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cmos.dram 文章

贸泽开售Skyworks Solutions适用于军事和航电设计的高速光耦合器

  • 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 近日开始备货Skyworks Solutions的OLI300、OLS300、OLI500和OLS500高速光耦合器。这些光耦合器在输入端和输出端之间具有1500VDC电气隔离,设计用于航空电子、生物医学材料、雷达、航天、监控系统、仪器仪表和军事通信等应用。OLI300和OLS300光耦合器适用于将晶体管-晶体管逻辑 (TTL) 连接到低功耗肖特基晶体管-晶体管逻辑 (LSTTL)。这两款光耦合器还适合用在互
  • 关键字: TTL  CMOS  LSTTl  LEd  

第四代低功耗动态 DRAM 与其延展版的车辆应用解决方案

  • 日本计划在东京奥运会上展示无人驾驶技术,展现了近年来汽车智能化的成果。随着5G技术与人工智能( AI)的发展,车载通讯技术已慢慢从早期的娱乐影音播放以及导航系统,发展到现在的深度学习与车联网( V2X),并朝着无人驾驶的目标前进。而实现此目标的关键因素正是半导体。目前,先进驾驶辅助系统(ADAS)是车载通讯中最普遍的应用之一,它包含不同的子功能主动式巡航控制、自动紧急煞车、盲点侦测以及驾驶人监控系统等。车辆制造商一直试着添加更多主动式安全保护,以达到无人驾驶的最终目标。因此,越来越多的半导体产商与车辆制造
  • 关键字: ADAS  NOR  DRAM  AI  V2X  EM  

KLA推出全新突破性的电子束缺陷检测系统

  • 近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力,能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷,从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间(包括那些依赖于极端紫外线(EUV)光刻技术的芯片)。eSL10的研发是始于最基本的构架,针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术,可提供高分辨率,高速检测功能,这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示:“利用单一的高能量电子
  • 关键字: DRAM  NAND  

新一代安全储存架构将提供最佳解决方案

  • 随着半导体制程不断发展,嵌入式系统开发人员受益良多,但这却为应用处理器用户带来一个难题——用户需要对其设备及收发的数据进行高度安全保护。因为生产应用处理器所采用的CMOS制程,与储存启动码、应用程序代码、以及敏感数据的非挥发性芯片内建NOR Flash使用的制造技术之间差异越来越大。虽然当今先进应用处理器大多是采用次10纳米的制程,NOR Flash制程却因技术上的基本物理特性限制而落后好几代。如今,浮栅闪存电路仍应用于40纳米以上制程所制造的器件。换言之,闪存无法嵌入最先进、最高效能的处理器芯片内。因此
  • 关键字: IoT  CMOS  SPI  

台积电扩大与索尼 CMOS 图像传感器代工合作,规划全新产能

  • 据台湾媒体报道,台积电扩大了与索尼 CIS(CMOS 图像传感器,CMOS Image Sensor,简称 CIS)代工合作。台积电  台积电旗下关联企业采钰,以及供应链成员将一起吃下索尼 “超级大单”。应索尼后续需求,采钰、同欣电进入战斗状态,正扩建 CIS 后段封测、材料及模组组装产能。  台积电积极规划在竹南打造全新的高阶 CIS 封装产能,相关开发计划本月初正式动工兴建,预计明年中完工,预计将斥资新台币 3000 亿元,成为台积电先进封装的最大生产据点,首批进驻即是帮索尼代工的 CIS 封装产线。
  • 关键字: 台积电  索尼  CMOS  图像传感器  

SK海力士开始量产超高速DRAM‘HBM2E’

  • 7月2日,SK海力士宣布开始量产超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度,通过1,024个I/Os(Inputs/Outputs, 输入/输出)能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清(FHD)电影(每部3.7GB),是目前业界速度最快的DRAM解决方案。不仅如此,公司的HBM2E借助TSV(Through Silicon Via)技术将8个16Gb DRAM垂直连接,其容量达到了16GB,是前一代HBM2容量的两倍以上。H
  • 关键字: SK海力士  DRAM  

SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’

  • SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。           图1. SK海力士宣布开始量产超高速DRAM, HBM2E    SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度,通过1,024个I/Os(Inputs/Outputs,  输入/输出)能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清(FHD)电影(每部3.
  • 关键字: SK海力士  超高速  DRAM  HBM2E  

OSAT视角:汽车半导体市场及其制造所面临的挑战

  • 汽车半导体市场在过去十年间保持连续增长,丝毫没有放缓的迹象。汽车行业的发展主要源于管控汽车的几乎各个方面都采用了电子器件,而安全标准的提升以及从半自动到全自动电动汽车的发展,也使汽车行业的增长更加稳固。图1显示,尽管2016年至2022年的汽车产量预计将增长13%,但汽车电子器件预计同期将从1990亿美元增长至2890亿美元,增幅达45%。图1同时还显示,每辆车的电子器件价格以“曲棍球棒曲线”形式增长 — 从2016年的每辆车2000多美元增长到2022年的每辆车2700美元。图2显示了汽车驾驶自动化各等
  • 关键字: CMOS  CIS  MCU  MEMS  OSAT  

