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非易失性存储器FeRAM、MRAM和OUM

  • 本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。铁电存储器(FeRAM)铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器,具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前应用于存储
  • 关键字: FeRAM  MRAM  OUM  非易失性存储器    

扬长补短发展FeRAM

  •   存储器在半导体行业就是一块万能膏药,或者嵌入到SoC里或者当做单独的存储元件,有数据计算和程序存储的要求就有它的用武之地。当前的主流半导体存储器可以简单的分成易失性和非易失性两部分,它们各有所长,应用领域也因这一特性而是泾渭分明。   易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM,SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据,但是RAM 类型的存储器易于使用、性能好。非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于ROM(只读存储器)技术,包
  • 关键字: DRAM  FeRAM  RAM  SRAM  存储器  
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feram介绍

  FeRAM.它是利用铁电薄膜的双稳态极化特性——电滞回线制备的非易失性存储器,将铁电薄膜技术与集成电路工艺相结合制作铁电存储器(FeRAM)是新兴的边缘学科-集成铁电学中电引入瞩目的研究方向。  从目前的市场情况看,不挥发存储器的市场增长速度已高于DRAM和SRAM。应用需求主要在非接触IC卡、智能卡、移动电话、掌上电脑、手提计算机、嵌入式微处理器等领域。不挥发存储器最巨大的市场增长点在嵌入式 [ 查看详细 ]

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