最新报道，三星的3nm GAA生产工艺存在问题，原计划搭载于Galaxy S25/S25+手机的Exynos 2500芯片在生产过程中被发现存在严重缺陷，导致良品率直接跌至0%。报道详细指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工艺下的生产质量问题，未能通过三星内部的质量检测。这不仅影响了Galaxy S25系列手机的生产计划，还导致原定于后续推出的Galaxy Watch 7的芯片组也无法如期进入量产阶段。值得关注的是，Exynos 2500原计划沿用上一代的10核CPU架构，升级之处在于将采用全新的
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三星 Exynos 芯片 3nm GAA
2 月 2 日消息，根据韩媒 DealSite+ 报道，三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题，尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。报道指出由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通过质量测试，导致后续 Galaxy Watch 7 的芯片组也无法量产。此前报道，Exynos 2500 将沿用上一代的 10 核 CPU 架构，同时引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片
台积电在3nm制程工艺于2022年四季度开始量产之后，研发和量产的重点随之转向下一代2nm制程工艺，计划在2025年实现量产。这意味着工厂及相关的设备要做好准备，以确保按计划顺利量产。台积电进入GAA时代的2nm制程进展顺利，最新援引供应链合作伙伴的消息报道称，位于新竹科学园区的宝山2nm首座晶圆厂P1已经完成钢构工程，并正在进行无尘室等内部工程 —— 最快4月启动设备安装工作，相关动线已勘查完成。而P2及高雄两地的工厂则计划在2025年开始制造采用此项技术的2nm芯片，中科二期则视需求状况预定
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台积电 2nm 制程 晶圆厂 GAA
台积电为全球晶圆代工龙头，后头追兵三星与英特尔来势汹汹，但台积电在技术与订单仍保持一定优势，尤其三星至今在3纳米方面，依然无法取得顶尖客户的信任，三星高层也坦言，一旦台积电在2纳米转进GAA技术，三星还是得向台积电看齐学习。即使如此，三星也打算透过低价策略抢市，与台积电做出差别。综合外媒报导，三星虽在3纳米就开始使用GAA技术，量产时间也比台积电早数个月，但在良率与技术上无法获得客户青睐，苹果、辉达等科技巨头的大单仍在台积电手上，台积电3纳米沿用较旧的FinFET技术。三星不甘示弱，希望能在2纳米领域上扭
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台积电 2纳米 三星 GAA
日立高新技术公司宣布推出其GT2000高精度电子束测量系统。GT2000利用日立高新技术在CD-SEM*1方面的技术和专业知识，在那里占有最大的市场份额。GT2000配备了用于尖端3D半导体器件的新型检测系统。它还利用低损伤高速多点测量功能用于high-NA EUV*2抗蚀剂晶片成像，以最小化抗蚀剂损伤并提高批量生产的产率。日立高新技术（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM将能够实现高级半导体器件制造过程中的高精度、高速测量和检测，这些半导体器件正变得越来越小型化和复杂化，并有助
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日立高新 测试测量 GAA CFET
外媒eNewsEurope报道，英特尔和台积电将在国际电子元件会议（IEDM）公布垂直堆叠式（CFET）场效晶体管进展，这有望使CFET成为十年内最可能接替全环绕栅极晶体管（GAA）的下一代先进制程。CFET场效晶体管将n和p两种MOS元件堆叠在一起，以实现更高的密度。该项技术最初由比利时微电子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。虽然，大多数早期研究以学术界为主，但英特尔和台积电等半导体企业现在已经开始这一领域的研发，借此积极探索这种下一代先进晶体管技术。英特尔表示，研究员建构一个单片3DCFET，
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GAA CFET
三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半导体展会 ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技术的最新进展以及对 SRAM 设计的影响。3纳米GAA MBCFET的优越性GAA指的是晶体管的结构。晶体管是电子电路的组成部分，起到开关的作用，也就是当门极施加电压时，电流在源极和漏极之间通过通道流动。在晶体管设计的优化过程中，有三个关键变量：性能、功耗和面积（PPA）。晶体管制造商一直在不断追求更高的性能、更低的功耗要求和更小的面积。随着晶体管尺寸的缩小，它们的结构也从平面晶
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三星 GAA MBCFET
IT之家 10 月 21 日消息，据 BusinessKorea 报道，三星电子 10 月 20 日在首尔江南区举行了 2022 年三星代工论坛。该公司代工业务部技术开发部副总裁 Jeong Ki-tae 表示，三星电子今年在世界范围内首次成功地量产了基于 GAA 技术的 3 纳米芯片，与 5 纳米芯片相比，3 纳米芯片的功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面积减少了 16%。三星电子还计划不遗余力地扩大其芯片代工厂的生产能力，其目标是到 2027 年将其生产能力提高三倍以上。为此，这家芯片
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三星 GAA 技术
2022年6月30日，作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子今日宣布, 基于3纳米（nm）全环绕栅极（Gate-All-AroundT,简称 GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。较三星5纳米（nm）而言，优化的3纳米（nm）工艺，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面积减少16%三星电子首次实现GAA"多桥-通道场效应晶体管"（简称: MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET）应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高
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三星 3纳米 GAA
据台湾媒体报道，台积电冲刺先进制程，在2nm研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around，简称GAA)技术。台积电台媒称，三星已决定在3nm率先导入GAA技术，并宣称要到2030年超过台积电，取得全球逻辑芯片代工龙头地位，台积电研发大军一刻也不敢松懈，积极投入2nm研发，并获得技术重大突破，成功找到切入GAA路径。台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁，还为此举办庆功宴，感谢研发工程师全心投入。台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产，业界以
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台积电 2nm GAA
每年十二月，在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛，在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。这个会会议就是IEEE国际电子元件会议(International
Electron Devices Meeting，缩写：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工业界与学界的管理者、工程师和科学家将会聚集在一起讨论纳米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与纳米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、
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DRAM GAA-FET
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