间时,干扰会急剧增加。这就使得开关模式电源开发人员必须在高频率范围内,在高效率和低干扰之间找到良好的折衷方案。此外,ADI公司提出了创新的Silent Switcher®技术,即使是极快的开关边沿,也可能产生最小电磁辐射。图1.对开关模式电源进行开关转换,在开关节点处施加输入电压。图1显示了快速
  • 关键字: 开关  MOSFET  

ROHM开发出4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。另外,罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT304
  • 关键字: SiC  MOSFET  

中欧“大咖”齐聚深圳,共话第三代半导体发展

  • 最近,由深圳市科学技术协会、坪山区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导,青铜剑科技、深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院主办,深圳基本半导体、深圳中欧创新中心承办的第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆成功举办。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英等近200名代表参会,围绕第三代半导体技术创新、产业发展、国际合作进行深入探讨与交流,加速第三代半导体材料国产化替代进程,助力国产半导体开辟一片新天地。深圳市科学技术协会党组书记林祥、深圳市坪山区科技创新局局长黄鸣出席论
  • 关键字: 碳化硅  二极管  MOSFET  

Diodes公司推出微型车用 MOSFET,可提供更高的功率密度

  • Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 今日宣布推出额定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及额定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ,两者均为符合车用规范的 MOSFET,采用 DFN2020 封装。这两款微型 MOSFET 仅占较大封装 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 区域,可在直流对直流 (DC-DC) 转换器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎盖下」的汽车应用之中,提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 时的 RDS(ON) 标
  • 关键字: MOSFET  汽车  
共1424条 1/95 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

igbt,mosfet介绍

您好,目前还没有人创建词条igbt,mosfet!
欢迎您创建该词条,阐述对igbt,mosfet的理解,并与今后在此搜索igbt,mosfet的朋友们分享。    创建词条

热门主题

FPGA    DSP    MCU    示波器    步进电机    Zigbee    LabVIEW    Arduino    RFID    NFC    STM32    Protel    GPS    MSP430    Multisim    滤波器    CAN总线    开关电源    单片机    PCB    USB    ARM    CPLD    连接器    MEMS    CMOS    MIPS    EMC    EDA    ROM    陀螺仪    VHDL    比较器    Verilog    稳压电源    RAM    AVR    传感器    可控硅    IGBT    嵌入式开发    逆变器    Quartus    RS-232    Cyclone    电位器    电机控制    蓝牙    PLC    PWM    汽车电子    转换器    电源管理    信号放大器    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473