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台积电启动5纳米建厂计划 月产能有望上看9~10万片

  •   晶圆代工龙头台积电14日召开季度例行董事会,会中决议通过资本预算约1,298亿元(新台币,下同),其中包括将投入逾505亿元兴建厂房的资本支出,正式启动5纳米新厂的建厂计划。   设备业者指出,台积电位于台湾地区南科园区内的5纳米新厂总投资金额上看2,000亿元,要赶在2019年上半年完成建厂、下半年进入试产,2020年正式量产。   台积电昨天召开董事会,会中决议核准资本预算约新台币1298亿元,包括兴建厂房资本预算约505亿元,其他项目资本预算约793亿元,用来扩充及升级先进制程产能、扩充先进
  • 关键字: 台积电  5纳米  

台积电提出3至5纳米的先进制程投资蓝图:2020年动工 2022年量产

  •   台积电持续在中国台湾地区投资先进制程,台科技部长杨弘敦 6 日证实,台积电预计将斥资 5,000 亿元在南科高雄园区筹建 3 纳米、5 纳米制程,新厂将可望在 2020 年动工、2022 年量产。   每 4 年一次的台湾科学技术会议 6 日登场,杨弘敦在会中透露,台积电已提出 3 至 5 纳米制程的先进制程投资蓝图,中国台湾地区科技部认为南科高雄园区最适合,台积电该计划需 50 至 80 公顷土地,规划将在 2020 年动工、2022 年量产,年营业额估计约 2,000 亿元,可创造约 1 万个就
  • 关键字: 台积电  5纳米  

5纳米制程技术挑战重重 成本之高超乎想象

  •   半导体业自28纳米进步到22/20纳米,受193i光刻机所限,必须采用两次图形曝光技术(DP)。再进一步发展至16/14纳米时,大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级,加上193i的光学技术延伸,采用SADP、SAQP等,所以未来到10纳米甚至7纳米时,基本上可以使用同样的设备,似乎己无悬念,只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎,因为如果EUV不能准备好,就要被迫采用五次图形曝光技术(FP),这已引起全球业界的关注。   而对于更先进5纳米生产线来说,至今业界
  • 关键字: 5纳米  finFET  

Intel宣布一项技术突破 内存加工工艺可缩小到5纳米

  •   英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术.这两家公司称,这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳米,从而更加节省成本.   英特尔研究员和内存技术开发经理Al Fazio星期三向记者解释说,这种技术产生的堆叠内存阵列有可能取代目前DRAM内存和NAND闪存的一些工作.这种技术甚至能够让系统设计师把一些DRAM内存和固态内存的一些存储属性缩小到一个内存类.   This image shows phase-change memory bu
  • 关键字: Intel  5纳米  DRAM  NAND  
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