- 介绍了一款满足于5G通信发展要求，工作频率高增益，高线性度，高三阶交调点的射频放大器的设计。采用砷化镓异质结晶体管（GaAs HBT）工艺，基于达林顿结构进行设计。在原有结构基础上，添加了偏置结构，一方面提高了放大器工作状态的线性度，提高了三阶交调点指标；另一方面保证晶体管工作电流在-55℃，125℃工作状态下保持稳定。放大器能够工作在10 MHz~4 GHz，输出三阶交调点达到40 dBm，线性度高，适用于5G通信信号处理系统。
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202306 射频放大器 GaAs HBT 三阶交调点 高线性度
- 摘要：针对WIFI 6E频段的设备需求，设计了一款工作在5.9 GHz~7.2 GHz的宽带砷化镓异质结双极型晶体
管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器为三级放大拓扑结构，采用自适应偏置电路结构解决HBT晶体管在
大功率输入下偏置点变化及自热效应引起增益及线性度恶化的问题。测试结果表明，在5.9 GHz~7.2 GHz频段
内，功率放大器增益＞27 dB，输出饱和功率＞1 W，附加效率＞24 %，芯片面积：1.24 mm×1.27 mm。关键词：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
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202206 功率放大器 WIFI 6E GaAs HBT
- 本文介绍了一款用于无线局域网802.11n的10W功率放大芯片。该芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特点，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技术，芯片面积仅为10mm×10mm。功率放大器采用了热分流式结构，饱和输出功率可达41dBm，功率附加效率达到40%，功率增益为38dB。此外芯片内部设计了50欧姆的输入输出匹配电路与片内ESD保护电路，方便用户安全使用。
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功率放大器 802.11n GaAs HBT 热分流 201604
- 2011年9月13日 日本东京讯—高级半导体厂商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）宣布推出新款SiGe:C异质接面晶体管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采用全新开发的硅锗：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并达到领先业界的低噪声效能。
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瑞萨 晶体管 SiGe:C HBT
- 本文设计了四种结构的射频有源电感， 其中包括两种正电感和两种负电感。研究结果表明由晶体管构成的有源电感的性能受晶体管的组态及偏置影响较大。四种电路结构中，由共射放大器与共集放大器级联反馈构成的有源电感性能较好。采用回转器原理实现的有源电感，电感值不随面积减小而减小。改变晶体管的偏置电压，有源电感具有可调谐性。
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电感 设计 有源 射频 SiGe HBT 基于
- Avago Technologies(安华高科技)今日宣布推出两款新经济型容易使用的通用InGaP异质结双极晶体管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方块放大器产品，适合各种不同的无线通信应用。于DC到6,000MHz频带工作，Avago的AVT-51663/53663增益方块可以作为宽带增益方块或驱动放大器使用，这些面向移动通信基础设施应用设计的增益方块也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、卫星电视和机顶盒等各种其他无线通信应
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Avago 放大器 晶体管 HBT
- Strategy Analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底市场年增长率达到22%，但 Strategy Analytics 预计2009年该市场将持平或转负增长。借助下一代蜂窝手机平台上嵌入多砷化镓(GaAs)器件，以及来自其它市场对砷化镓 (GaAs) 器件的需求，半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场在2010年将恢复增长。
一直
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GaAs 外延衬底 FET HBT
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SiGe基区异质结双极型晶体管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技术首次制作出SiGe基区HBT以来，SiGe集成电路的规模和电路的速度不断发展，电流增益和频率响应等性能已经接近或达到了化合物异质结器件的水平。而SiGe异质结技术和传统的Si集成电路相比，在工艺上并未增加大的复杂性，且成本低于化合物半导体器件。最新的SiGe HBT的研究表明已研制出超过200 GHz电流增益峰值达到400的晶体管，并且低温下fT达到200 GHz的SiGeHBT也
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HBT
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