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igbt,mosfet 文章

针对高耐用性和可靠性电源需求,意法半导体推出市场上击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器

  • 中国,2019年7月29日——意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器,集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET,使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压,无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件,即可实现类似的电压处理能力,可采用尺寸更小的外部缓冲器元件。转换器内置漏极限流保护功能,MOSFET包含一个用于过温保护的senseFET引脚。单片集成高压启动电路、内部误差放大器和电流式PWM控制器,VIPER26K支持所有常见开关式电源拓扑,包括原边或副
  • 关键字: 电源  意法半导体  击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器  

SiC将达23亿美元规模,技术精进是主攻方向

  •       SiC(碳化硅)作为第三代半导体,以耐高压、高温和高频,在高性能功率半导体上显出优势。在应用中,在光伏和服务器市场最大,正处于发展中的市场是xEV(电动与混动汽车)。随着SiC产品特性越做越好,在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。      不过,制约SiC发展的,最主要的是价格,主要原因有两个,一个是衬底,一个是晶圆尺寸所限。例如晶圆尺寸越大,成本也会相应地下降,ROHM等公司已经有6英寸的晶圆片。在技术方面,众厂商竞争
  • 关键字: SiC  MOSFET  

向小功率和大功率延伸 三菱电机五大新品看点

  • 在产业电子化升级过程中,作为电子产品的基础元器件之一的功率半导体器件越来越得到重视与应用。而中国作为需求大国,已经占有约39%的市场份额,在中国制造业转型升级的关键时期,对功率半导体器件的需求将会越来越大。自上世纪80年代起,功率半导体器件MOSFET、IGBT和功率集成电路逐步成为了主流应用类型。其中IGBT经历了器件纵向结构、栅极结构以及硅片加工工艺等7次技术演进,目前可承受电压能力达到6500V,并且实现了高功率密度化。在此背景下,6月26-28日,PCIM亚洲展2019将在在上海世博展览馆举行,三
  • 关键字: 三菱电机  PCIM亚洲展  IGBT  

华为强力扫货 手机、服务器用MOSFET急单声声催

  • 中美贸易战战火延烧,华为禁令事件已经让大陆业者火速要求逻辑IC供应链紧急备货,熟悉功率元件业者透露,除了巩固华为海思晶圆代工、封测代工供应链以及台系逻辑IC供应体系外,疯狂扫货力道已经蔓延到功率基础元件金氧半场效晶体管(MOSFET)。
  • 关键字: 华为  MOSFET  中美贸易战  

IGBT场效应管的工作原理及检测方法

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点,已逐步取代晶闸管和GTO(门极可关断晶闸管),是目前发展最为迅速的新一代电
  • 关键字: IGBT  场效应管  

更换老化的栅极驱动光电耦合器

  • 电机用于电梯、食品加工设备、工厂自动化、机器人、起重机……这样的例子不胜枚举。交流感应电机在这种应用中很常见,且总是通过用于电源级的绝缘栅双极晶体管(IGBT)来实现驱动。典型的总线电压为200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用电子换向,以实现交流感应电机所需的正弦电流。在设计电机驱动器时,保护操作重型机械的人员免受电击是首要考虑因素,其次应考虑效率、尺寸和成本因素。虽然IGBT可处理驱动电机所需的高电压和电流,但它们不提供防止电击的安全隔离。在系统中提供安全隔离的重要任务由驱动IGBT的栅极驱动
  • 关键字: 电机  IGBT  

安森美半导体基于SiC的混合IGBT 和隔离型大电流IGBT门极驱动器将在欧洲PCIM 2019推出

  • 2019年4月30日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术,提供低导通损耗和开关损耗,用于多方面的电源应用,包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用,如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒
  • 关键字: 安森美半导体  IGBT  SiC肖特基二极管技术  

现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制

  •   Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers       作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司(德国 慕尼黑)  摘要:通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。  关键词:IGBT; MOSFET; 栅极驱动器;耐受性;隔离    &nb
  • 关键字: 201905  IGBT  MOSFET   栅极驱动器  耐受性  隔离  

工程师必须掌握的MOS管驱动设计细节

  • 一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G、S两级之间,有结电容存在。这个电容会让驱动MOS变的不那么简单......
  • 关键字: MOS  MOSFET  

意法半导体的先进IGBT专为软开关优化设计 可提高家电感应加热效率

  •   意法半导体的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER™IGBT两款产品能够在软开关电路中实现最佳的导通和开关性能,提高谐振转换器在16kHz-60kHz开关频率范围内的能效。  新IH系列器件属于意法半导体针对软开关应用专门优化的沟栅式场截止(TFS) IGBT产品家族,适用于电磁炉等家电以及软开关应用的半桥电路,现在产品设计人员可以选用这些IGBT,来达到更高的能效等级。除新的IH系列外,意法半导体的软开关用沟栅式场截止(TFS) IGBT系列产品
  • 关键字: 意法半导体  IGBT  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10个机型, 产品阵容丰富且支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101

  •   全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型,该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2),而且产品阵容丰富,拥有13个机型。  ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产,在SiC功率元器件领域,ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场,ROHM也及时确立车载品质,并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
  • 关键字: ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半导体推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET,补足成长的生态系统,并为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势

  •   2019年3月19日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。  这标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC 生态系统,包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件,以及
  • 关键字: 安森美  MOSFET  

600V 超级结MOSFET “PrestoMOS”系列产品助力变频空调节能

  •   全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时,提高设计灵活度,非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日,该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。  此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术,实现了极快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比,轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外,通过提高导通MOSFET所需要的电压水
  • 关键字: ROHM  MOSFET   

2019年中国功率半导体市场规模逾人民币2,900亿元

  • TrendForce在最新《中国半导体产业深度分析报告》指出,受益新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币,其中离散式元件市场规模为1,874亿元人民币,较2017年成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币,较2017年增长8%。
  • 关键字: 功率半导体  IGBT  

Diodes 公司的双极晶体管采用 3.3mm x 3.3mm 封装并提供更高的功率密度

  •   Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商,产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP 功率双极晶体管,采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm),可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP 晶体管的尺寸较小,可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路,提供更高的功率密度设计。 
  • 关键字: Diodes  MOSFET   
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