- 1概述当今计算机系统DDR3存储器技术已得到广泛应用，数据传输率一再被提升，现已高达1866Mbps.在这种高速总线条件下，要保证数据传输质量的可靠性和满足并行总线的时序要求，对设计实现提出了极大的挑战。本文主要使
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DDR3内存 PCB仿真 时序分析
- 日本尔必达公司近日宣布，针对下一代移动设备如智能手机和平板电脑的LPDDR3内存颗粒开发完成，预计年底开始试产，2012年下半年开始量产。目前市面上的所今ARM架构SoC处理器以及新鲜亮相的NVIDIA Tegra 3，高通Snapdragon S4集成的内存控制器均为LPDDR2。尔必达这一产品瞄准的应该是ARM Cortex-A15架构SoC上市后的广大市场空间，以及有可能加入战局的Intel Medfield核心SoC。
尔必达新鲜研发的LPDDR3内存颗粒采用30nm CMOS制程，FB
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尔必达 DDR3内存
- 内存生产商奇梦达和美光先于三星电子，推出了DDR3 DRAM内存的样品。该公司的营销副总裁简尼-马凯（Jenn Markey）称，长期以来市场一直期待，速度有希望比DDR2高一倍、能耗却不会显著增加的DDR3的出现，只是奇怪美光和奇梦达能在DRAM市场传统领先者三星之前推出。 DDR3的数据传输速率可达到1600Mb/s（1600兆位/秒），电源电压却从1.8伏特下降到1.5伏特，这可降低能耗和延长移动设备的电池寿命。美光内存部门高级营销主管比
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DDR3内存 美光 奇梦达 三星 消费电子 存储器 消费电子
ddr3内存介绍
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