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igbt,变频器 文章

东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦,适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1],其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器,来控制中大电流IGBT和MOSFET。目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大,这会在工作中消耗基极电流。新产品能够
  • 关键字: IGBT  MOSEFT  

Power Integrations出炉简单易用的SCALE-2即插即用型门极驱动器,适用于压接式IGBT模块

  • 中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的创新者Power Integrations近日推出1SP0351 SCALE-2™单通道+15/-10V即插即用型门极驱动器,新产品专为东芝、Westcode和ABB等厂商的新款4500V压接式IGBT (PPI)模块而开发。新的门极驱动器基于Power Integrations广泛使用的SCALE-2芯片组设计而成,非常适合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性应用。1SP0351驱动器装备了动态高级有源钳位功能(DAAC)、短路保护
  • 关键字: 门极驱动器  IGBT  

工业电机用功率半导体的动向

  • Steven Shackell  (安森美半导体 工业业务拓展经理)摘  要:电动工具用电机正从有刷直流(BDC)转向无刷直流(BLDC)电机;工业电机需要更高能效的电机,同时 需要强固和高质量。安森美以领先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列赋能和应对这些转变带来的商机。 关键词:电机;电动工具;MOSFET;工业;IGBT;IPM安森美半导体提供全面的电机产品系列,尤其是功 率半导体方面。安森美半导体因来自所有电机类型的 商机感到兴奋,并非常看好无刷直流电机(BLDC)应用 (例如电动工具),
  • 关键字: 202003  电机  电动工具  MOSFET  工业  IGBT  IPM  

全力以赴抗疫情 开足马力促生产——华虹二厂投入再创新高

  • 基于国内外大客户对高端功率半导体器件的旺盛需求,特别是超级结产品(SJ)和绝缘栅双极型器件(IGBT)的应用,华虹集团旗下华虹二厂在2020年1月的投入再创新高,光刻层数达到了48万!生产线在年度动力检修后已满负荷运行,在1月也取得了出货6.12万片晶圆的佳绩!
  • 关键字: 半导体  IGBT  SJ  华虹  

变频器为什么使用制动电阻?

  • 在变频调速系统中,电机的降速和停机是通过逐渐减小频率来实现的,在频率减小的瞬间,电机的同步转速随之下降,而由于机械惯性的原因,电机的转子转速未变。当同步转速小于转子转速时,转子电流的相位几乎改变了180度,电机从电动状态变为发电状态;与此同时,电机轴上的转矩变成了制动转矩,使电机的转速迅速下降,电机处于再生制动状态。电机再生的电能经续流二极管全波整流后反馈到直流电路。由于直流电路的电能无法通过整流桥回馈到电网,仅靠变频器本身的电容吸收,虽然其他部分能消耗电能,但电容仍有短时间的电荷堆积,形成“泵升电压”,
  • 关键字: 变频器  电机  

关于半桥电路中抗dv/dt噪声干扰的安全工作区分析及其解决方案

  •   王定良(电子科技大学 电子科学与工程学院,四川 成都 610054)  摘  要:作为电机驱动电路的智能功率模块(IPM)正变得越来越重要,但是越来越快的开关速度,可能会引起IPM模块中的IGBT的误触发。另外,过高的dV/dt也会在IGBT关断状态下产生雪崩击穿。本文结合半桥电路的寄生参数模型,完善传统公式的推导。基于对公式与IGBT擎住现象的分析,并结合IGBT的安全工作区提出了一种根据dv/dt的大小来动态扩展IGBT安全工作区的电路结构,改善了传统半桥电路工作时的可靠性。  关键词:IGBT;
  • 关键字: 202002  IGBT  误触发  dV/dt  可靠性  

东芝面向电压谐振电路推出新款分立IGBT,有助于降低功耗并简化设备设计

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出“GT20N135SRA”,这是一款用于桌面电磁炉、电饭煲、微波炉等家用电器电压谐振电路的1350V分立IGBT。该产品于今日起开始出货。 GT20N135SRA产品图GT20N135SRA的集电极-发射极的饱和电压[1]为1.75V,二极管正向电压[2]为1.8V,分别比东芝当前产品[3]低10%和21%。IGBT和二极管都针对高温(TC=100℃)条件下的导通损耗特性进行了改进,而且新款IGBT还有助于降低设备功耗。该产品的结壳热阻为0
  • 关键字: IGBT  分立  

