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igbt,mosfet 文章

IGBT扫盲文,IGBT基础与运用知识学习

  •   IGBT基础与运用  IGBT, 中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快 的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz 频率范围内。  理想等效电路与实际等效电路如图所示:  IGBT 的静态特性一般用不到,暂时不用考虑,重点考虑动态特性(开关特性)。  动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取
  • 关键字: IGBT,MOSFET  

五大领域齐发力 三菱电机创新产品持续抢占市场新高地

  •   随着功率半导体的不断发展和技术进步,功率器件下游产业的稳步扩张,未来在政策资金支持以及国内新能源汽车的蓬勃发展下,国内功率半导体产业将迎来黄金发展期。  6月26日,PCIM 亚洲 2018展会在上海世博展览馆隆重举行。作为全球500强企业,同时也是现代功率半导体器件的开拓者,大中国区三菱电机半导体携多款功率器件产品及相关解决方案亮相,同时发布了更高集成度、更小体积、更能降低生产成本,并拥有全面保护功能的表面贴装型IPM,以及助力新能源发电应用新封装大功率IGBT模块两款最新产品。  (图一:2018
  • 关键字: 三菱电机  IGBT  

宜特跨攻MOSFET晶圆后端处理集成服务

  •   随着电子产品功能愈来愈多元,对于低功耗的要求也愈来愈高, MOSFET成为车用电子、电动车势不可挡的必备功率组件,而在目前市面上产能不足,客户庞大需求下,电子产品验证服务龙头-iST宜特科技今宣布,正式跨入「MOSFET晶圆后端处理集成服务」,目前已有20多家海内外厂商,包括全球知名晶圆厂、IDM厂商、IC设计企业已于今年第一季底,前来宜特进行工程试样,并于第二季初开始进行小量产,并在下半年正式量产。  宜特董事长 余维斌指出,在车用可靠度验证分析本业上,已做到亚洲龙头,然而在服务客户的同时,发现了此
  • 关键字: MOSFET  晶圆  

发力新能源汽车市场 华虹宏力荣膺功率半导体十佳企业

  •   《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》明确表示国家将大力发展新能源汽车,而IGBT、碳化硅器件等作为新能源汽车的核心器件,国产化替代需求巨大。6月22日,“2018国际新能源汽车功率半导体关键技术论坛”在北京举行,旨在把行业最优的核心器件推广至新能源汽车应用。作为全球第一家提供沟槽型场截止型(Trench FS, Field Stop)IGBT量产技术的8英寸代工厂,华虹宏力在IGBT代工领域有口皆碑,始终以深厚的技术底蕴和卓越的性能品质深受客户认可,会上被授予“新能源汽车功率半导体十佳企业”。  
  • 关键字: 华虹宏力  IGBT  

英飞凌将在 PCIM Asia 2018 展示面向整个电能供应链的前沿技术和解决方案

  •   英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称英飞凌)将于6月26 - 28日参加在上海世博展览馆举办的 PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。英飞凌将在2号馆的F 01展台,展示涵盖整个电能供应链的领先产品和全套系统及应用解决方案。此外,英飞凌的技术专家还将就产品和应用发表多篇论文,并在同期的国际研讨会上进行交流。  从前沿的硅基 MOSFET 和 IGBT 到数字化功率创新,以及最新的碳化硅和氮化镓技术,英飞凌芯片对于提高发电、输电和用电效率起着至关重要的作用。此次,英飞凌将围绕“赋能世
  • 关键字: 英飞凌  IGBT   

意法半导体推出离线转换器 提高5-30V电源的雪崩耐量、能效和灵活性

  •   意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET,可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器,其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压,并提高诸多消费和工业电源的灵活性。  逻辑级原边MOSFET让VIPer11能够在4.5V至30V的宽电源电压范围内工作,可用于设计高效的5V输出开关电源。结合内部高压启动、误差放大器和降低EMI干扰的抖动振荡器等功能,这种优势可简化设计,节省空间和物料清单成本。  VIPer11高压转换器可实现由整流的AC线或其它直流电源直接供电的反激
  • 关键字: 意法半导体,MOSFET  

超软IGBT续流二极管具备行业领先的低损耗特性

  •   英飞凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出专为现代IGBT应用而设计的新型二极管系列:英飞凌Prime Soft。该二极管具备改进的关断能力,关断速度可达5 kA/µs。Prime Soft以广受好评的基于单硅芯片设计的IGCT续流二极管系列为基础。该二极管的典型应用为使用电压源变换器的HVDC/FACT和中压驱动设备,这些应用的特点是对功率损耗的要求很高。  采用新型Prime Soft二极管的客户将受益于行业领先的低导通损耗。这是通过单硅芯片设计实现的,与多芯片二极管相比,其
  • 关键字: 英飞凌,IGBT  

