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Intel、AMD推迟支持:DDR5内存明年杀到

  • 据外媒报道称,由于种种原因所致,Intel和AMD两家要在明年才能拿出支持DDR5内存的平台了。三星方面也已经表示,2021年量产DDR5内存,并且使用EUV工艺,制作将会在韩国平泽的新工厂进行,三星同时宣布第一批采用EUV工艺的DDR4内存已经出货了100万。三星表示EUV技术减少了光刻中多次曝光的重复步骤,并提高了光刻的准确度,从而提高性能、提高产量,并缩短了开发时间。三星估计,使用EUV工艺生产DDR5内存,其12英寸D1a晶圆的生产效率会比旧有的D1x工艺的生产力提升一倍。据悉,三星第四代10nm
  • 关键字: 英特尔  内存  GDDR5  DDR5  

英伟达被专利限制 帕斯卡或继续用GDDR5

  •   NVIDIA之前宣称要在2016年导入新型闪存HBM2,用在继麦克斯韦之后的“帕斯卡”架构上,其容量最高可达32GB,性能十分强劲。但是AMD先抢得了HBM首发,AMD的Fury系列是全球第一个配备了HBM高带宽显存的显卡。        HBM虽然不是AMD的发明,但它已经和海力士共同研究了7年之久,特别是主导开发了关键的2.5D封装样式,甚至已经就此申请了专利。所以在专利问题上,NVIDIA面临着不小的麻烦,目前只有两条路可走:要使用2.5D封装,那就必
  • 关键字: 英伟达  GDDR5  

美光出货全球首个20nm GDDR5显存

  •   虽然AMD已经开始使用HBM高带宽显存,NVIDIA明年也会跟上,但在一段时间内,GDDR5仍将是绝对主流。美光今天宣布,已经开始出货全球第一个20nm级别工艺的GDDR5显存颗粒,可用于显卡和游戏主机。美光没有披露任何细节,但看起来应该就是几周前就已开始悄然供货的最新型8Gb GDDR5颗粒。        目前市场上的GDDR5显存基本被三星、海力士所垄断,但工艺都停留在30nm级别,单颗容量也是2Gb、4Gb绝对主流。   美光自身在GDDR5上并不算强势,但两年前收购的日
  • 关键字: 美光  GDDR5  

存储器市场再下一城 三星量产20纳米GDDR5

  •   三星(Samsung)宣布将以该公司20奈米(nm)先进制程,量产业界首款8Gb第五代绘图双倍资料率(GDDR5)动态随机存取记忆体(DRAM)。GDDR5为目前市场上被广泛采用的独立型(Discrete)绘图记忆体。   三星电子记忆体销售与行销执行副总裁Joo Sun Choi表示,三星预期8Gb GDDR5 DRAM可提供原始设备制造商(OEM)最高效的绘图记忆体解决方案,并为游戏机(Game Console)、笔记型电脑及桌上型电脑等装置提供出色的效能。   Joo Sun Choi进一步
  • 关键字: 三星  GDDR5  DRAM  

三星量产1GB GDDR5:8GB显存要成标配

  •   三星电子宣布,已经开始在业内率先量产单颗容量8Gb(1GB)的GDDR5显存,并采用了最新的20nm工艺。与此同时,新颗粒不但比4Gb GDDR5在容量上翻了一番,数据传输率也从7Gbps提升到了8Gbps,创造了GDDR5显存的新高度。 这样的颗粒只需要八颗,就能组成8GB显存,满足高端显卡的需求。   前几天还说GTX 980受制于显存技术无法做到8GB,这下子迎刃而解了。   每颗颗粒的位宽为32-bit,八颗全速运行就能提供256-bit位宽、256GB/s带宽。   虽然说AMD下代显
  • 关键字: 三星  GDDR5  GTX 980  

应用高带宽示波器表征GDDR5数据抖动,确保有效的数据传输

  • GDDR5(GraphicsDoubleDataRate,图形双倍数据速率存储接口,第5版)动态随机存取图形卡存储技术已应用于主流移...
  • 关键字: 示波器  GDDR5  数据抖动  数据传输  

应用高带宽示波器表征 GDDR5 数据抖动,确保有效的数据传输

  • GDDR5(Graphics Double Data Rate,图形双倍数据速率存储接口,第 5 版)动态随机存取图形卡存储技术已应用于主流移动和游戏用户的高性能 GPU(图形处理器)。最新的 GDDR5 技术可提供 5Gb/s 或更高的数据速率。高数据速率条件下,数据抖动测量是了解抖动对数据有效窗口影响的重要手段。
  • 关键字: GDDR5  示波器  WCK  

Hynix宣布开发出首款40nm制程2Gb GDDR5显存芯片

  •   Hynix公司近日宣布成功开发出了业内首款面向PC机和游戏机的40nm制程2Gb GDDR5显存颗粒产品。Hynix称这款新开发出来的GDDR5显存运行频率可达7GHz,在芯片位宽为32位的条件下,芯片的传输带宽可达 28GB/s.这款GDDR5芯片的工作电压为1.35V,比Hynix公司原有基于50nm制程的GDDR5产品能耗可下降20%左右。     Hynix公司计划于明年下半年开始量产这种40nm制程2Gb GDDR5芯片。
  • 关键字: Hynix  40nm  GDDR5  显存芯片  

尔必达宣布完成首款1Gb GDDR5显存芯片的研发

  •   三个月前,日本尔必达公司曾确认称他们从濒临倒闭的奇梦达公司那里得到了其GDDR5显存芯片的技术授权,而本周这家日本公司则正式宣布其首款GDDR显 存芯片产品已经开发完成,产品代号为EDW1032BABG,这是一款1Gb GDDR5显存芯片产品,其芯片位宽可按X32或X16进行配置,并可达到6Gbps的数据传输速度。   预计这款1Gb GDDR5显存芯片将被用于显卡,游戏机以及高性能计算产品中。这款GDDR5显存芯片将于下月开始进入试样阶段,并将于明年第二季度开始批量生产。尽管尔必达并未透露这批
  • 关键字: 奇梦达  显存芯片  GDDR5  

奇梦达携手Advantest共同开发GDDR5测试解决方案

  • 奇梦达携手Advantest开发GDDR5(显示双数据速率5)测试硬件。此次合作旨在开发适用于GDDR5图形DRAM(动态随机存取存储器)的经济有效的大容量测试解决方案。 GDDR5将成为继GDDR3之后的下一个主要显示DRAM标准。GDDR5存储器性能将超过现有的显示标准。全新特性和性能将使GDDR5成为适用于未来高性能显示应用(如PC显卡或游戏控制台)的理想产品。GDDR5标准目前正在由JEDEC制定。新的I/O标准要成功地进入市场需要可制造性的支持,而内存测试正是制造的一个主要部分。   
  • 关键字: Advantest  GDDR5  测量  测试  奇梦达  消费电子  消费电子  
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gddr5介绍

  GDDR5是第五代显存的简称,与之前的显存相比,GDDR5显存采用了新的频率架构,拥有更佳的容错性能,还有着自动降低空闲显存的频率,并支持错误纠正、适应性界面计时等多种新技术。现在已经为大多数的显卡所采用。  显存带宽决定了GPU与显存之间的数据传输速率,通常来说显存带宽越大,显卡性能就越出色,但要提高显存带宽,最直接有效的办法是提升显存位宽。遗憾的是,显存位宽并不是由芯片技术决定,而是取决于 [ 查看详细 ]

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