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igbt,mosfet 文章

IGBT场效应管的工作原理及检测方法

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点,已逐步取代晶闸管和GTO(门极可关断晶闸管),是目前发展最为迅速的新一代电
  • 关键字: IGBT  场效应管  

更换老化的栅极驱动光电耦合器

  • 电机用于电梯、食品加工设备、工厂自动化、机器人、起重机……这样的例子不胜枚举。交流感应电机在这种应用中很常见,且总是通过用于电源级的绝缘栅双极晶体管(IGBT)来实现驱动。典型的总线电压为200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用电子换向,以实现交流感应电机所需的正弦电流。在设计电机驱动器时,保护操作重型机械的人员免受电击是首要考虑因素,其次应考虑效率、尺寸和成本因素。虽然IGBT可处理驱动电机所需的高电压和电流,但它们不提供防止电击的安全隔离。在系统中提供安全隔离的重要任务由驱动IGBT的栅极驱动
  • 关键字: 电机  IGBT  

安森美半导体基于SiC的混合IGBT 和隔离型大电流IGBT门极驱动器将在欧洲PCIM 2019推出

  • 2019年4月30日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术,提供低导通损耗和开关损耗,用于多方面的电源应用,包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用,如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒
  • 关键字: 安森美半导体  IGBT  SiC肖特基二极管技术  

现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制

  •   Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers       作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司(德国 慕尼黑)  摘要:通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。  关键词:IGBT; MOSFET; 栅极驱动器;耐受性;隔离    &nb
  • 关键字: 201905  IGBT  MOSFET   栅极驱动器  耐受性  隔离  

工程师必须掌握的MOS管驱动设计细节

  • 一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G、S两级之间,有结电容存在。这个电容会让驱动MOS变的不那么简单......
  • 关键字: MOS  MOSFET  

意法半导体的先进IGBT专为软开关优化设计 可提高家电感应加热效率

  •   意法半导体的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER™IGBT两款产品能够在软开关电路中实现最佳的导通和开关性能,提高谐振转换器在16kHz-60kHz开关频率范围内的能效。  新IH系列器件属于意法半导体针对软开关应用专门优化的沟栅式场截止(TFS) IGBT产品家族,适用于电磁炉等家电以及软开关应用的半桥电路,现在产品设计人员可以选用这些IGBT,来达到更高的能效等级。除新的IH系列外,意法半导体的软开关用沟栅式场截止(TFS) IGBT系列产品
  • 关键字: 意法半导体  IGBT  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10个机型, 产品阵容丰富且支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101

  •   全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型,该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2),而且产品阵容丰富,拥有13个机型。  ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产,在SiC功率元器件领域,ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场,ROHM也及时确立车载品质,并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
  • 关键字: ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半导体推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET,补足成长的生态系统,并为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势

  •   2019年3月19日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。  这标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC 生态系统,包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件,以及
  • 关键字: 安森美  MOSFET  

600V 超级结MOSFET “PrestoMOS”系列产品助力变频空调节能

  •   全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时,提高设计灵活度,非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日,该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。  此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术,实现了极快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比,轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外,通过提高导通MOSFET所需要的电压水
  • 关键字: ROHM  MOSFET   

2019年中国功率半导体市场规模逾人民币2,900亿元

  • TrendForce在最新《中国半导体产业深度分析报告》指出,受益新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币,其中离散式元件市场规模为1,874亿元人民币,较2017年成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币,较2017年增长8%。
  • 关键字: 功率半导体  IGBT  

Diodes 公司的双极晶体管采用 3.3mm x 3.3mm 封装并提供更高的功率密度

  •   Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商,产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP 功率双极晶体管,采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm),可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP 晶体管的尺寸较小,可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路,提供更高的功率密度设计。 
  • 关键字: Diodes  MOSFET   

Vishay携最新MOSFET、IC、无源器件和二极管技术亮相APEC 2019

  •   2019年3月12日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆(Anaheim,California)举行的2019年国际应用电力电子展会(APEC)上展示其强大产品阵容。Vishay展位设在411展台,将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。  在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix电源IC包括SiC9xx microBR
  • 关键字: Vishay  MOSFET  

变频器中IGBT爆炸原因分析,深入透彻!

  •   IGBT是电力电子装置的CPU,在电力电子变流和控制中起着举足轻重的作用。变频器中,IGBT模块更为重要。但是,IGBT模块会经常出现爆炸的情况。下面,小编就结合案例具体分析一下。  定义  一、IGBT爆炸:因为某些原因,模块的损耗十分巨大,热量散不出去,导致内部温度极高,产生气体,冲破壳体,这就是所谓的IGBT爆炸。  二. IGBT爆炸原因分析  1.爆炸的本质是发热功率超过散热功率,内部原因应该就是过热。  2.人为因素 (1)进线接在出线的端子上(2)变频器接错电源(3)没按要求接负载3.常
  • 关键字: IGBT,变频器  

满足新能源汽车应用的SiC MOSFET系列产品

  •   世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链,包括:电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用,形成了较为完整的产业链体系,正在大力进行垂直整合,全面推进从产业源头到末端的全链贯通。  主要应用  w高效服务器电源 w新能源汽车 w充电桩充电模组  w光伏逆变器 w工业电机 w智能电网 w航空航天  SiC MOSFET系列  产品覆盖额定电压650-1200V,额定电流30-92A,可满足多
  • 关键字: 新能源汽车  MOSFET  

集邦咨询:需求持续扩张,2019年中国功率半导体市场规模逾2,900亿元

  •   Mar. 7, 2019 ---- 全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币,较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币,较2017年同比增长8%。  集邦咨询分析师谢瑞峰指出,功率半导体作为需求驱动型的产业,2019年
  • 关键字: IGBT  SiC   
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