- 针对先前有媒体报导飞索暂停了与武汉新芯的合作，飞索公司企业营销总监John Nation昨日驳斥上述说法，并指出这是一场误解。事实上，飞索与中芯国际和武汉新芯的合作，都还在持续进行中，包括尽快移转43纳米的技术，还有一个大型工作团队正在努力进行65纳米的生产产能验证资格，为明年2010年第二季的合作量产做好准备。
飞索指出，该公司受到金融风暴和破产重整的影响，打乱了原先2008年的规划，65纳米的生产提早于2010年第二季前实现的计划已经落空，所以现阶段飞索只能自行利用内部已有设备生产。可是，预
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飞索 晶圆代工 43纳米 65纳米 90纳米
- 虽然其合作伙伴飞索半导体申请破产，武汉新芯与飞索65纳米，43纳米的技术研发及专利授权方面，仍在持续进行当中。
武汉新芯于2006年6月28日开工建设，为中国中部地区第一条12英寸集成电路生产线，由湖北省、武汉市、东湖高新区三级财政共同投资，并委托中芯国际经营管理。
据中国经济网记者了解，武汉新芯的12英寸晶圆厂有能力供应多种先进制程的产品，产品线包括90纳米至43纳米制程的存储芯片和闪存产品。武汉生产线产能可以加工客户订单的需求，预期还有多笔订单会陆续进来。目前90纳米的产品线，月产能3
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飞索 晶圆代工 65纳米 43纳米 90纳米
- 全球NAND Flash需求仍相当疲弱，尽管东芝(Toshiba)宣布增产重创市场信心，然存储器业者透露，由于东芝43纳米制程NAND Flash芯片日前打入苹果(Apple)iPhone供应链，推测其增产系为苹果供货做准备，近期更需关注的是，三星电子(Samsung Electronics)除采用既有42纳米制程应战，亦开始准备最新版35纳米制程NAND Flash芯片，且已陆续送样给控制芯片厂，这不仅将对东芝和英特尔(Intel)、美光(Micron)联盟造成压力，亦将影响NAND Flash市场
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- 据日本经济新闻4月21日报道，东芝最快将在本会计年度开始采用43纳米制程生产闪存芯片，以降低生产成本。 东芝为全球第二大闪存芯片制造商，仅次于韩国三星电子。报道指出，由于芯片价格料在2007/08年度挫跌50%，因此该公司急于提高晶片生产效率。 日经新闻称，使用43纳米制程，将可使东芝生产成本降低40%。 报道称，三星电子计划今年开始采用50纳米制程。
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