一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片，却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件，是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓(GaN)衬底晶片，是苏州纳维科技有限公司(以下简称苏州纳维)的主打产品。
“不会游泳的时候就跳下了水”
苏州纳维依托中科院苏州纳米所而建。作为中国首家氮化镓衬底晶片供应商， 团队从氮化镓单晶材料气相生长的设备开始研发，逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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GaN 氮化镓
EPC公司将于2018年1月9日至12日在美国拉斯维加斯举行的国际消费电子展(CES® 2018)展示eGaN®技术如何实现两种改变业界游戏规则的消费电子应用 -- 分别是无线充电及自动驾驶汽车的激光雷达应用。 EPC将在AirFuel联盟于CES 2018展览摊位携手合作展示基于氮化镓器件并嵌入桌面的无线充电系统，可以在桌面上任何位置对多种设备同时充电，可传送高达300 W功率。可传送这么大功率使得我们可以同时对电脑、电脑显示器、桌灯、掌上型电脑及
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宜普 GaN
MSP430程序升级方案- 对MSP430系列单片机进行编程的方式有以下3种：利用JTAG接口，利用BSL固件和利用用户自定义的升级固件。由于利用自定义升级固件进行程序升级的方式比较灵活，且用途广泛，因此本文将对其作重点介绍。
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MSP430 单片机 功率器件
变频器逆变模块损坏的起因及处理方法- 变频器逆变模块损坏多半是由于驱动电路损坏致使1个桥臂上的2个开关器件同一时间导通所造成的。变频器逆变功率模块损坏是不管在矢量变频器还是节能变频器等其他变频设备上常见到的故障，解决这种问题只有查到损坏的根本原因，并首先消除再次损坏的可能，才能更换逆变模块，否则换上去的新模块会再损坏。
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变频器 逆变器 功率器件
常用的功率半导体器件盘点汇总-电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。
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功率器件
开关电源技术发展历程的十个关注点- 上世纪60年代，开关电源的问世，使其逐步取代了线性稳压电源和SCR相控电源。40多年来，开关电源技术有了飞迅发展和变化，经历了功率半导体器件、高频化和软开关技术、开关电源系统的集成技术三个发展阶段。
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开关电源 功率器件 电磁兼容性
全球性需求增加也带动市场增长，但是功率分立器件交货期开始延长暂时还没有什么解决办法。
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功率器件
接近62%的能源被白白浪费
美国制造创新网络(目前称为MgfUSA)已经阐明了美国制造业规划的聚焦点在材料与能源。清洁能源智能制造CESMII中的清洁能源与能源互联网自不必说，而在复合材料IACMI和轻量化研究院LIFT中都关注到了汽车减重设计，本身也是为了降低能源消耗的问题。在美国第二个创新研究院“美国电力创新研究院” Power Amercia(PA)其关注点同样在于能源的问题。这是一个关于巨大的能源市场的创新中心。
图1：整体的能源转换效率约在38
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SiC GaN
未来五年，通信产业向5G时代的革命性转变正在深刻重塑RF(射频)技术产业现状。这不仅是针对智能手机市场，还包括3W应用RF通信基础设施应用，并且，5G将为RF功率市场的化合物半导体技术带来重大市场机遇。
未来几年，据Yole最新发布的《RF功率市场和技术趋势-2017版》报告预计，随着电信基站升级和小型基站部署的需求增长，RF功率市场将获得强劲增长。2016~2022年期间，整体RF功率市场营收或将增长75%，带来9.8%的复合年增长率。这意味着市场营收规模将从2016年的15亿美元增长至202
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GaN 5G
展望未来，采用GaN制程的RF PA将成为输出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技术，LDMOS制程的市场份额则会明显萎缩。
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5G GaN
三菱电机(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今日在上海世博展览馆举行的PCIM 亚洲 2017展会中隆重登场(三菱电机展位号:E06)，所展出的十款新型功率器件大受观众欢迎，不断吸引观众前来参观了解三菱电机最新的技术、产品和优势。 三菱电机以“创新功率器件构建可持续未来”为主题，今年展出的功率器件应用范围跨越五大领域，包括：变频家电、铁道牵引及电力传输、电动汽车、工业应用和新能源发电，致力为客户提供高性能及低损耗的产品，其中第7代IGBT模块更首次作
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三菱电机 功率器件
什么是MOCVD?
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
MOCVD设备主要用于半导体材料衬底的外延生长，是LED以及半导体器件的关键设备。
根据Technavio统计，全球MOCVD市场的复合年平均增长率将在2021年之前增长到14%，市场规模将从201
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MOCVD GaN
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司近日宣布推出最新产品“TPD4207F”，扩大其小型封装高压智能功率器件(IPD)产品阵容，该产品适用于空调、空气净化器的风扇电机和泵等各类产品。新IPD采用小型“SOP30”表面贴装型封装，实现更大的额定电流(5A)和600V的高电压。量产出货即日启动。 该新IPD利用东芝最新MOSFET技术——600V超结MOSFET“DTMOSIV系列”，有效减小功率损耗，实现5A额定电流。这一电流足以驱动冰箱的压缩机电机，这是现有IPD无法做到的，因此新IPD的应用范
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东芝 功率器件
IGBT驱动电路的作用： IGBT驱动电路的作用主要是将单片机脉冲输出的功率进行放大，以达到驱动IGBT功率器件的目的。在保证IGBT器件可靠、稳定、安全工作的前提，驱动电路起到至关重要的作用。 IGBT的工作特性： IGBT的等效电路及符合如图1所示,IGBT由栅极正负电压来控制。当加上正栅极电压时,管子导通;当加上负栅极电压时,管子关断。
IGBT具有和双极型电力晶体管类似的伏安特性,随着控制电压UGE的增加,特性曲线上移。开关电源中的IGBT通过UGE电平
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IGBT 功率器件
600v氮化镓（gan）功率器件介绍
您好，目前还没有人创建词条600v氮化镓（gan）功率器件!
欢迎您创建该词条，阐述对600v氮化镓（gan）功率器件的理解，并与今后在此搜索600v氮化镓（gan）功率器件的朋友们分享。
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