攻克可视门铃中的设计障碍

  • 有用的物联网(IoT)程序被应用于几乎所有行业的纵向分支中,并有效扩展了旧有系统的实用性。例如,出于安全目的,住宅、商业和工业设施正在使用可视门铃。这些服务已经存在数十年,但通常仅限于可通过闭路电视网络提供昂贵的双向音频和单向视频功能的高端设备。但是,现在物联网技术无需大规模的同轴电缆或以太网基础结构即可实现此级别的安全性。本文将仔细研究与可视门铃相关的一些视频、音频和电源设计难题,以及解决这些难题所需的技术进步。无缝用户体验传统的可视门铃系统涉及使用按铃、麦克风和摄像机。这些系统通常被硬连接到电源,而视
  • 关键字: DSP  CMOS  PIR  MCU  IoT  

CMOS传感器市场今年将萎缩 明年或迎来全面增长

  •   近日,全球知名半导体市场咨询机构ICInsights发布了《全球光电子、传感器和分立器件市场报告(OSDReport)》,报告显示,因为受到2020年新型冠状病毒导致的肺炎疫情带来的影响,全球CMOS图像传感器的销售量将在十年来出现首次下降,但到了2021年将会出现创记录的新高。  CMOS图像传感器的销售额于2019年激增30%之后,在2020年将降至178亿美元。这份长达350页的报告显示CMOS图像传感器的销售额在2021年将会出现15%的反弹,达到204亿美元的历史新高。当然,这是建立在全球疫
  • 关键字: CMOS  传感器  数字成像  

步入高阶成像时代,思特威首款高阶成像系列产品SC200AI发布

  • 随着安防行业边界的不断消融,场景的拓展、技术的突破等因素都在推动其发展成为一个多面生态的现代化概念。而伴随着安防视频系统的不断革新发展,更高清、场景适应性更强的图像传感器日渐成为刚需。近日,技术领先的CMOS图像传感器供应商思特威科技(SmartSens),以客户需求为出发点,正式推出了聚焦新安防应用的高阶成像(AI,Advanced Imaging)系列CMOS图像传感器的首款产品 — SC200AI。思特威希望以该系列产品为客户带来更高性能、适应性更广的高阶成像产品,以赋能未来在“新基建”催
  • 关键字: 新基建  CMOS  高阶成像  

国产DRAM内存抱团发展 合肥长鑫与3家公司合作

  • 6月6日,长三角一体化发展重大合作事项签约仪式在湖州举行,合肥长鑫与苏州瑞红电子化学品有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司共同签约,一致同意支持长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目建设。2019年国内存储芯片取得了两个突破——长江存储的3D闪存、合肥长鑫的DRAM内存双双量产,其中内存国产化的意义更重要一些,毕竟这个市场主要就是美日两大阵营主导,门槛太高。合肥长鑫的12英寸内存项目总计投资高达1500亿,去年底量产了1Xnm级别(具体大概是19nm)的内存芯片,可以供应DDR4
  • 关键字: 国产  DRAM  内存  合肥长鑫  

面向工业条形码阅读器应用的低成本高性能图像传感器

  • 伴随着当今更低成本和更高性能的工业相机的趋势,对CMOS图像传感器也提出了更高的要求,需要通过设计系统级芯片(SoC)来实现这一目标。为实现该目标,需通过3D芯片堆栈和背照(back side illuminated ,BSI)技术,把多个图像处理任务集成到单一器件中。在未来将会出现具有精密的机器学习和专有的智能计算芯片结合图像撷取功能的解决方案,创造出紧凑的高速运算视觉系统。
  • 关键字: BSI  CMOS  SoC  RTC  MTF  

南亚科:视欧美疫情定市场 10纳米级产品试产

  • 存储器大厂南亚科28日召开年度股东常会,会中董事长吴嘉昭对于近期的产业状况发表看法,指出2020年上半年DRAM市场的需求较2019年同期有小幅度的成长,其主要原因是受惠于异地工作、远端教育、视频会议等各项需求所致。至于,2020年下半年市况,吴嘉昭则是表示,因为各项不确定因素仍多,因此目前仍必须要持续的观察。吴嘉昭表示,2019年因中美贸易战导致的关税问题,使得供应链面临调整,加上全球经济放缓、英特尔处理器缺货等因素,导致DRAM需求减少,使得平均销货较2018年减少超过45%,也使得南亚科在2019年
  • 关键字: 存储器  10nm  南亚科  DRAM  

memsstar谈MEMS刻蚀与沉积工艺的挑战

  •   鲁 冰 (《电子产品世界》记者)  不久前,MEMS蚀刻和表面涂层方面的领先企业memsstar向《电子产品世界》介绍了MEMS与传统CMOS刻蚀与沉积工艺的关系,对中国本土MEMS制造工厂和实验室的建议等。  1 MEMS比CMOS的复杂之处  MEMS与CMOS的根本区别在于:MEMS是带活动部件的三维器件,CMOS是二维器件。因此,虽然许多刻蚀和沉积工艺相似,但某些工艺是MEMS独有的,例如失效机理。举个例子,由于CMOS器件没有活动部件,因此不需要释放工艺。正因为如此,当活动部件“粘”在表面上
  • 关键字: 202006  MEMS  CMOS  memsstar  
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cmos.dram介绍

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