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bi-fet 文章 进入bi-fet技术社区

EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET

  • 全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET,与EPC的上一代产品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐热QFN封装,顶部裸露,封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。凭借超低导通电阻
  • 关键字: EPC  1mΩ  导通电阻  GaN FET  

适用于自主驾驶车辆LiDAR的GaN FET快速指南

  • 激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中,大多都有人类参与其中,因此人们担心 LiDAR 激光可能会对眼睛造成伤害。为防止此类伤害,汽车 LiDAR 系统必须符合 IEC 60825-1 1 类安全要求,同时发射功率不超过 200 W。通用解决方案一般采用 1 至 2 ns 脉冲,重复频率为 1 至 2 MHz。这很有挑战性,因为需要使用微控制器或其他大型数字集成电路 (IC) 来控制激光二极管,但又不能直接驱动它,这样就必须增加一个栅极
  • 关键字: 自主驾驶  LiDAR  GaN  FET  

Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET,提升 750V 电动汽车设计性能

  • 中国 北京,2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布一款符合车规标准的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品;在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品,导通电阻值最高可达 60mΩ,非常适合车载充电器、DC/DC 
  • 关键字: Qorvo  SiC FET  电动汽车  

EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管,实现75~231A脉冲电流

  • 宜普电源转换公司(EPC)推出三款激光驱动器电路板,这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板,分别是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化镓器件的体积小30%和更具成本效益。这些电路板专为长距离和
  • 关键字: EPC GaN FET  激光二极管  

Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件,该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装,为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型值)的氮化镓场效应管,采用CCP
  • 关键字: Nexperia  SMD  CCPAK  GaN  FET  

FET 生物传感器的直流I-V 特性研究

  • 由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点,对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管,它们被广泛用于各种应用:如生物研究,即时诊断,环境应用,以及食品安全。生物场效应管将生物响应转换为分析物,并将其转换为可以使用直流I-V技术轻松测量的电信号。输出特性 (Id-Vd)、传输特性 (Id-Vg) 和电流测量值相对于时间 (I-t) 可以与分析物的检测和幅度相关。根据设备上的终端数量,可以使用多个源测量单元(SMU) 轻松完成这些直流
  • 关键字: 泰克科技  FET  生物传感器  

EPC新推100 V GaN FET助力实现更小的电机驱动器,用于电动自行车、机器人和无人机

  • 基于氮化镓器件的EPC9194逆变器参考设计显着提高了电机驱动系统的效率、扭矩而同时使得单位重量功率(比功率)增加了一倍以上。该逆变器非常微型,可集成到电机外壳中,从而实现最低的电磁干扰、最高的密度和最輕的重量。 宜普电源转换公司宣布推出三相BLDC电机驱动逆变器参考设计(EPC9194)。它的工作输入电源电压范围为 14V ~60V,可提供高达60 Apk(40 ARMS)的输出电流。此电压范围和功率使该解决方案非常适合用于各种三相BLDC电机驱动器,包括电动自行车、电动滑板车、无人
  • 关键字: EPC  GaN FET  电机驱动器  

更小、更快、更节能,半导体芯片迎大突破

  • 最先进的电子硬件在大数据革命面前都显得有些“捉襟见肘”,这迫使工程师重新思考微芯片的几乎每一个方面。随着数据集的存储、搜索和分析越来越复杂,这些设备就必须变得更小、更快、更节能,以跟上数据创新的步伐。铁电场效应晶体管(FE-FETs)是应对这一挑战的最有趣的答案之一。这是一种具有铁电性能的场效应晶体管。它利用铁电材料的非易失记忆性质,在其中植入场效应和电荷积累,实现了长期稳定的记忆效应。与传统存储器相比,它具有低功耗、高速度、高密度等优势。因此,一个成功的FE-FET设计可以大大降低传统器件的尺寸和能量使
  • 关键字: 半导体芯片  FE-FET  

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驱动器方案

  • 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓(GaN)功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用,适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑,加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。 不同于同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路,Transphorm 的 SuperG
  • 关键字: Transphorm  SuperGaN FET  驱动器  

使用开尔文连接提高 SiC FET 的开关效率

  • 碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管,但需要使用低热阻封装,比如 TO-247。然而,此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅读本博文,了解如何谨慎使用开尔文连接技术以解决电感问题。这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布,该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商,它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、
  • 关键字: Qorvo  开尔文  FET  

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS电机驱动器参考设计

  • 基于氮化镓器件的EPC9186逆变器参考设计增强了高功率应用的电机系统性能、精度、扭矩和可实现更长的续航里程。宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186,这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14 V~ 80 V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。EPC9186在每个开关位置使用四个并联的EPC2302,可提供高达200 Apk的最大输出电流。EPC9186包含所有必要的关键功能电路
  • 关键字: EPC  GaN FET  ARMS  电机驱动器  

Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

  • 奈梅亨,2023年5月10日:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode(增强型)功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件,从GaN FET到其他硅基功率器件,Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。  Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET(RDS(on)值介于80 mΩ至19
  • 关键字: Nexperia  E-mode GAN FET  

栅极长度缩放超出硅的 FET 对短沟道效应具有鲁棒性

  • 当今行业中发现的大多数 FET 都是由硅制成的,因为它具有出色且可重现的电子特性。根据摩尔定律,硅受到薄通道厚度下迁移率下降的困扰,这为高度缩放的设备保持强静电。过渡金属二硫化物 (TMD) 等二维沟道材料可用于 FET 以解决此问题。由于2D 材料具有二维表面,因此它们具有更好的迁移率水平,包括在 0.7 A 下实现激进的沟道长度缩放。自从在现代电子产品中引入场效应晶体管 (FET) 以来,理论和应用电路技术已经取得了多项改进。FET 是低频和中频的低噪声放大器以及高输入阻抗放大器、电荷敏感放
  • 关键字: 栅极  FET  

连接与电源:新Qorvo为行业提供更全面的解决方案

  • 3月下旬,全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 在京召开了以“连接与电源——新主题、新Qorvo”的媒体活动。通过此次活动,Qorvo旨在向业内介绍Qorvo在自身移动产品和基础设施应用上的射频领导地位进面向电源、物联网和汽车等领域的最新进展。Matter出世,化解万物互联生态壁垒物联网让我们曾经畅想的万物互联生活逐渐成为现实,但要将数以百亿计的设备进行有效的互联还面临巨大壁垒,Matter 标准的出现打破了这个局面。作为Matter的积极参与者,Qorvo 率先打造符合 Matter 标准的
  • 关键字: Qorvo  Matter  SiC FET  UWB  

贸泽开售采用D2PAK-7L 封装的工业用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

  • 2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子  (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC(现已被 Qorvo®收购)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率,同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC
  • 关键字: 贸泽  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET  
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