- 近年来，最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自动驾驶”等时髦的词汇，大家的注意力也都集中在这些领域，但其实，有一个已经真正落地，大部分人都还没注意到的应用——直流无刷电机（BLDC）市场正在悄然兴起，而且成长迅速。根据市场公开的资料，2018年全球无刷直流电机的市场规模为153.6亿美元，乐观的市场研究机构预计未来五年，市场将会以13%的年复合增长率持续增长；当然也有机构认为年复合增长率会在6.5%左右。但不论是6.5%，还是13%的增长率，这个市场都非常值得期待。由于BLDC本身可以节约能源，
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Richtek RT7083GQW MCU Gate Driver 壁挂炉热风机
- 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal
Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,
即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据的单元晶体管(Cell
Transistor)、恢复数据的核心晶体管(Core
Tr
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SK海力士 High-k Metal Gate
- 许多高速数据采集应用，如激光雷达或光纤测试等，都需要从嘈杂的环境中采集小的重复信号，因此对于数据采集系统的设计来说，最大的挑战就是如何最大限度地减少噪声的影响。利用信号平均技术，可以让您的测量测试系统获取更加可靠的、更加有效的测试数据。
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光纤测试 RAM 激光雷达 GATE
- 据消息来源透露，三星公司的芯片制造技术发展战略可能发生较大的变化，他们正在考虑转向使用gate-last工艺制作high-k器件。按照三星原来的计划，他们将在年内推出的28/32nm制程芯片产品中使用gate-first工艺来制作high-k型器件。不过也有人认为三星很可能只在28/32nm制程 中才会采用gate-first工艺，而在22nm制程则会转向采用gate-last工艺。于此同时，三星芯片代工业务部门的副总裁Ana Hunter则拒绝就三星转向gate-last工艺事宜发表任何评论。
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三星 Gate-last
- 去年夏季，一直走Gate-first工艺路线的台积电公司忽然作了一个惊人的决定：他们将在其28nm HKMG栅极结构制程技术中采用Gate-last工艺。不过据台积电负责技术研发的高级副总裁蒋尚义表示，台积电此番作出这种决定是要“以史为鉴”。以下，便让我们在蒋尚义的介绍中，了解台积电28nm HKMG Gate-last工艺推出的背景及其有关的实现计划。
Gate-last是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温
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台积电 Gate-last 28nm
- 新加坡特许半导体计划在今年第四季度推出32nm制造工艺，明年上半年再进一步转入28nm。
特许半导体很可能会在明天的技术论坛上公布32nm SOI工艺生产线的试运行计划，并披露28nm Bulk CMOS工艺路线图，另外45/40nm LP低功耗工艺也已就绪。
特许的28nm工艺并非独立研发，而是在其所处的IBM技术联盟中获取的，将会使用高K金属栅极(HKMG)技术以及Gate-first技术(Intel是Gate-last的坚定支持者)。
特许半导体2009年技术论坛将在台湾新竹市
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特许半导体 32nm 28nm Gate-first
- 台积电28纳米制程再迈大步，预计最快2010年第1季底进入试产，2011年明显贡献营收，台积电可望在28纳米世代迎接中央处理器(CPU)代工订单，目前28纳米制程技术最大竞争对手，仍是来自IBM阵营的Global Foundries与新加坡特许(Chartered)，双方竞争更趋激烈。
台积电表示，已将低耗电制程纳入28纳米高介电层/金属闸(HKMG)制程技术蓝图，预计2010年第3季进行试产，至于28纳米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)则分别于2010年第1季底、第2季底进入试产
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台积电 28纳米 gate-last
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