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三星宣布3nm芯片成功流片,规模化量产时间节点临近

  •   6月29日消息,据外媒报道,三星宣布,3nm制程技术已经正式流片。据介绍,三星的3nm制程采用的是GAA架构,性能优于台积电的3nm FinFET架构。  报道称,三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成的,目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的FinFET的架构,而是采用GAA的结构。因此,三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。
  • 关键字: 芯片  3mm  三星    
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