首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> exagan

exagan 文章

ST和Exagan携手开启GaN发展新章节

  • 氮化镓(GaN)是一种III/V族宽能隙化合物半导体材料,能隙为3.4eV,电子迁移率为1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和电子迁移率则分别为1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此,GaN的固有特性,让组件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻,亦即相较于同尺寸的硅基组件,GaN可处理更大的负载、效能更高,而且物料清单成本更低。在过去的十多年里,产业专家和分析人士一直在预测,GaN功率开关组件的黄金时期即将到来。相较于应用广泛的MOSFET硅功率组件,GaN功率组件具备更高的效率和更强的功耗处理能力,这
  • 关键字: ST  Exagan  GaN  
共1条 1/1 1

exagan介绍

您好,目前还没有人创建词条exagan!
欢迎您创建该词条,阐述对exagan的理解,并与今后在此搜索exagan的朋友们分享。    创建词条

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473