自去年底开始，三星就放话要以3纳米制程技术抢走台积电订单，但供应链业者认为其生态系将会逐渐压倒三星。
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台积电 5纳米 三星
半导体供应链表示，台积电投资大量资金研发最新技术，尽管近期营运遇逆风，但先进制程或厂务设备机器购置依旧按既定计画进行，随著下半年营运回温，设备、材料供应链业绩亦可望同步先蹲后跳。
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7纳米+ 5纳米 台积电
台积电制程技术领先幅度持续扩大，3日正式宣布在开放创新平台(Open Innovation Platform；OIP)之下推出5纳米设计架构的完整版本，协助客户实现支持下一世代先进行动及高效能运算应用产品的5纳米系统单芯片设计，目标锁定具有高成长性的5G与人工智能(AI)市场。
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5纳米 台积电
摩尔定律在20年前就被唱衰，但直到现在，半导体工程师们仍然发扬钉子精神，从方寸之地腾挪出无限空间。
IBM公司研究团队6月在日本京都宣布，其在晶体管的制造上取得了巨大的突破——在一个指甲大小的芯片上，从集成200亿个7纳米晶体管飞跃到了集成300亿个5纳米晶体管。
半导体行业一直致力于打造5纳米节点替代方案。IBM此次宣布的最新“全包围门”结构，被认为是晶体管的未来;即将投入生产的5纳米芯片，将使用工艺成本有所降低
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IBM 5纳米
晶圆代工龙头台积电14日召开季度例行董事会，会中决议通过资本预算约1,298亿元(新台币，下同)，其中包括将投入逾505亿元兴建厂房的资本支出，正式启动5纳米新厂的建厂计划。
设备业者指出，台积电位于台湾地区南科园区内的5纳米新厂总投资金额上看2,000亿元，要赶在2019年上半年完成建厂、下半年进入试产，2020年正式量产。
台积电昨天召开董事会，会中决议核准资本预算约新台币1298亿元，包括兴建厂房资本预算约505亿元，其他项目资本预算约793亿元，用来扩充及升级先进制程产能、扩充先进
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台积电 5纳米
台积电持续在中国台湾地区投资先进制程，台科技部长杨弘敦 6 日证实，台积电预计将斥资 5,000 亿元在南科高雄园区筹建 3 纳米、5 纳米制程，新厂将可望在 2020 年动工、2022 年量产。
每 4 年一次的台湾科学技术会议 6 日登场，杨弘敦在会中透露，台积电已提出 3 至 5 纳米制程的先进制程投资蓝图，中国台湾地区科技部认为南科高雄园区最适合，台积电该计划需 50 至 80 公顷土地，规划将在 2020 年动工、2022 年量产，年营业额估计约 2,000 亿元，可创造约 1 万个就
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台积电 5纳米
半导体业自28纳米进步到22/20纳米，受193i光刻机所限，必须采用两次图形曝光技术(DP)。再进一步发展至16/14纳米时，大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级，加上193i的光学技术延伸，采用SADP、SAQP等，所以未来到10纳米甚至7纳米时，基本上可以使用同样的设备，似乎己无悬念，只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎，因为如果EUV不能准备好，就要被迫采用五次图形曝光技术(FP)，这已引起全球业界的关注。
而对于更先进5纳米生产线来说，至今业界
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5纳米 finFET
英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术.这两家公司称,这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳米,从而更加节省成本.
英特尔研究员和内存技术开发经理Al Fazio星期三向记者解释说,这种技术产生的堆叠内存阵列有可能取代目前DRAM内存和NAND闪存的一些工作.这种技术甚至能够让系统设计师把一些DRAM内存和固态内存的一些存储属性缩小到一个内存类.
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Intel 5纳米 DRAM NAND
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