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TDDI市场爆发,80nm工艺成主流

  •   8月30日消息,据VentureBeat报道,谷歌旗下人工智能(AI)部门和哈佛大学的研究人员已经建立了新的AI模型,可以预测大地震一年后发生余震的位置。该模型使用近几十年里经历的199次大地震以及随后的13万次余震数据进行训练。研究发现,该模型比目前用于预测余震的方法更加准确。  用于训练这个神经网络的数据集中包含的余震,多发生在距离震中50公里的垂直范围和100公里的水平范围内。哈佛大学地球和行星科学系的菲比·德威利斯(Phoebe DeVries)称:“我们发现,经过训练后改变应力,这个神经网络
  • 关键字: TDDI  80nm  

北航与微电子所成功制备国内首个80nm磁随机存储器芯片器件

  •   近日,北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。   STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构,加工制备难度极大。当前,美韩日三国在该项技术上全面领先,很有可能在继硬盘、DRAM及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。   微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3年的艰苦攻关,在STT-MRAM关键工
  • 关键字: 80nm  存储器  
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80nm介绍

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