CISSOID与国芯科技签署战略合作协议

  • 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布:在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上,公司与湖南国芯半导体科技有限公司(简称“国芯科技”)签署了战略合作协议,将携手开展宽禁带功率技术的研究开发,充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势,并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来,宽禁带半导体功率器件(如碳化硅SiC和氮化镓GaN等)凭借多方面的性能优势,在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而,在各类应用中
  • 关键字: IGBT  SiC  GaN  

同类最佳的超级结MOSFET和 具成本优势的IGBT用于电动汽车充电桩

  • 插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统,可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能,开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有IGBT、超结MOSFET和碳化硅(SiC)。安森美半导体为电动汽车OBC和直流充电桩提供完整的系统方案,包括通过AEC车规认证的超级结MOSFET、IGBT、门极驱动器、碳化硅(SiC)器件、电压检测、控制产品乃至电源模块等,
  • 关键字: 超级结MOSFET  IGBT  充电桩  

隔离式栅极驱动器的重要特性

  •   Thomas Brand(ADI慕尼黑公司 现场应用工程师)  摘 要:探讨了IGBT隔离式栅极驱动器的重要特性。  关键词:IGBT;隔离式;栅极驱动器  在功率电子(例如驱动技术)中,IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制,其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗,要求具备较短的开关时间。然而,快速开关同时隐含着高压瞬变的危险,这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此,为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器,还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而,在选择栅极驱动器
  • 关键字: 201909  IGBT  隔离式  栅极驱动器  

24GHz至44GHz宽带集成上变频器和下变频器:可提升微波无线电性能,同时缩小尺寸

  • ADI公司推出了一对高集成的微波上下变频器,ADMV1013和ADMV1014。这两颗器件的工作频率极宽,从24 GHz到44 GHz,并提供50 Ω匹配,同时可以支持大于1 GHz的瞬时带宽。ADMV1013和ADMV1014的性能特性简化了小型5G毫米波(mmW)平台的设计和实现,这些平台包括回传和前传应用中常见的28 GHz和39 GHz频段,以及许多其他的超带宽发射器和接收器应用。每个上变频器和下变频器芯片都是高集成的(见图1),由IQ混频器及片内正交移相器构成,可配置为基带IQ模式(零中频,IQ
  • 关键字: 变频器  微波  

向小功率和大功率延伸 三菱电机五大新品看点

  • 在产业电子化升级过程中,作为电子产品的基础元器件之一的功率半导体器件越来越得到重视与应用。而中国作为需求大国,已经占有约39%的市场份额,在中国制造业转型升级的关键时期,对功率半导体器件的需求将会越来越大。自上世纪80年代起,功率半导体器件MOSFET、IGBT和功率集成电路逐步成为了主流应用类型。其中IGBT经历了器件纵向结构、栅极结构以及硅片加工工艺等7次技术演进,目前可承受电压能力达到6500V,并且实现了高功率密度化。在此背景下,6月26-28日,PCIM亚洲展2019将在在上海世博展览馆举行,三
  • 关键字: 三菱电机  PCIM亚洲展  IGBT  

IGBT场效应管的工作原理及检测方法

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点,已逐步取代晶闸管和GTO(门极可关断晶闸管),是目前发展最为迅速的新一代电
  • 关键字: IGBT  场效应管  

更换老化的栅极驱动光电耦合器

  • 电机用于电梯、食品加工设备、工厂自动化、机器人、起重机……这样的例子不胜枚举。交流感应电机在这种应用中很常见,且总是通过用于电源级的绝缘栅双极晶体管(IGBT)来实现驱动。典型的总线电压为200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用电子换向,以实现交流感应电机所需的正弦电流。在设计电机驱动器时,保护操作重型机械的人员免受电击是首要考虑因素,其次应考虑效率、尺寸和成本因素。虽然IGBT可处理驱动电机所需的高电压和电流,但它们不提供防止电击的安全隔离。在系统中提供安全隔离的重要任务由驱动IGBT的栅极驱动
  • 关键字: 电机  IGBT  

安森美半导体基于SiC的混合IGBT 和隔离型大电流IGBT门极驱动器将在欧洲PCIM 2019推出

  • 2019年4月30日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术,提供低导通损耗和开关损耗,用于多方面的电源应用,包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用,如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒
  • 关键字: 安森美半导体  IGBT  SiC肖特基二极管技术  
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igbt,变频器介绍

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