- 在半导体晶圆制造工艺度过60纳米平台后，世界最大的晶圆代工厂台积电就选择不再跟随英特尔的技术标准。对此，台积电研发负责人、研发发展资深副经历蒋尚义认为，半导体行业的每一个工艺制造都需要近十年的时间不断优化，而台积电选择比英特尔更快的研究更先进的制造工艺，意在提高自己的长期竞争力。
“我们现在最成熟的工艺是0.13微米，这已经是10年前的技术了，但依然有得改进。同理，如果我们第一步领先，就会在接下去的十年都领先。”蒋尚义昨日在北京向媒体表示。他此行的目的是在27日召开的20
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晶圆制造 60纳米 32纳米
- 按半导体国际产能统计(SICAS)公布的2009 第四季有关产能及利用率的最新数据,摘錄部分数据并加以说明。
从SICAS摘下的2009 Q4最新数据与2008 Q4比较,有以下诸点加以说明;
1),总硅片产能09 Q4与08 Q4相比还是减少10,7%
2),全球代工产能09 Q4与08 Q4相比上升10,6%
3),2008 Q4时全球小于80纳米的产能占总产能比为44%,而到2009 Q4时占54%,反映技术进步加快。在2008 Q4时还没有小於60纳米的产能,而到
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半导体 60纳米 硅片
- 据台湾媒体报道，台湾旺宏计划投资1600亿新台币(约和332.5亿人民币)兴建两座12寸芯片厂，此举将导致茂德、力晶等内存芯片公司向旺宏卖厂求现的美梦破碎，恐促使DRAM(动态随机存储器)厂雪上加霜。
旺宏是上半年台湾唯一获利的内存芯片厂，积极扩厂后，更将坐稳获利龙头宝座。
旺宏投资1600亿新台币兴建两座12寸芯片厂的计划，已向台湾当局递交文件，申请进驻中科后里园区。第一期建厂预计年底前动工，2011年初投产，两座新厂规划产能约8万片，并导入60纳米以下最新技术。
为配合旺宏建厂计
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旺宏 DRAM 60纳米 芯片
- 台系DRAM厂身陷财务泥淖且制程停留在70纳米制程，然国际大厂却提前引爆40纳米制程大战!三星电子(Samsung Electronics)40纳米制程产品已开始送样，美光(Micron)产品亦趋近成熟，2010年将加入战局，尔必达(Elpida)这次虽没赶上50纳米世代，差点出现世代交替断层危机，公司内部已研拟2010年将略过50纳米世代，直接跳到40纳米，50纳米恐成短命制程，未来真正决战点会是40纳米制程技术。
三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大厂2009年纷转进50纳米制程，且
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DRAM 40纳米 60纳米 50纳米
- 三星在一个月内将NAND的容量提高了四倍。 三星宣布，公司开发出了一种8GB 的NAND闪存设备。这种新的高容量多级单元（MLC ）闪存是基于60纳米的制造工艺，与70纳米的产品相比，60纳米工艺可以让产量提高25%。 有了这种最新的技术，三星能够向消费者提供8GB 内存的解决方案，它采用两个4GB 模块。新的NAND闪存将于今年第三季度面世。
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60纳米 便携式播放 三星 闪存
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