工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案

  •   前言  包括光伏逆变器、电气驱动装置、UPS及HVDC在内的功率转换系统,需要栅极驱动器、微控制器、显示器、传感器及风扇来使系统正常运行。这类产品需要能够提供12V或24V低电压电源的辅助电源。辅助电源则需要输入通常工业设备所使用的三相400/480V AC电源、或太阳能光伏逆变器所使用的高电压DC电源才能工作。本文将介绍融入了ROHM的SiC技术优势且设计简单、性价比高的电源解决方案。  小型辅助电源用SiC MOSFET  图1是辅助电源所用的普通电路。在某些输入电压条件下,MOSFET的最高耐压
  • 关键字: SiC,MOSFET  

创新和更迭 揭秘三菱电机半导体新品

  •   自上世纪八十年代后期推出IGBT模块后,三菱电机至今已成功将第七代IGBT模块推向市场。在持续性和创造性的研发下,三菱电机在变频家电、工业新能源、电动汽车、轨道牵引四大领域不断深耕,致力于提供低损耗、高性能和高可靠性的产品。  一年一度的PCIM亚洲展今年将于6月26-28日在上海世博展览馆举办,届时,三菱电机将携19款功率模块将集体亮相,而其中有7款新型功率模块备受期待。(三菱电机展位号:D09)  在变频家电领域,三菱电机成功发布面向变频冰箱和风机驱动的SLIMDIP-S以及面向变频空调和洗衣机的
  • 关键字: 三菱电机  IGBT  

在低功率压缩机驱动电路内,意法半导体最新超结MOSFET与IGBT技术能效比较

  •   摘要  电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。  为满足市场需求,意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术,例如, IGBT和最新的超结功率MOSFET。  本文在实际工况下的一个低功耗电机驱动电路(例如,小功率冰箱压缩机)内测试了基于这两种功率技术的SLLIMM™-nano(小型低损耗智能模压模块),从电热性能两个方面对这两项技术进行了详细的分析和比较。  1前言  家电厂商不断地寻求更高的产品能效,以符合日益趋严的能效法规,达到降低能耗和节省电费的目的。更具体地讲
  • 关键字: 意法半导体  IGBT  

汽车芯片完全自主化难实现,从周边蚕食是突破口

  • 目前全球三分之一的汽车在中国制造,但令人尴尬的现状是,整车中几乎所有的芯片都要依赖进口。从自主、可控、安全角度来看,汽车主控国产化同样紧迫。
  • 关键字: 芯片  IGBT  

650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现最大功率密度

  •   英飞凌科技股份公司进一步壮大其薄晶圆技术TRENCHSTOP™5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供最高40 A 650V IGBT,它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3(亦称D2PAK)封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度日益增长的需求,适于使用自动化表面贴装生产线。要求最大功率密度和能效的典型应用包括太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电池充电和蓄电等。  英飞凌的超薄TRENCHSTOP 5技术可以缩小芯片尺寸、提高
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  

计算MOSFET非线性电容

  •   最初为高压器件开发的超级结MOSFET,电荷平衡现在正向低压器件扩展。虽然这极大地降低了RDS(ON) 和结电容,但电荷平衡使后者非线性进一步加大。MOSFET有效储存电荷和能量减少,而且显著减少,但计算或比较不同MOSFET参数以获得最佳性能变得更加复杂。  MOSFET三个相关电容不能作为VDS的函数直接测量,其中有的需要在这个过程中短接或悬空。数据手册最终测量给出的三个值定义如下:  CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD  三者中,输入电容CG
  • 关键字: MOSFET  非线性电容  

这一广泛使用的器件中国技术不差,差距在于产业化

  •   特朗普政府发起的贸易战虽然收场,但这几个月,人们开始寻找中国可能被卡脖子的短板,中国大量进口的IGBT也被挖了出来。有媒体就认为,由于中国IGBT需要大量进口,而这个产业又被西方国家把持,对于中国正在大力发展的高铁和新能源汽车来说是一个潜在的威胁。不过,在IGBT技术上,中国其实并不差,大量依赖进口,并非技术水平不行。  造成大量进口国外产品的局面,只是因为商业上和其他一些原因。  IGBT市场基本被外商垄断  IGBT英文全称是Insulated Gate Bipolar Transistor,也就
  • 关键字: IGBT  DRAM  

青铜剑科技获得中车时代投资的战略投资

  •   2018年5月17日,中国中车旗下中车时代投资与青铜剑科技在湖南株洲签署了战略投资协议。  中车时代投资董事长王鹏博士、副总经理潘艺、投资管理部部长阳灿与青铜剑科技董事长汪之涵博士、研发总监黄辉、营销总监陈恒星出席了签约仪式。  弘扬中国制造,铸就民族品牌,坚持自主创新是中国中车和青铜剑科技的共同话题和重要纽带。此次战略投资的达成,表明了中国中车对青铜剑科技在电力电子核心芯片与器件领域创新能力的认可。  中国中车是全球规模领先、品种齐全、技术一流的轨道交通装备供应商,具有强大的技术研发能力和科技创新能
  • 关键字: 青铜剑科技   轨道交通   IGBT   电力电子  新能源汽车   
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igbt,mosfet介绍

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