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high-speed 文章 进入high-speed技术社区

High-NA EUV光刻机入场,究竟有多强?

  • 光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。从早期的深紫外光刻机(DUV)起步,其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础;再到后来的极紫外光刻机(EUV)以其独特的极紫外光源和更短的波长,成功将光刻精度推向了新的高度;再到如今的高数值孔径光刻机(High-NA)正式登上历史舞台,进一步提升了光刻的精度和效率,为制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官网显示,其组装了两个 TWINSCAN EXE:5000 高数值孔径光刻系统。其中一个由 ASM 与 imec 合作开发,将于 2024 年安装在 A
  • 关键字: High-NA EUV  

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术

  • 3 月 27 日消息,据荷兰媒体 Bits&Chips 报道,ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术,运行效率得以提升。根据IT之家之前报道,NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装,可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量,相较以往机型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技术 High-NA(高数值孔径) EUV 采用了更宽的光锥,这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽,会导致影响晶圆吞吐量的光损失。
  • 关键字: ASM  NXE:3800E EUV  光刻机  High-NA  

英特尔是否正在垄断ASML HIGH NA光刻机?

英特尔拿下首套High-NA EUV,台积电如何应对?

  • 英特尔(intel)近日宣布,已经接收市场首套具有0.55数值孔径(High-NA)的ASML极紫外(EUV)光刻机,预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。 相较之下,台积电则采取更加谨慎的策略,业界预计台积电可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。业界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,这也是台积电暂时观望的原因,台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术,以确保产品竞争力。Hig
  • 关键字: 英特尔  High-NA EUV  台积电  

SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革

  • 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据的单元晶体管(Cell Transistor)、恢复数据的核心晶体管(Core Tr
  • 关键字: SK海力士  High-k  Metal Gate  

拆解报告:MOVE SPEED移速20W小精灵快充

  •   MOVE SPEED移速近期推出了一款20W PD快充迷你充电器,型号为YSFCP101-20W,还为其取了个很好听的名字——小精灵。这款产品支持QC、PD以及PPS等快充协议,可以满足iPhone 12手机全速快充需求,对其它品牌安卓机也有很好的兼容性,下面充电头网就对其进行拆解,看看用料做工如何。一、移速20W小精灵快充外观  包装盒蓝白配色,正面印有品牌、充电器外观图、名称以及20W、CCC认证标识等。  背面印有商家信息。  侧面印有充电器参数。  另一侧面印有产品四大特性标识。  包装内含充
  • 关键字: MOVE SPEED  快充  拆解    

基于LEON3处理器和Speed协处理器的复杂SoC设计实现

  •   前言   随着科技的发展,信号处理系统不仅要求多功能、高性能,而且要求信号处理系统的开发、生产周期短,可编程式专用处理器无疑是实现此目的的最好途径。可编程专用处理器可分为松耦合式(协处理器方式,即MCU+协处理器)和紧耦合式(专用指令方式,即ASIP),前者较后者易于实现,应用较广。本文就是介绍一款松耦合式可编程专用复杂SoC设计实现,选用LEON3处理器作为MCU,Speed处理器作为Coprocessor。   LEON3及Speed   LEON3是由欧洲航天总局旗下的Gaisler Re
  • 关键字: LEON3  Speed  

High-end A4监听音箱的制作

  • 一、设计及制作由于普通家庭室.内空间不够宽敞,要求音箱做得尽可能小巧一些,摆放在室内不致引人注意。然而,音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系:no=knmiddot;f33middot;VB上式中,kn是箱体系
  • 关键字: 制作  音箱  监听  A4  High-end  

High-end A4监听音箱的制作方法

  • 一、设计及制作由于普通家庭室.内空间不够宽敞,要求音箱做得尽可能小巧一些,摆放在室内不致引人注意。然而,音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系:no=knmiddot;f33middot;VB上式中,kn是箱体系
  • 关键字: 制作方法  音箱  监听  A4  High-end  

安森美ADS软件的 High-Q IPD工艺设计套件

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 安森美  ADS  High-QIPD  高电阻率  硅铜  

如何制作High-end A4监听音箱

  • 一、设计及制作
    由于普通家庭室.内空间不够宽敞,要求音箱做得尽可能小巧一些,摆放在室内不致引人注意。然而,音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系:
    no=knmiddot;f33middot;VB
    上式中,k
  • 关键字: 监听  音箱  A4  High-end  制作  如何  

Derive simple high-current source from lab sup

  • Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
  • 关键字: high-current  Derive  simple  source    

制作High-end A4监听音箱的方法

  • 一、设计及制作
    由于普通家庭室.内空间不够宽敞,要求音箱做得尽可能小巧一些,摆放在室内不致引人注意。然而,音箱的效率no与箱体容积VB和低频-3d8滚降点f3有以下关系:
    no=kn・f33・VB
    上式中,kn是箱体系数,
  • 关键字: 音箱  方法  监听  A4  High-end  制作  

IBM公司介绍新款多功能处理器Wire-Speed Power

  •   在近日举办的国际固态电路研讨会ISSCC上,IBM公司介绍了一种定位介于服务器处理器和网络用处理器之间的新型处理器,他们将这种处理器命名为 Wire-Speed Power处理器,这种处理器据IBM公司称是面向新的系统级产品市场推出的,其应用领域包括网络边缘设备,服务器智能化I/O以及分布式运算等。   IBM公司负责wire-speed架构设计的首席设计师Charlie Johnson表示:“我认为这款产品是IBM有史以来开发的最复杂的产品。”IBM方面展示的有关介绍文件称
  • 关键字: IBM  处理器  Wire-Speed Power  

半导体设备业研发经费拮据 联盟关系将成救星

  •   市场研究机构Gartner警告,半导体设备产业的研发预算恐怕在接下来的五年内大幅削减80亿美元,使该产业领域陷入危机。不过该机构资深分析师Dean Freeman也表示,研发联盟的兴起将成为救星。   缺乏适当的投资将导致技术蓝图延迟,而且公司恐怕无法做好迎接未来挑战的准备;在目前营收低迷的情况下,半导体设备业正面临着如此的危机点。不过Freeman却认为,在这一轮不景气中最大的不同,就是在过去十年来有不少产业联盟的建立,而这些结盟关系在某些程度上减轻了业者因营收减少对研发所带来的冲击。   Fr
  • 关键字: 半导体设备  通孔硅  high-k金属闸极  
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